<?xml version="1.0" encoding="iso-8859-1"?>
<rdf:RDF
  xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#"
  xmlns="http://purl.org/rss/1.0/"
  xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
>
<channel rdf:about="https://www.presseagentur.com">
    <title>Presse-Informationen von MEXPERTS</title>
    <link>https://www.presseagentur.com/</link>
    <description>Aktuelle Presse-Informationen der MEXPERTS AG</description>
	<language>de-DE</language>
	<publisher>MEXPERTS AG</publisher>
	<creator>MEXPERTS AG (info@mexperts.de)</creator>
	<rights>Copyright 2010 MEXPERTS AG</rights>
    <date>2026-07-17T20:01+01:00</date>
	<image rdf:resource="https://www.presseagentur.com/pics/rdf_logo.gif">
		<title>presseagentur.com - das Presseportal der MEXPERTS AG</title>
    	<link>https://www.presseagentur.com/</link>
 	   	<url>https://www.presseagentur.com/pics/rdf_logo.gif</url>
	</image>
	<items>
	<rdf:Seq>
	
		<rdf:li rdf:resource="https://www.presseagentur.com/keysight/detail.php?pr_id=7759&#38;lang=de" />
	
		<rdf:li rdf:resource="https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202607-122" />
	
		<rdf:li rdf:resource="https://www.presseagentur.com/keysight/detail.php?pr_id=7757&#38;lang=de" />
	
		<rdf:li rdf:resource="https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infpr202607-121" />
	
		<rdf:li rdf:resource="https://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7754&#38;lang=de" />
	
		<rdf:li rdf:resource="https://www.presseagentur.com/vector/detail.php?pr_id=7756&#38;lang=de" />
	
		<rdf:li rdf:resource="https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/ifxtn202607-120 " />
	
		<rdf:li rdf:resource="https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/ifxtn202607-119" />
	
		<rdf:li rdf:resource="https://www.infineon.com/de/press-release/2026/ifxpr202607-118" />
	
		<rdf:li rdf:resource="https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infxx202606-115" />
	
	</rdf:Seq>
	</items>
</channel>

<item rdf:about="https://www.presseagentur.com/keysight/detail.php?pr_id=7759&#38;lang=de">
	<title>Keysight präsentiert neue leistungsstarke Testplattform für Cybersecurity im Netzwerk</title>
	<link>https://www.presseagentur.com/keysight/detail.php?pr_id=7759&#38;lang=de</link>
	<description>Böblingen, 16. Juli 2026 – Keysight Technologies hat mit dem APS-ONE-400 eine modulare Testplattform für die Cybersecurity im Netzwerk vorgestellt. Diese neue 4x100GE-Plattform steigert die Leistung für Layer-4- bis Layer-7-Datenverkehr, verschlüsselten Datenverkehr und Elephant-Flow-Datenverkehr erheblich – und das alles in einem System mit einer Rack-Einheit (RU). Sie ermöglicht es Herstellern von Netzwerk-Equipment (NEMs), Service-Providern und Betreibern von Rechenzentren, anspruchsvolle Szenarien zu validieren und gleichzeitig die Anforderungen an die Gesamtinfrastruktur zu senken. </description>
	<dc:date>2026-07-16T09:30+01:00</dc:date>
</item>

<item rdf:about="https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202607-122">
	<title>Infineon stellt RIC70115 strahlungsgehärteten GaN-HEMT-Treiber für Satelliten- und Raumfahrtanwendungen vor</title>
	<link>https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202607-122</link>
	<description>München, 15 Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt den RIC70115 vor, einen strahlungsgehärteten Galliumnitrid-HEMT-Treiber (GaN High-Electron Mobility Transistor), der für Satelliten- und hochzuverlässige Raumfahrtanwendungen entwickelt wurde, bei denen Leistungsumwandlungseffizienz und langfristige Betriebssicherheit kritische Anforderungen darstellen. Der RIC70115 unterstützt sowohl Silizium- (Si) als auch GaN-MOSFET-Designs in Low-Side- und High-Side-Konfigurationen und gibt Entwicklern von Leistungssystemen größere Flexibilität bei der Einführung GaN-basierter Architekturen  in Raumfahrtplattformen, ohne den sicheren Betrieb bei variierenden Vorspannungsbedingungen zu beeinträchtigen. Mit dem weiteren Wachstum der New-Space-Wirtschaft und zunehmender Komplexität und Anzahl von Satellitenkonstellationen steigt die Nachfrage nach strahlungsgehärteten Leistungsbauelementen, die den Übergang von Si zu GaN unterstützen.</description>
	<dc:date>2026-07-15T14:15+01:00</dc:date>
</item>

