Presse-Informationen 1 bis 6 von 177
21.02.2024 14:00 ROHMs neuer Thermodruckkopf erzielt mit einer Li-Ion-Batteriezelle hohe Druckgeschwindigkeit und -qualität
Willich-Münchheide, 21. Februar 2024 – ROHM hat einen neuen Thermodruckkopf – KR2002-Q06N5AA – entwickelt, der mit einer Lithium-Ionen-Batteriezelle (3,6 V) betrieben werden kann und eine hohe Druckgeschwindigkeit bei gleichzeitiger Energie-einsparung von ca. 30 % ermöglicht.
15.02.2024 14:00 ROHMs neue SBDs: Branchenführende* Rückwärtserholungszeit bei 100 V Durchbruchspannung dank Trench-MOS-Struktur
Willich-Münchheide, 15. Februar 2024 – ROHM hat Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) mit einer Durchbruchspannung von 100 V entwickelt. Die neuen SBDs bieten eine branchenführende Rückwärtserholungszeit (reverse recovery time, trr) von 15 ns und eignen sich ideal für Stromversorgungen und Schutzschaltungen in Automobil-, Industrie- und Konsumgüteranwendungen.
07.02.2024 14:00 ROHMs Nulldrift-Operationsverstärker bietet unabhängig von Temperaturschwankungen hohe Genauigkeit
Willich-Münchheide, 07. Februar 2024 – ROHM hat mit dem LMR1002F-LB einen Nulldrift-Operationsverstärker entwickelt. Konzipiert für Anwendungen in der Industrie- und Konsumelektronik minimiert der Baustein sowohl die Eingangs-Offset-Spannung als auch deren Temperaturdrift. Der neue Operationsverstärker ermöglicht eine präzise Verstärkung der Ausgangssignale von Sensoren, die in verschiedenen Messgeräten installiert sind. Er eignet sich ideal für Anwendungen in der Strommessung, zum Beispiel in Wechselrichtern zur Leistungssteuerung sowie für Temperatur-, Druck-, Durchfluss- und Gasdetektoren.
24.01.2024 14:00 Kompakte SOT-223-3 600-V-MOSFETs von ROHM: kleinere und flachere Designs bei Stromversorgungen für Beleuchtungen, Pumpen und Elektromotoren
Willich-Münchheide, 24. Januar 2024 – ROHM führt mit den neuen R6004END4, R6003KND4, R6006KND4, R6002JND4 und R6003JND4 eine Produktreihe von kompakten 600-V-Super-Junction-MOSFETs ein. Diese Bausteine kommen in kompakteren Stromversorgungen für Beleuchtungen, Pumpen und Elektromotoren zum Einsatz.
06.12.2023 14:00 ROHM erweitert LTspice®-Bibliothek um SiC- und IGBT-Produkte: Branchenweit größte* Bibliothek mit über 3.500 Modellen
Willich-Münchheide, 06. Dezember 2023 – ROHM hat die Bibliothek der SPICE-Modelle für LTspice seines Schaltungssimulators erweitert. LTspice verfügt über Funktionen zur Erfassung von Schaltplänen und zur Anzeige von Signalverläufen. Damit können Entwickler bereits im Vorfeld überprüfen, ob die Schaltung wie geplant funktioniert. ROHM ergänzte das bestehende Portfolio an Bipolartransistoren, Dioden und MOSFETs um SiC-Leistungsbauelemente und IGBTs. Dadurch erhöht sich die Anzahl der LTspice-Modelle für diskrete Bauelemente auf mehr als 3.500 Stück. Damit steigt der Anteil der LTspice-Modelle auf der ROHM-Website auf über 80 % aller Produkte. Dies bietet Entwicklern mehr Komfort bei der Verwendung von Schaltungssimulatoren – die diskrete Produkte und jetzt auch Leistungsbauelemente enthalten.
08.11.2023 14:00 ROHMs neuer Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber-IC: Maximierung der Leistung von GaN-Bauelementen
Willich-Münchheide, 08. November 2023 – ROHM hat mit dem BD2311NVX-LB einen Gate-Treiber-IC entwickelt, der für GaN-Bauelemente optimiert ist. Der IC ermöglicht die Gate-Ansteuerung im Nanosekundenbereich (ns) und ist damit ideal für Hochgeschwindigkeits-GaN-Schaltungen geeignet. Möglich wurde dies durch ein tiefes Verständnis der GaN-Technologie und die kontinuierliche Weiterentwicklung der Gate-Treiber-Performance. Das Ergebnis ist ein schnelles Schalten mit einer minimalen Gate-Eingangspulsbreite von 1,25 ns. Dies trägt zu kleineren, energieeffizienteren und leistungsfähigeren Anwendungen bei.
  «« « 1 2 3 4 5 » »»
 
 
 
» ROHM Semiconductor
» Presse Informationen
» News per E-mail
Registrieren Sie sich hier zu unserem
E-mail Newsletter-Service
» News per RSS-Feed
Presse-Informationen als RSS-Feed abrufen. Aktuell und ohne Registrierung.
» Kontakt Agentur
MEXPERTS AG
Tel.: +49 (0)8143 59744-00
www.mexperts.de