München – 9. November 2026 – Die Infineon Technologies AG hat in ihrem Werk in Villach, Österreich, 300-Millimeter-Siliziumkarbid-Wafer erfolgreich zu funktionsfähigen Leistungsbauelementen prozessiert. Infineon ist somit das erste Unternehmen, das diesen Innovationsmeilenstein unter realen Bedingungen in einer Halbleiterfertigung demonstriert hat. Möglich wurde dies durch die Nutzung vorhandener Fertigungsanlagen für Silizium (Si). Dieser frühe Erfolg mit funktionsfähigen Leistungsbauelementen unterstreicht den starken Fokus von Infineon, Kunden ein umfassendes Portfolio leistungsfähiger SiC-Leistungshalbleiter anzubieten und die langfristige Versorgung sicherzustellen. Die Chipproduktion auf 300-Millimeter-Wafern ist technologisch fortschrittlicher und deutlich effizienter als auf 200-Millimeter-Wafern, da der größere Durchmesser 2,3-mal mehr Chips pro Wafer ermöglicht.