<item rdf:about="https://www.presseagentur.com/keysight/detail.php?pr_id=7757&#38;lang=de">
	<title>Keysight geht die versteckten Kosten bei der Erstellung und Pflege von UI-Tests an</title>
	<link>https://www.presseagentur.com/keysight/detail.php?pr_id=7757&#38;lang=de</link>
	<description>Böblingen, 14. Juli 2026 – Keysight Technologies hat Keysight Eggplant Find by Description vorgestellt, eine Lösung, mit der Entwickler Oberflächenelemente anhand ihrer Beschreibung lokalisieren können, anstatt Screenshots aufzunehmen und abzugleichen. Jeder Test zielt auf ein Element anhand seiner Beschreibung und nicht anhand seines visuellen Erscheinungsbilds ab, sodass er auch bei Neugestaltungen, Änderungen des Designs und Anpassungen der Bildschirmauflösung weiterhin ausgeführt werden kann. Dadurch entfällt die manuelle Neuaufnahme von Screenshots, die bisher Entwicklungsressourcen verschwendet hat. </description>
	<dc:date>2026-07-14T09:30+01:00</dc:date>
</item>

<item rdf:about="https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infpr202607-121">
	<title>Infineon und LS ELECTRIC entwickeln gemeinsam hocheffiziente Gleichstrom-Infrastrukturlösungen für KI-Rechenzentren </title>
	<link>https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infpr202607-121</link>
	<description>–    Im Mittelpunkt der Zusammenarbeit stehen Stromwandlungslösungen für Energiespeicher, Solid-State-Transformer und Solid-State-Circuit Breaker 
–    Die Halbleiter von Infineon tragen dazu bei, Effizienz, Leistung und Zuverlässigkeit von Gleichstrom-Infrastruktursystemen zu verbessern

Seoul, Korea, 13. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG und LS ELECTRIC haben eine Absichtserklärung (Memorandum of Understanding, MoU) unterzeichnet, um gemeinsam hocheffiziente Gleichstrom (DC)-Energieinfrastrukturlösungen für KI-Rechenzentren und Stromnetze der nächsten Generation zu entwickeln.</description>
	<dc:date>2026-07-13T08:15+01:00</dc:date>
</item>

<item rdf:about="https://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7754&#38;lang=de">
	<title>ROHMs neue 600-V-Super-Junction-MOSFETs im SMT-Gehäuse bieten hohe thermische Leistungsfähigkeit</title>
	<link>https://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7754&#38;lang=de</link>
	<description>Willich-Münchheide, 09. Juli 2026 – ROHM hat mit den Serien R60xxXNx und R60xxWNx eine neue Produktreihe von 600-V-Super-Junction-MOSFETs entwickelt.</description>
	<dc:date>2026-07-09T14:00+01:00</dc:date>
</item>

<item rdf:about="https://www.presseagentur.com/vector/detail.php?pr_id=7756&#38;lang=de">
	<title>Komplettlösung für SOVD: Vector vereinfacht den Einstieg in moderne Fahrzeugdiagnose </title>
	<link>https://www.presseagentur.com/vector/detail.php?pr_id=7756&#38;lang=de</link>
	<description>Stuttgart, 8. Juli 2026 – Vector, ein führender Lösungsanbieter für die Entwicklung softwaredefinierter Systeme, stellt eine durchgängige Toolkette für die serviceorientierte Fahrzeugdiagnose (SOVD) vor. Die Lösung unterstützt Fahrzeughersteller und Zulieferer dabei, SOVD als modernes Diagnosekonzept effizient zu erproben, zu bewerten und in neue Fahrzeugarchitekturen zu integrieren. Die SOVD-Toolkette ist ab sofort verfügbar und auf einen schnellen Einstieg in die SOVD-Technologie ausgelegt.</description>
	<dc:date>2026-07-08T14:00+01:00</dc:date>
</item>

