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| 24.04.2025 14:00 |
ROHM desarrolla nuevos módulos de potencia de SiC de alta densidad de potencia |
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Willich-Münchheide, Alemania, 24 de abril de 2025 – ROHM ha desarrollado los nuevos módulos moldeados de SiC 4 en 1 y 6 en 1 en el encapsulado HSDIP20 optimizados para convertidores PFC y LLC en cargadores de a bordo (OBC) para xEVs (vehículos eléctricos). La gama incluye seis modelos de 750 V (BSTxxx1P4K01) y siete productos de 1200 V (BSTxxx2P4K01). Todos los circuitos básicos necesarios para la conversión de potencia en diversas aplicaciones de alta potencia se integran en un encapsulado modular compacto, lo que reduce la carga de trabajo de diseño para los fabricantes y permite la miniaturización de los circuitos de conversión de potencia en los OBC y otras aplicaciones. |
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| 17.04.2025 10:00 |
ROHM en PCIM Europe 2025: aspectos destacados para aplicaciones de movilidad eléctrica e industriales |
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Willich-Münchheide, Alemania, 17 de abril de 2025 - Del 6 al 8 de mayo, ROHM participará en la PCIM Expo & Conference, el principal evento internacional de electrónica de potencia, movimiento inteligente, energías renovables y gestión energética, que tendrá lugar en Núremberg. En su stand 304 del pabellón 9, ROHM expondrá proyectos de referencia con partners de renombre y presentará la evolución de sus diseños de encapsulado y placas de evaluación. |
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| 10.04.2025 14:00 |
ROHM desarrolla MOSFETs de alta potencia y baja resistencia en conducción líderes en su clase* para servidores empresariales y de IA de alto rendimiento |
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Willich-Münchheide, Alemania, 10 de abril de 2025 - ROHM ha desarrollado MOSFETs de potencia de canal N que presentan una baja resistencia en conducción líder en la industria* y una amplia capacidad SOA. Están diseñados para fuentes de alimentación en servidores empresariales y de IA de alto rendimiento. |
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| 26.03.2025 14:00 |
ROHM desarrolla un nuevo cabezal impresor térmico y compacto para impresoras portátiles de tamaño A4 |
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Willich-Münchheide, Alemania, 26 de marzo de 2025 – ROHM ha desarrollado un nuevo cabezal de impresión térmico —el KA2008-B07N70A— compatible con una batería de iones de litio de 2 células (7,2 V). Diseñado para ofrecer una alta calidad de impresión con un bajo consumo de energía y optimizado para impresoras de tamaño A4 (210 mm de ancho). La altura se ha reducido aproximadamente un 16 %, de los 14 mm convencionales a los 11,67 mm, el mejor de categoría*, lo que contribuye a un diseño más compacto de la impresora. Además, la optimización de la estructura del elemento térmico y la mejora del CI de controlador y del diseño del cableado permiten el funcionamiento a 7,2 V, lo que reduce la energía aplicada necesaria para la impresión en aproximadamente un 66 % en comparación con la unidad convencional de 12 V (a una velocidad de impresión de 50 mm/s). Los ajustes en el cableado individual de los elementos resistivos garantizan una generación uniforme de calor, estabilizando la calidad de impresión y permitiendo una impresión nítida y de alta resolución de 203 ppp, incluso a velocidades de hasta 100 mm/s. |
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| 05.03.2025 14:00 |
EcoGaN™ de ROHM ha sido adoptado para fuentes de alimentación de servidores de IA por Murata Power Solutions |
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Willich-Münchheide, Alemania, 05 de marzo de 2025 - ROHM ha anunciado que la serie EcoGaN de HEMTs de GaN de 650 V en el encapsulado TOLL ha sido adoptada para fuentes de alimentación de servidores de IA por Murata Power Solutions, filial del Murata Manufacturing Group y proveedor líder de componentes electrónicos, baterías y fuentes de alimentación en Japón. La integración de los HEMT de GaN de ROHM, que combinan un funcionamiento de bajas pérdidas con un rendimiento de conmutación de alta velocidad, en la fuente de alimentación para servidores de IA de 5,5 kW de Murata Power Solutions consigue una mayor eficiencia y miniaturización. La producción en masa de esta fuente de alimentación comenzará en 2025. |
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| 27.02.2025 14:00 |
ROHM lanza el HEMT de GaN de 650 V en un encapsulado TOLL con alta disipación del calor |
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Willich-Münchheide, Alemania, 27 de febrero de 2025 – ROHM ha desarrollado HEMTs de GaN de 650 V en el encapsulado TOLL (TO-LeadLess): el GNP2070TD-Z. El encapsulado TOLL, que presenta un diseño compacto con una excelente disipación del calor, una elevada capacidad de corriente y un rendimiento de conmutación superior, se está adoptando cada vez con más frecuencia en aplicaciones que requieren un manejo de alta potencia, especialmente en el interior de equipos industriales y sistemas de automoción. Para este lanzamiento, la fabricación del encapsulado se ha subcontratado a ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD. (en adelante, ATX), un experimentado proveedor de OSAT (ensamblaje y prueba de semiconductores subcontratados). |
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