Presse-Informationen 1 bis 6 von 229
10.12.2025 10:00 Rutronik und ROHM feiern 30 Jahre erfolgreiche Partnerschaft
Ispringen/Willich, 10. Dezember 2025 – Die Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH und ROHM Semiconductor feiern 30 Jahre erfolgreiche Zusammenarbeit – ein Meilenstein in ihrer langjährigen Partnerschaft, die den europäischen Markt für Elektronikdistribution maßgeblich geprägt hat.
04.12.2025 14:00 ROHMs SiC-MOSFETs im TOLL-Gehäuse verbinden Miniaturisierung mit hoher Leistungsfähigkeit
Willich-Münchheide, 04. Dezember 2025 – ROHM hat mit der Massenproduktion von SiC-MOSFETs der SCT40xxDLL-Serie in TOLL-Gehäusen (TO-Leadless) begonnen. Im Vergleich zu herkömmlichen TO-263-7L-Gehäusen mit gleicher Nennspannung und gleichem Einschaltwiderstand bieten die neuen Gehäuse eine um ca. 39 % verbesserte Wärmeleistung. Dies ermöglicht trotz ihrer kompakten Größe und ihres flachen Profils eine hohe Leistungsaufnahme. Die SiC-MOSFETs eignen sich ideal für Industrieanlagen wie Server-Netzteile und Energiespeichersysteme (ESS), bei denen eine zunehmende Leistungsdichte und flache Komponenten für ein miniaturisiertes Produktdesign erforderlich sind.
02.12.2025 14:00 ROHM bietet mit dem RPR-0730 einen schnellen, hochpräzisen optischen Sensor mit VCSEL-Technologie
Willich-Münchheide, 02. Dezember 2025 – ROHM hat mit dem „RPR-0730“ einen kompakten analogen Lichtsensor entwickelt, der sich durch hohe Präzision bei der Erkennung schneller, beweglicher Objekte auszeichnet. Der Sensor kann in zahlreichen Verbraucher- und Industrieanwendungen eingesetzt werden, darunter Drucker und Fördersysteme.
25.11.2025 14:00 ROHM bietet MOSFET mit großem SOA in kompaktem 5×6-mm-Gehäuse für KI-Server
Willich-Münchheide, 25. November 2025 – ROHM hat mit dem RS7P200BM einen 100-V-Leistungs-MOSFET im 5060-Gehäuse (5,0 mm x 6,0 mm) entwickelt, der sich durch einen großen sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA) auszeichnet. Das Produkt eignet sich ideal für Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern mit 48-V-Stromversorgungen sowie für industrielle Stromversorgungen, die einen Batterieschutz benötigen.
20.11.2025 14:00 Jetzt Standard in Siemens Flotherm™! – ROHM erweitert seine hochgenauen EROM-Modelle für Shunt-Widerstände
Willich-Münchheide, 20. November 2025 – ROHM hat sein Angebot an EROM-Modellen (Embeddable BCI-ROM) für Shunt-Widerstände erweitert und auf seiner Website zur Verfügung gestellt. Die neuen Modelle sind nun auch standardmäßig in Simcenter Flotherm von Siemens enthalten, einer Software zur thermischen Analyse von Elektronik.
18.11.2025 14:00 ROHMs Gate-Treiber für dreiphasige bürstenlose Gleichstrommotoren reduzieren Wärmeentwicklung von FETs bei gleichzeitiger Unterdrückung von EMI
Willich-Münchheide, 18. November 2025 – ROHM bietet mit dem „BD67871MWV-Z“ einen Gate-Treiber-IC für dreiphasige bürstenlose Gleichstrommotoren. Der Baustein eignet sich für Mittelspannungsanwendungen mit 12- bis 48-V-Systemen. Die Integration der von ROHM entwickelten Gate-Treiber-Technologie TriC3 reduziert die Schaltverluste von FETs erheblich, während gleichzeitig eine geringe EMI beibehalten wird. Bei Motorsteuerungs-ICs stellt dies traditionell einen Kompromiss dar.
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