Presse-Informationen 1 bis 6 von 1119
13.07.2020 10:15 Virtual Sensor Experience: Digitaler Infineon-Sensorik-Messestand mit Live-Präsentationen von 20. bis 22. Juli 2020
München, 13. Juli 2020 – Die Infineon Technologies AG setzt ihre virtuelle Messestrategie fort und präsentiert von 20. bis 22. Juli 2020 die Sensoriklösungen des Unternehmens. Bei der hauseigenen, digitalen Messe „Virtual Sensor Experience“ (VSE) stehen die Themenbereiche Auto, Verbraucher und Industrie im Fokus. Mit 22 Produktdemonstrationen, 15 Live-Präsentationen und einer digitalen Makers-Corner bietet Infineon Kunden, Partnern und Medien detaillierte Einblicke in das Portfolio. Auch nach Abschluss des Live-Programms am 22. Juli werden alle Informationen bis Ende August auf Abruf zur Verfügung stehen.
08.07.2020 09:00 Europas leistungsstärkste Ladestation mit 400 kW Gleichstrom: CoolSiC™ für ultraschnelle Boxenstopps
München, Deutschland, und Bilbao, Spanien – 8. Juli 2020 - Das in Spanien ansässige Technologieunternehmen Ingeteam und die Infineon Technologies AG arbeiten zusammen, um das Laden von Elektrofahrzeugen (EV) schneller zu machen. Der Wechselrichter INGEREV® RAPID ST400 von Ingeteam mit einer Leistung von 400 kW nutzt dazu CoolSiC™ MOSFETs in einem EasyDUAL™ 2B-Gehäuse. ...
07.07.2020 14:00 Motor System ICs von Infineon für die Ansteuerung kleiner Elektromotoren im Auto bieten völlig neuen Integrationsgrad
München - 7. Juli 2020 - Von der automatischen Heckklappe über das Dachfenster und die Sitzverstellung bis zur Treibstoffpumpe sorgt im modernen Automobil eine steigende Zahl von Elektromotoren für Sicherheit und Komfort. Die Infineon Technologies AG stellt nun eine neue Produktfamilie zur Ansteuerung bürstenbehafteter und bürstenloser Gleichstrommotoren vor. ...
30.06.2020 14:00 Neues Siliziumkarbid-Leistungsmodul für Elektrofahrzeuge
München – 30. Juni 2020 – Mehr Effizienz, Leistungsdichte und Performance – dafür steht der Einsatz von Siliziumkarbid in Elektrofahrzeugen. Insbesondere bei 800-V-Batteriesystemen und großen Batteriekapazitäten führt Siliziumkarbid zu einem höheren Wirkungsgrad in Umrichtern und ermöglicht so größere Reichweiten oder niedrigere Batteriekosten. ...
29.06.2020 15:00 CoolSiC™ 62 mm-Modul eröffnet neue Anwendungen für Siliziumkarbid
München, 29. Juni 2020 – Die Infineon Technologies AG erweitert die CoolSiC™ MOSFET 1200 V-Modulfamilie mit einem weiteren Gehäuse im Industriestandard. Das bewährte 62-mm-Modul ist als Halbbrücke aufgebaut und basiert ebenfalls auf der Trench-Chiptechnologie. Es öffnet Siliziumkarbid für Anwendungen im mittleren Leistungsbereich ab 250 kW – dort, wo Silizium mit IGBT-Technologie bei der Leistungsdichte an Grenzen stößt. Im Vergleich zu einem 62-mm-IGBT-Modul umfasst die Liste der Anwendungen damit jetzt auch Photovoltaik, Server, Energiespeicher, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Traktion, kommerzielles Induktionskochen und Systeme für die Energieumwandlung.
29.06.2020 12:55 Eine Klasse für sich: Erweiterter H2S-Schutz von IGBT-Modulen erhöht die Lebensdauer
München, 29. Juni 2020 - Bei Anwendungen in aggressiven Umgebungen bestimmt die Robustheit die Langlebigkeit von Modulen - und damit die Zuverlässigkeit. Dabei hat insbesondere die Belastung durch Schwefelwasserstoff (H2S) einen großen Einfluss auf die Lebensdauer elektronischer Komponenten. Um hier einen vorzeitigen Ausfall zu verhindern, hat die Infineon Technologies AG einen Schutz entwickelt. ...
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