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ROHM Semiconductor (25.08.2026 14:00)
ROHM präsentiert 650-V-IGBTs mit branchenweit führenden* niedrigen Durchlassverlusten

ROHM präsentiert 650-V-IGBTs mit branchenweit führenden niedrigen Durchlassverlusten Willich-Münchheide, 25. August 2026 – ROHM hat 650-V-IGBTs der 4. Generation entwickelt. Diese eignen sich ideal für elektrische Kompressoren und Hochspannungs-heizungen in Fahrzeugen sowie für Wechselrichter in Industrieanlagen. Als Produkte der 650-V-Klasse in Automobilqualität erzielen die neuen IGBTs mit VCE(sat) = 1,55 V branchenführende* niedrige Durchlassverluste. Zudem bieten sie eine hohe Kurzschlussfestigkeit und erfüllen die Automobil-Zuverlässigkeitsnorm AEC-Q101.
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