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| Infineon Technologies (26.02.2026 11:15) |
Infineon vereinfacht den Einsatz von GaN mit integrierten Halbbrückenlösungen und bringt CoolGaN™ Drive HB 600 V G5 auf den Markt
München, 26. Februar 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr CoolGaN™-Portfolio um die CoolGaN Drive HB 600 V G5-Familie. Jedes der vier neuen Bauteile – IGI60L1111B1M, IGI60L1414B1M, IGI60L2727B1M und IGI60L5050B1M – kombiniert zwei 600-V-GaN-Schalter in einer Halbbrückenkonfiguration mit integrierten High- und Low-Side-Gate-Treibern sowie einer Bootstrap-Diode. Dadurch entsteht eine kompakte, thermisch optimierte Leistungsstufe, die das Design vereinfacht. Durch die Integration wichtiger Funktionen in einem optimierten Gehäuse verringert die Produktfamilie die Anzahl externer Komponenten und erleichtert das bei schnell schaltenden GaN-Bauteilen typischerweise anspruchsvolle PCB-Layout. Zudem unterstützen die Produkte Entwickler dabei, Entwicklungszyklen zu verkürzen und gleichzeitig die wesentlichen Vorteile der GaN-Technologie, wie höhere Schaltfrequenzen, geringere Schalt- und Leitungsverluste sowie eine höhere Leistungsdichte, voll auszuschöpfen. |
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