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| 18.11.2025 14:00 |
ROHMs Gate-Treiber für dreiphasige bürstenlose Gleichstrommotoren reduzieren Wärmeentwicklung von FETs bei gleichzeitiger Unterdrückung von EMI |
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Willich-Münchheide, 18. November 2025 – ROHM bietet mit dem „BD67871MWV-Z“ einen Gate-Treiber-IC für dreiphasige bürstenlose Gleichstrommotoren. Der Baustein eignet sich für Mittelspannungsanwendungen mit 12- bis 48-V-Systemen. Die Integration der von ROHM entwickelten Gate-Treiber-Technologie TriC3 reduziert die Schaltverluste von FETs erheblich, während gleichzeitig eine geringe EMI beibehalten wird. Bei Motorsteuerungs-ICs stellt dies traditionell einen Kompromiss dar. |
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| 06.11.2025 10:00 |
MSI nutzt hocheffizientes, kompaktes Netzteil mit ROHMs EcoGaN-Leistungsstufen-IC in seinen Produkten |
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Willich-Münchheide, 06. November 2025 – ROHM Co., Ltd. (im Folgenden „ROHM“) gibt bekannt, dass sein EcoGaN-Leistungsstufen-IC in den Netzteilen von MSI-Produkten, darunter Gaming-Laptops, zum Einsatz kommt. |
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| 23.10.2025 14:00 |
ROHM entwickelt innovative Schottky-Barrier-Diode mit niedrigem VF und IR für zuverlässigen Schutz von hochauflösenden Bildsensoren |
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Willich-Münchheide, 23. Oktober 2025 – ROHM hat mit der RBE01VYM6AFH eine innovative Schottky-Barrier-Diode entwickelt, die den herkömmlichen Kompromiss zwischen VF und IR überwindet. Auf diese Weise bietet sie einen hochzuverlässigen Schutz für eine Vielzahl von Anwendungen mit hochauflösenden Bildsensoren, darunter ADAS-Kameras.
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| 16.10.2025 09:30 |
ROHM feiert 30 Jahre erfolgreiche Partnerschaft mit Micronetics |
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Willich/Renningen, 16. Oktober 2025 – ROHM Semiconductor blickt mit Stolz auf drei Jahrzehnte erfolgreicher Zusammenarbeit mit Micronetics zurück – einem langjährigen und verlässlichen Vertriebspartner in Deutschland. Dieser Meilenstein steht nicht nur für eine gemeinsame Geschichte der Innovation und des Wachstums, sondern ist auch ein Beweis für die Stärke einer Partnerschaft, die auf gegenseitigem Vertrauen, technischer Exzellenz und kundenorientierten Werten basiert. |
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| 09.10.2025 09:00 |
ROHM ernennt Dr. -Ing. Christian Felgemacher zum Director Application Engineering |
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Willich, 9. Oktober 2025 – Die ROHM Semiconductor GmbH freut sich, die Berufung von Dr.-Ing. Christian Felgemacher zum Director Application Engineering bekanntzugeben. Seit dem 1. Oktober ist er damit sowohl für die operative Koordination der technischen Kundenberatung als auch für die strategische Ausrichtung der Application Engineering-Aktivitäten von ROHM in Europa verantwortlich. |
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| 30.09.2025 14:00 |
ROHM stellt neue intelligente Schalter optimiert für Zonensteuerungen vor |
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Willich-Münchheide, 30. September 2025 – ROHM hat mit der BV1HBxxxEFJ-Serie sechs neue High-Side-Smart-Switches (Intelligent Power Devices, kurz: IPDs) mit hochpräziser Strommessung und Einschaltwiderständen von 9 Milliohm bis 180 Milliohm entwickelt (BV1HB008EFJ-C, BV1HB012EFJ-C, BV1HB020EFJ-C, BV1HB040EFJ-C, BV1HB090EFJ-C, BV1HB180EFJ-C). Die neuen Schalter eignen sich insbesondere zum Schutz von Lasten und Subsystemen vor Anomalien wie Überstrom, Überspannung und Übertemperatur. Damit gewährleisten sie einen zuverlässigen Betrieb und schützen empfindliche Komponenten in der Automobilbeleuchtung und Karosseriesteuerung, wie z. B. Türschlösser und elektrische Fensterheber. Umfangreiche Diagnosefunktionen, wie etwa die Erkennung offener Lasten und Verpolung, erhöhen die Sicherheit und Zuverlässigkeit zusätzlich. |
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