Willich-Münchheide, 03. Juni 2026 – ROHM hat bekannt gegeben, dass sein 750-V-SiC-MOSFET in einer BBU (Battery Backup Unit) für die Stromversorgung von KI-Servern zum Einsatz kommt. Mit dem Aufkommen generativer KI steigen die Spannungen in den Stromversorgungssystemen von KI-Servern und es findet ein rascher Übergang zu HVDC-Architekturen (Hochspannungs-Gleichstrom) statt. In diesem Umfeld wurde das SiC-Leistungsbauelement von ROHM als Lösung für Stromversorgungssysteme der nächsten Generation ausgewählt.
Willich-Münchheide, 03. Juni 2026 – ROHM hat bekannt gegeben, dass sein 750-V-SiC-MOSFET in einer BBU (Battery Backup Unit) für die Stromversorgung von KI-Servern zum Einsatz kommt. Mit dem Aufkommen generativer KI steigen die Spannungen in den Stromversorgungssystemen von KI-Servern und es findet ein rascher Übergang zu HVDC-Architekturen (Hochspannungs-Gleichstrom) statt. In diesem Umfeld wurde das SiC-Leistungsbauelement von ROHM als Lösung für Stromversorgungssysteme der nächsten Generation ausgewählt.