München, 14. März 2025 – Viele industrielle Anwendungen werden heute auf höhere Leistungsstufen mit minimierten Leistungsverlusten umgestellt. Erreicht werden kann das unter anderem durch eine erhöhte Zwischenkreisspannung. Die Infineon Technologies AG adressiert diesen Markttrend mit den CoolSiC™ Schottky Dioden 2000 V G5. Diese ersten diskreten Siliziumkarbid-Dioden mit einer Durchbruchspannung von 2000 V wurden im September 2024 auf den Markt gebracht. Das Produktportfolio wurde nun um die Schottky Diode im TO-247-2-Gehäuse erweitert. Diese ist mit den meisten bestehenden TO-247-2-Gehäusen pin-kompatibel. Die Produktfamilie eignet sich für Anwendungen mit Zwischenkreisspannungen von bis zu 1500 VDC und ist damit beispielsweise ideal für den Bereich Solar und das Laden von Elektrofahrzeugen.
