Presse-Informationen 7 bis 12 von 97
10.02.2021 10:00 ROHM bietet P-Kanal-MOSFETs der fünften Generation mit branchenweit niedrigstem Einschaltwiderstand
Willich-Münchheide, 10. Februar 2021 – ROHM erweitert seine P-Kanal-MOSFET-Serie um 24 Modelle mit einer Spannungsfestigkeit von –40 V/–60 V. Die neuen Versionen sind sowohl in Einzel- (RQxxxxxAT/RDxxxxxAT/RSxxxxxAT/RFxxxxxAT) als auch in Doppelkonfigurationen (UTxxx5/QHxxx5/SHxxx5) erhältlich.  ...
28.01.2021 14:00 ROHM erweitert Miniatur-PICOLED™-Serie: Strom-sparende Infrarot-LED für VR/MR/AR-Anwendungen
Willich-Münchheide, 28. Januar 2021 – ROHM stellt unter der Bezeichnung CSL1501RW eine ultrakompakte seitlich abstrahlende Infrarot-LED vor. Das neue Bauelement ist ideal für Head-Mounted-Displays, Industrie-Headsets und VR/MR/AR- (xR, Extended Reality) Spielekonsolen. ...
18.01.2021 14:00 Neues ROHM-Gebäude in Chikugo: Erweiterung der Produktionskapazität für SiC-Leistungshalbleiter
Willich-Münchheide, 18. Januar 2021 – ROHM hat die Fertigstellung eines neuen Gebäudes in seinem Apollo-Werk im japanischen Chikugo bekannt gegeben. Das Unternehmen steigert damit die Produktionskapazität für SiC-Leistungshalbleiter. Das neue Gebäude ist eine hochmoderne, umweltfreundliche Fabrik, ...
14.01.2021 14:00 ROHMs neue EEPROM BR24H-5AC-Serie für Temperaturen von bis zu 125 °C verkürzt Schreib- und Lieferzeiten
Willich-Münchheide, 14. Januar 2021 – ROHM kündigt mit der BR24H-5AC-Serie I²C-Bus-EEPROMs für den Betrieb im Temperaturbereich von bis zu 125 °C an. Die neuen Speicherbausteine sind die ideale Lösung für Anwendungen, die eine Datenspeicherung unter rauen Umgebungsbedingungen erfordern. Dazu gehören...
17.12.2020 14:00 ROHM stellt neuen Zwei-Kanal-Hochgeschwindigkeits-Operationsverstärker der EMARMOUR™-Serie vor
Willich-Münchheide, 17. Dezember 2020 – ROHM kündigt mit dem BD77502FVM einen Zwei-Kanal-Hochgeschwindigkeits-CMOS-Operationsverstärker mit Masse-Erkennung an. Der neue IC ist für Verbraucher- und Industrieanwendungen optimiert, die eine Hochgeschwindigkeits-Abtastung erfordern, wie zum Beispiel ...
14.12.2020 14:00 UAES und ROHM eröffnen gemeinsames Laboratorium für SiC-Technologie
Willich-Münchheide, 14. Dezember 2020 – ROHM und United Automotive Electronic Systems Co., Ltd (UAES), ein chinesischer Tier-1-Automobilhersteller, eröffnen ein gemeinsames Labor für SiC-Technologie (Siliziumkarbid) am Hauptsitz von UAES in Shanghai, China. SiC-Leistungshalbleiter kommen verstärkt ...
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