München, 07. September 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt TDA235E5 und TDA235E0 vor, eine Dual-Phase-Smart-Power-Stage-Familie, die entwickelt wurde, um die schnell wachsenden Leistungsdichteanforderungen von KI-Beschleunigern und vertikalen Stromversorgungsmodulen der nächsten Generation von KI-Rechenzentren zu erfüllen. Durch die Integration der OptiMOS™ 6 MOSFETs von Infineon und einem Dual-Phase-Treiber-IC in einem kompakten 6 x 6 x 0,8 mm³-Gehäuse liefert die neue Familie eine Leistungsdichte von mehr als 2 A/mm² und setzt damit einen neuen Referenzpunkt für Power-Stage-Leistung in Hochstrom-KI-Prozessoranwendungen. Da Hyperscaler und Rechenzentrumsbetreiber ihre KI-Infrastruktur weiter ausbauen, wird die Nachfrage nach Stromversorgungslösungen, die höhere Strombelastbarkeit mit kleiner werdenden physischen Abmessungen verbinden, zu einem kritischen Engpass.
