Presse-Informationen 1 bis 6 von 1103
29.05.2020 11:30 CoolSiC™ MOSFET 1700 V SMD ermöglicht beste Effizienz und reduzierte Komplexität für Hilfsstromversorgungen im Hochspannungsbereich
München, 29. Mai 2020 - Die Infineon Technologies AG ergänzt das Angebot an CoolSiC™ MOSFETs mit einer weiteren Sperrspannungsklasse. Nach dem Launch der diskreten 650-V-SiC-MOSFETs zu Beginn dieses Jahres, folgt jetzt die 1700-V-Kategorie, ebenfalls auf Basis der proprietären Trench-Halbleitertechnologie. ...
26.05.2020 23:30 Infineon komplettiert Eigenkapitalanteil der Cypress-Refinanzierung und nimmt über erfolgreiche Aktienplatzierung gut eine Milliarde Euro ein
München, Deutschland - 26. Mai 2020 -Die Infineon Technologies AG hat 55 Millionen neue Aktien mittels eines beschleunigten Platzierungsverfahrens (Accelerated Bookbuilding) unter Ausschluss des Bezugsrechts bei institutionellen Anlegern platziert. Die Aktien wurden zu 19,30 Euro je Stück zugeteilt, der Bruttoemissionserlös betrug somit etwa 1,06 Milliarden Euro. ...
26.05.2020 18:50 Infineon beschließt Kapitalerhöhung gegen Bareinlagen im Wege eines Accelerated Bookbuilding
Neubiberg, 26. Mai 2020 - Der Vorstand der Infineon Technologies AG („Infineon“) hat heute mit Zustimmung des Aufsichtsrats eine Kapitalerhöhung gegen Bareinlagen unter teilweiser Ausnutzung des genehmigten Kapitals beschlossen. ...
20.05.2020 14:30 Weltweit erstes Raspberry Pi Audioverstärker-HAT-Board mit MERUS™ Class-D Multilevel-Verstärker
München, 20. Mai 2020 - Die Infineon Technologies AG hat das weltweit erste Raspberry Pi Audioverstärker-HAT-Board (Hardware attached on Top) entwickelt, das ohne zusätzliche Stromversorgung auskommt. Es bietet hochauflösende Audioqualität auf Boom Box-Leistungsniveau bei kleinem Formfaktor. ...
20.05.2020 10:30 Modulare Evaluierungsplattform für diskrete CoolSiC™ MOSFETs ermöglicht das Testen verschiedener Treiberoptionen
München, 20. Mai 2020 - Der Doppelpulstest ist ein Standardverfahren für Entwickler, um das Schaltverhalten von Leistungshalbleitern zu evaluieren. Eine modulare Evaluierungsplattform der Infineon Technologies AG erleichtert jetzt das Testen von Treiberoptionen für den 1200 V CoolSiC™ MOSFET im TO247 3-Pin- und 4-Pin-Gehäusen. ...
12.05.2020 10:30 StrongIRFET™-MOSFETs im D²PAK 7pin+ Gehäuse für batteriebetriebene Anwendungen
München, 12. Mai 2020 - Die Infineon Technologies AG erweitert mit drei neuen Leistungsbausteinen im D²PAK 7pin+ Gehäuse ihre StrongIRFET™ MOSFET-Produktfamilie mit 40 V bis 60 V.  Die neuen Komponenten bieten einen sehr geringen Durchlasswiderstand (R DS(on)) und eine hohe Stromtragfähigkeit.
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