Presse-Informationen 1 bis 6 von 1229
17.09.2021 11:00 Infineon eröffnet High-Tech-Chipfabrik für Leistungselektronik auf 300-Millimeter-Dünnwafern
München, Deutschland, und Villach, Österreich, 17. September 2021 – Die Infineon Technologies AG eröffnet heute unter dem Motto „Ready for Mission Future“ offiziell ihre neue High-Tech-Chipfabrik für Leistungselektronik auf 300- Millimeter-Dünnwafern am Standort Villach, Österreich. Mit einem Investitionsvolumen von 1,6 Milliarden Euro setzt der Halbleiterkonzern damit eines der größten Investitionsprojekte in der Mikroelektronikbranche in Europa um. Die Fabrik, die zu einer der weltweit modernsten zählt, eröffnen Infineon-Vorstandsvorsitzender Reinhard Ploss und Infineon Austria-Vorstandsvorsitzende Sabine Herlitschka – mit Beteiligung von EU-Kommissar Thierry Breton und dem österreichischen Bundeskanzler Sebastian Kurz.
16.09.2021 12:30 Switched-Capacitor Intermediate Bus Converter bietet hohe Leistungsdichte für 48-V-Systeme in Rechenzentren
München und Stockholm, Schweden – 16. September 2021 – Flex Power Modules stellt mit dem BMR310 einen nicht isolierten Switched-Capacitor-IBC (Zwischenbuswandler) vor, der in Rechenzentren eine hohe Leistungsdichte bietet. Damit lässt sich die Leiterplattenfläche besser ausnutzen, was mehr Platz für andere Bauelemente schafft. Der BMR310 basiert auf der ZSC-Technik (Zero voltage switching Switched capacitor Converter) der Infineon Technologies AG. Er erreicht bei halber Last einen Wirkungsgrad von über 98 Prozent und liefert in einem kompakten Gehäuse eine Dauerleistung von bis zu 875 W. Der Wandler arbeitet über einen Eingangsspannungsbereich von 40 bis 60 V und liefert eine ungeregelte Ausgangsspannung von 10 bis 15 V.
15.09.2021 10:15 PSoC™ 64 Standard Secure MCU-Familie erhält PSA-Level-2-Zertifizierung für mehr Sicherheit bei IoT-Geräten
München – 15. September 2021 – Die Infineon Technologies AG hat für die PSoC™ 64 Mikrocontroller (MCUs) Standard Secure-Familie die Arm® Platform Security Architecture (PSA) Level-2-Zertifizierung erhalten. Die Level-2-Zertifizierung umfasst eine Laborevaluierung des PSA Root of Trust (PSA-RoT), die belegt, dass die Bauteile vor skalierbaren Software-Angriffen schützen können. Die Evaluierungslabors verwenden zudem Schwachstellenanalysen und Penetrationstests des PSA-RoT, sodass festgestellt werden kann, ob die neun Sicherheitsanforderungen des PSA-RoT-Schutzprofils erfüllt sind.
06.09.2021 10:15 Flexibilität trifft auf erhöhte Leistungsdichte und Power: Infineon erweitert 1200 V EconoDUAL™ 3-Portfolio mit IGBT7 um neue Stromklassen
München – 6. September 2021 – Die Infineon Technologies AG führt neue Stromklassen für sein EconoDUAL™ 3 mit TRENCHSTOP™ IGBT7-Chips ein. Mit dem breiten Spektrum von 300 A bis 900 A bietet das Portfolio den Entwicklern von Wechselrichtern ein hohes Maß an Flexibilität bei gleichzeitig erhöhter Leistungsdichte und Leistung allgemein. Es ist neben Solar- und Antriebsanwendungen auch geeignet für Nutzfahrzeuge, Bau- und Landmaschinen sowie für unterbrechungsfreie Stromversorgungswechselrichter.
03.09.2021 10:00 22-kW-Referenzdesign für universelle Motorantriebe in Industrieanwendungen vereint die neusten Technologien von Infineon in einem System
München – 3. September 2021 – Der Systemansatz gewinnt im Bereich der Leistungselektronik und Halbleiter immer stärker an Bedeutung. Um diesen Trend zu unterstützen, bringt die Infineon Technologies AG ein vorgetestetes Referenzdesign für industrielle Anwendungen auf den Markt, das die Entwicklungszeit deutlich reduziert. Dabei handelt es sich um einen Frequenzumrichter für Motorantriebe, der eine Nennleistung von 22 kW aufweist und direkt an einem dreiphasigen 380- bis 480-V-Netz betrieben werden kann. Das Design kann vollständig an spezifische Anforderungen angepasst werden und ermöglicht es Kunden, die Produkte von Infineon unter realen Betriebsbedingungen zu testen. Der Umrichter ist ideal geeignet für Anwendungen wie Pumpen, Lüfter, Kompressoren und Förderbänder.
02.09.2021 11:15 Infineon und Panasonic beschleunigen die Entwicklung der GaN-Technologie für 650 V GaN-Leistungsbauelemente
München, Deutschland, und Osaka, Japan – 2. September 2021 – Infineon Technologies und die Panasonic Corporation haben eine Vereinbarung für die gemeinsame Entwicklung und Herstellung der zweiten Generation (Gen2) ihrer bewährten Galliumnitrid-(GaN-)Technologie geschlossen, die mehr Leistungsdichte bietet. Die herausragende Leistung und Zuverlässigkeit in Kombination mit der Fähigkeit, 8-Zoll-GaN-on-Si-Wafer zu produzieren, unterstreichen den strategischen Anspruch von Infineon, den wachsenden Bedarf an GaN-Leistungshalbleitern zu decken. Entsprechend den Marktanforderungen wird Gen2 als 650-V-GaN-HEMT entwickelt. Die Bauelemente sind anwenderfreundlich und bieten ein besseres Preis-Leistungs-Verhältnis. Sie eignen sich unter anderem für Hoch- und Niedrigleistungs-SMPS-Anwendungen, erneuerbare Energien und Motorantriebsanwendungen.
  «« « 1 2 3 4 5 » »»
 
 
 
» Infineon Technologies
» Presse Informationen
» News per E-mail
Registrieren Sie sich hier zu unserem
E-mail Newsletter-Service
» News per RSS-Feed
Presse-Informationen als RSS-Feed abrufen. Aktuell und ohne Registrierung.
» Kontakt Agentur
MEXPERTS AG
Tel.: +49 (0)8143 59744-00
www.mexperts.de