| 29.04.2025 10:00 |
Digitaler Schutzschirm warnt vor Naturgefahren: Infineon und Startup GMD setzen Sensoren im alpinen Raum ein |
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München, Innsbruck, 29. April 2025 – In Zusammenarbeit mit der Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) hat das Startup Geomorphing Detection (GMD®) ein System entwickelt, das mit Hilfe von Radarsensoren Bäche und Felsbewegungen in den Alpen kontinuierlich überwacht. Die Innovation hat das Potenzial, die Auswirkungen von wetter- und klimabedingten Extremereignissen zu reduzieren und Mensch und Infrastruktur zu schützen. |
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| 24.04.2025 14:15 |
XENSIV™ Magnetschalter der 4. Generation unterstützen funktionale Sicherheit bis zu ASIL B in Automotive-Anwendungen |
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München, 24. April 2025 – Bei der Entwicklung von Anwendungen für das autonome Fahren ist die Einhaltung der Norm ISO 26262 entscheidend – sowohl auf System- als auch auf Sensorebene. Um diesen Ansprüchen gerecht zu werden, bringt die Infineon Technologies AG die Magnetschalterfamilie XENSIV™ TLE4960x auf den Markt. Die TLE4960x-Schalter wurden gemäß ISO 26262 entwickelt und verfügen über Diagnosefunktionen zur Unterstützung von Anwendungen der funktionalen Sicherheit mit Anforderungen bis ASIL B. Sie sind die einzigen ASIL-B-konformen Schalter auf dem Markt, die eine breite Palette von Anwendungen im Automotive-Bereich abdecken, darunter Fensterheber, Schiebedach-Aktoren und Sitzverstellungen. Darüber hinaus sind die Bauteile AEC-Q100-konform und nach Grade 0 qualifiziert, was eine robuste Leistung in rauen Umgebungen ermöglicht. |
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| 23.04.2025 10:15 |
PCIM Europe 2025: Infineon treibt die Dekarbonisierung und Digitalisierung mit innovativen Halbleiterlösungen voran |
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München, 23. April 2025 – Die Infineon Technologies AG zeigt auf der PCIM Europe 2025 in Nürnberg, wie ihre neuesten Halbleiter-, Software- und Tooling-Lösungen die aktuellen Herausforderungen der grünen und digitalen Transformation adressieren. Am Stand 470 in Halle 7 präsentiert das Unternehmen Highlights aus seinem umfangreichen Leistungselektronik-Portfolio, das mit Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) alle relevanten Technologien abdeckt. Unter dem Motto „Driving decarbonization and digitalization. Together“ bietet Infineon zahlreiche Demonstrationen und Präsentationen sowie die Möglichkeit zum Austausch mit Expertinnen und Experten des Unternehmens. |
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| 22.04.2025 10:45 |
Infineon und Marelli starten mit MEMS Laser-Beam-Scanning in eine neue Ära des Automotive-Cockpit-Designs |
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München, 22. April 2025 – Infineon Technologies AG, ein weltweit führender Halbleiterhersteller in den Bereichen Power Systems und IoT, und Marelli, ein weltweit führender Hersteller von Automotive-Systemen, arbeiten gemeinsam mit einem innovativen MEMS Laser-Beam-Scanning-System (LBS) an der Weiterentwicklung der Automotive-Display-Technologie. Mit dieser Lösung, die auf der LBS-Technologie von Infineon basiert, kann Marelli ein immersives Cockpit-Erlebnis schaffen, das frei von den Einschränkungen herkömmlicher Displays ist. Diese innovative Technologie wird auf der Auto Shanghai 25 am Stand von Marelli zu sehen sein. |
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| 16.04.2025 10:15 |
Infineon präsentiert neue Generation leistungsfähiger und energieeffizienter IGBT- und RC-IGBT-Bauteile für Elektrofahrzeuge |
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München, 16. April 2025 – Der Markt für Elektrofahrzeuge gewinnt weiter an Fahrt: Sowohl batteriebetriebene Elektrofahrzeuge (BEVs) als auch Plug-in-Hybridfahrzeuge (PHEVs) verzeichnen ein starkes Volumenwachstum. Der Anteil an produzierten Elektrofahrzeugen wird bis 2030 voraussichtlich deutlich steigen – auf rund 45 Prozent gegenüber 20 Prozent im Jahr 2024 [1]. Die Infineon Technologies AG reagiert auf die steigende Nachfrage nach Hochvolt-IGBT-Chips für den Automotive-Bereich mit der Einführung einer neuen Produktgeneration. Zu diesen Produkten gehören die EDT3-Chips (Electric Drive Train der 3. Generation), die für 400-V- und 800-V-Systeme ausgelegt sind, sowie RC-IGBT-Chips, die speziell für 800-V-Systeme entwickelt wurden. Die Bauteile verbessern die Leistung elektrischer Antriebssysteme und eignen sich ideal für Anwendungen in der Automobil-Branche. |
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| 14.04.2025 11:15 |
Infineon präsentiert erste Galliumnitrid (GaN)-Transistor-Produktfamilie mit integrierter Schottky-Diode für industrielle Anwendungen |
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München, 14. April 2025 – Die Infineon Technologies AG hat die weltweit ersten Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren mit integrierter Schottky-Diode für industrielle Anwendungen vorgestellt. Die Produktfamilie der Mittelspannungs-CoolGaN™-Transistoren G5 mit integrierter Schottky-Diode steigert die Leistung von Stromversorgungssystemen, indem sie unerwünschte Totzeitverluste (deadtime losses) reduziert und so die Effizienz des Gesamtsystems weiter erhöht. Darüber hinaus vereinfacht die integrierte Lösung das Design der Leistungsstufe und reduziert die Stücklistenkosten. |
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