<item rdf:about="https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/ifxtn202607-120 ">
	<title>Infineon liefert SiC-Technologie an ADVANTICS und steigert Effizienz von Stromrichtern für Megawatt-Ladesysteme</title>
	<link>https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/ifxtn202607-120 </link>
	<description>München, 8. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG liefert CoolSiC™-MOSFETs 1200 V und die dazu passenden zweikanaligen EiceDRIVER™ 2EDB9259Y Gate-Treiber an ADVANTICS, einen Technologieführer im Bereich Siliziumkarbid (SiC)-Leistungselektronik und fortschrittlicher Steuerungssysteme. Die Bauteile kommen in der neuen Generation der flüssigkeitsgekühlten Stromrichter von ADVANTICS zum Einsatz. Die Lösungen verbessern den Wirkungsgrad, die Leistungsdichte und die Zuverlässigkeit in Anwendungen wie Megawatt-Ladesystemen für Schwerlastfahrzeuge und Schiffe sowie in Energiespeichersystemen und Gleichstrom-Mikronetzen für Rechenzentren.  Die Zusammenarbeit adressiert den Bedarf an schnelleren Ladesystemen, einer robusten Netzinfrastruktur und einer effizienteren Stromumwandlung.</description>
	<dc:date>2026-07-08T10:15+01:00</dc:date>
</item>

<item rdf:about="https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/ifxtn202607-119">
	<title>Neue Sicherheitslösung SECORA™ ID Key S USB von Infineon unterstützt FIDO2 und PKI für gesicherten logischen Zugriff</title>
	<link>https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/ifxtn202607-119</link>
	<description>München, Deutschland – 07. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt SECORA™ ID Key S USB auf den Markt, eine auf Java Card™ basierende Lösung mit USB- und NFC-Konnektivität für gesicherte Authentifizierung und digitale Signaturen. Als erste für FIDO Level 3+ zertifizierte und CTAP 2.1-konforme Lösung ermöglicht der Authentifikator eine phishing-resistente, passwortlose Authentifizierung sowie Schutz vor aus der Ferne durchgeführten Softwareangriffen und lokalen Hardwareangriffen. Er umfasst vorinstallierte Applets für FIDO-Authentifizierung, die Erstellung qualifizierter digitaler Signaturen sowie PKI-Funktionen und bietet zugleich umfassende Anpassungsoptionen. Auf Basis der innovativen Single System in Package Hardwareplattform ID Key S USB von Infineon in Kombination mit einer offenen Java Card-Umgebung bietet die End-to-End-Lösung maximale Flexibilität und ermöglicht es Kunden, proprietäre Applets zu entwickeln, zu migrieren und bereitzustellen. Damit werden zusätzliche Anwendungsfälle wie physische Zutrittskontrolle, Krypto-Wallets und Software-Rechtemanagement unterstützt, die den Anforderungen von Unternehmen, Finanzinstituten und staatlichen Stellen gerecht werden.</description>
	<dc:date>2026-07-07T10:15+01:00</dc:date>
</item>

<item rdf:about="https://www.infineon.com/de/press-release/2026/ifxpr202607-118">
	<title>Entscheidung der US International Trade Commission bestätigt, patentverletzende GaN-Produkte von Innoscience vom US-Markt verbannt</title>
	<link>https://www.infineon.com/de/press-release/2026/ifxpr202607-118</link>
	<description>München, Deutschland – 07.07.2026 – Mit dem Ablauf der 60-tägigen Überprüfungsfrist durch den US-Präsidenten wird die am 7. Mai 2026 von der Full Commission der US International Trade Commission (US ITC) erlassene Final Determination bestätigt. Damit steht fest, dass Innoscience ein Infineon-Patent im Bereich der GaN-Technologie verletzt. Patentverletzende GaN-Produkte dürfen daher von Innoscience weder in die USA eingeführt noch in den USA zum Kauf angeboten werden.</description>
	<dc:date>2026-07-07T07:00+01:00</dc:date>
</item>

<item rdf:about="https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infxx202606-115">
	<title>Infineon gewinnt erneut Patentverletzungsverfahren gegen Innoscience</title>
	<link>https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infxx202606-115</link>
	<description>München – 03.07.2026 – Das Landgericht München I hat heute in einem weiteren Patentverletzungsverfahren zwischen Infineon Technologies und Innoscience im Bereich der Galliumnitrid-(GaN)-Technologie zugunsten von Infineon entschieden.</description>
	<dc:date>2026-07-03T15:30+01:00</dc:date>
</item>


</rdf:RDF>
