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ROHM Semiconductor (21.04.2026 09:00)
ROHM entwickelt SiC-MOSFETs der fünften Generation: ca. 30 % geringerer Durchlasswiderstand bei hohen Temperaturen

ROHM entwickelt SiC-MOSFETs der fünften Generation: ca. 30 % geringerer Durchlasswiderstand bei hohen Temperaturen Willich-Münchheide, 21. April 2026 – Mit den SiC-MOSFETs der fünften Generation hat ROHM die neuesten Bauelemente seiner EcoSiC-Serie entwickelt. Die Technologie ist für hocheffiziente Leistungsanwendungen optimiert und eignet sich ideal für elektrische Antriebssysteme in Fahrzeugen, beispielsweise für Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen (xEVs), sowie für die Stromversorgung von KI-Servern und Industrieanwendungen wie Rechenzentren.
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