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| 30.07.2026 14:00 |
ROHM startet „Engineer Social Hub“: Neue Plattform für technischen Austausch |
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Willich-Münchheide, 30. Juli 2026 – ROHM Co., Ltd. gibt die Einführung der englischsprachigen Version des „Engineer Social Hub“ bekannt. Dabei handelt es sich um eine Online-Plattform, die Ingenieur:innen den Zugang zu technischen Informationen, Know-how und Support seitens ROHM erleichtern soll. „Engineer Social Hub“ bündelt die technischen Inhalte von ROHM zu Halbleiterprodukten und -lösungen an einem Ort. Mithilfe produktspezifischer FAQs und Diskussionsforen sowie eines Chatbots können Anwender:innen nach Lösungen für ihre technische Fragen suchen und direkten Support von ROHM-Ingenieur:innen erhalten. |
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| 22.07.2026 14:00 |
Neues Buck-Boost-DC/DC-Evaluierungsboard für ultrakompakte Montage |
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Willich-Münchheide, 22. Juli 2026 – ROHM hat mit dem BD83070GWL-EVK-002 ein neues Evaluierungsboard entwickelt, mit dem sich die Funktionen des DC/DC-Wandler-ICs BD83070GWL, der einen hohen Wirkungsgrad mit äußerst geringer Stromaufnahme verbindet, umfassend demonstrieren lassen. |
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| 09.07.2026 14:00 |
ROHMs neue 600-V-Super-Junction-MOSFETs im SMT-Gehäuse bieten hohe thermische Leistungsfähigkeit |
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Willich-Münchheide, 09. Juli 2026 – ROHM hat mit den Serien R60xxXNx und R60xxWNx eine neue Produktreihe von 600-V-Super-Junction-MOSFETs entwickelt. |
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| 17.06.2026 14:00 |
ROHM präsentiert MOSFETs der AG16xFNxx-Serie für 48-V-Stromversorgungssysteme im Automobilbereich |
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Willich-Münchheide, 17. Juni 2026 – ROHM bietet mit der „AG16xFNxx-Serie“ eine Reihe von 80-V-Leistungs-MOSFETs für 48-V-Stromversorgungssysteme, die in Automobilanwendungen immer häufiger zum Einsatz kommen. |
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| 09.06.2026 09:00 |
ROHMs neues Gehäuse für SiC-MOSFETs mit Top-Side-Kühlung verbindet hohe Wärmeableitung mit Hochspannungsfähigkeit |
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Willich-Münchheide, 09. Juni 2026 – ROHM hat mit dem TSC3PAK ein neues Gehäuse (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) für SiC-MOSFETs entwickelt. Mithilfe einer Wärmeableitungsstruktur, bei der die Wärmeableitungsfläche an der Oberseite des Gehäuses angeordnet ist, ermöglicht das neue Produkt eine automatisierte Bestückung und erreicht dabei eine vergleichbare Wärmeableitungsleistung wie herkömmliche Durchsteckgehäuse (TO-247-4L). Stromwandlerschaltungen für Onboard-Ladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren in xEVs (Elektrofahrzeugen) werden dadurch effizienter und zuverlässiger. |
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| 03.06.2026 14:00 |
SiC-MOSFET von ROHM wird in Battery Backup Units für KI-Server eingesetzt, HVDC-Architekturen entwickeln sich weiter |
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Willich-Münchheide, 03. Juni 2026 – ROHM hat bekannt gegeben, dass sein 750-V-SiC-MOSFET in einer BBU (Battery Backup Unit) für die Stromversorgung von KI-Servern zum Einsatz kommt. Mit dem Aufkommen generativer KI steigen die Spannungen in den Stromversorgungssystemen von KI-Servern und es findet ein rascher Übergang zu HVDC-Architekturen (Hochspannungs-Gleichstrom) statt. In diesem Umfeld wurde das SiC-Leistungsbauelement von ROHM als Lösung für Stromversorgungssysteme der nächsten Generation ausgewählt. |
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