|
Other languages: Deutsch | English | Français | Italiano | Español |
 |
|
| 25.11.2025 14:00 |
ROHM bietet MOSFET mit großem SOA in kompaktem 5×6-mm-Gehäuse für KI-Server |
|
Willich-Münchheide, 25. November 2025 – ROHM hat mit dem RS7P200BM einen 100-V-Leistungs-MOSFET im 5060-Gehäuse (5,0 mm x 6,0 mm) entwickelt, der sich durch einen großen sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA) auszeichnet. Das Produkt eignet sich ideal für Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern mit 48-V-Stromversorgungen sowie für industrielle Stromversorgungen, die einen Batterieschutz benötigen. |
|
|
| 20.11.2025 14:00 |
Jetzt Standard in Siemens Flotherm™! – ROHM erweitert seine hochgenauen EROM-Modelle für Shunt-Widerstände |
|
Willich-Münchheide, 20. November 2025 – ROHM hat sein Angebot an EROM-Modellen (Embeddable BCI-ROM) für Shunt-Widerstände erweitert und auf seiner Website zur Verfügung gestellt. Die neuen Modelle sind nun auch standardmäßig in Simcenter Flotherm von Siemens enthalten, einer Software zur thermischen Analyse von Elektronik. |
|
|
| 18.11.2025 14:00 |
ROHMs Gate-Treiber für dreiphasige bürstenlose Gleichstrommotoren reduzieren Wärmeentwicklung von FETs bei gleichzeitiger Unterdrückung von EMI |
|
Willich-Münchheide, 18. November 2025 – ROHM bietet mit dem „BD67871MWV-Z“ einen Gate-Treiber-IC für dreiphasige bürstenlose Gleichstrommotoren. Der Baustein eignet sich für Mittelspannungsanwendungen mit 12- bis 48-V-Systemen. Die Integration der von ROHM entwickelten Gate-Treiber-Technologie TriC3 reduziert die Schaltverluste von FETs erheblich, während gleichzeitig eine geringe EMI beibehalten wird. Bei Motorsteuerungs-ICs stellt dies traditionell einen Kompromiss dar. |
|
|
| 06.11.2025 10:00 |
MSI nutzt hocheffizientes, kompaktes Netzteil mit ROHMs EcoGaN-Leistungsstufen-IC in seinen Produkten |
|
Willich-Münchheide, 06. November 2025 – ROHM Co., Ltd. (im Folgenden „ROHM“) gibt bekannt, dass sein EcoGaN-Leistungsstufen-IC in den Netzteilen von MSI-Produkten, darunter Gaming-Laptops, zum Einsatz kommt. |
|
|
| 23.10.2025 14:00 |
ROHM entwickelt innovative Schottky-Barrier-Diode mit niedrigem VF und IR für zuverlässigen Schutz von hochauflösenden Bildsensoren |
|
Willich-Münchheide, 23. Oktober 2025 – ROHM hat mit der RBE01VYM6AFH eine innovative Schottky-Barrier-Diode entwickelt, die den herkömmlichen Kompromiss zwischen VF und IR überwindet. Auf diese Weise bietet sie einen hochzuverlässigen Schutz für eine Vielzahl von Anwendungen mit hochauflösenden Bildsensoren, darunter ADAS-Kameras.
|
|
|
| 16.10.2025 09:30 |
ROHM feiert 30 Jahre erfolgreiche Partnerschaft mit Micronetics |
|
Willich/Renningen, 16. Oktober 2025 – ROHM Semiconductor blickt mit Stolz auf drei Jahrzehnte erfolgreicher Zusammenarbeit mit Micronetics zurück – einem langjährigen und verlässlichen Vertriebspartner in Deutschland. Dieser Meilenstein steht nicht nur für eine gemeinsame Geschichte der Innovation und des Wachstums, sondern ist auch ein Beweis für die Stärke einer Partnerschaft, die auf gegenseitigem Vertrauen, technischer Exzellenz und kundenorientierten Werten basiert. |
|
|
| |
««
«
1
2
3
4
5
»
»»
|
