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Infineon Technologies (27.05.2024 10:15)
Die CoolSiC™ MOSFETs 400 V von Infineon definieren Effizienz und Leistungsdichte in Netzteilen für KI-Server neu

München, 27. Mai 2024 – Prozessoren für Künstliche Intelligenz (KI) erfordern zunehmend mehr Leistung. Daher müssen Server-Netzteile (Power Supply Units, PSUs) ebenso eine immer höhere Leistung liefern, ohne dabei die definierten Dimensionen der Server-Racks zu überschreiten. Ursächlich dafür ist der wachsende Energiebedarf von High-Level-Graphic Process Units (GPUs), der bis zum Ende des Jahrzehnts auf 2 kW und mehr pro Chip ansteigen könnte. Diese Anforderungen, sowie die immer anspruchsvolleren Anwendungen und die damit verbundenen spezifischen Kundenbedürfnisse, haben die Infineon Technologies AG dazu veranlasst, die Entwicklung von SiC-MOSFETs auf Spannungen unter 650 V auszuweiten.
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