http://www.presseagentur.com/ Aktuelle Presse-Informationen von ROHM Semiconductor (Bereitgestellt von MEXPERTS AG) de-DE ROHM Semiconductor MEXPERTS AG (info@mexperts.de) Copyright 2010 MEXPERTS AG 2026-09-25T13:56+01:00 http://www.presseagentur.com/ http://www.presseagentur.com/pics/rdf_logo.gif http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7801&lang=de Willich-Münchheide, 17. September 2026 – ROHM Semiconductor gibt bekannt, dass seine innovativen Leistungshalbleiterlösungen in Elektrofahrzeug-Plattformen eines weltweit führenden Premium-Automobilherstellers zum Einsatz kommen. In der „Neuen Klasse“ von BMW gewährleisten die SiC-Chips (Siliziumkarbid) von ROHM eine hohe Effizienz, Leistung und Zuverlässigkeit der elektrischen Antriebssysteme. 2026-09-17T09:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7799&lang=de Willich-Münchheide, 15. September 2026 – ROHM hat mit dem RS4P063BPHZG einen 100-V-MOSFET entwickelt, der für Sicherheitsfunktionen und Schutzschaltungen im Automobilbereich optimiert ist. Das neue Produkt zeichnet sich durch einen branchenführend* großen sicheren Betriebsbereich (Wide Safe Operating Area, Wide-SOA) über einen breiten Spannungsbereich aus. Es ist im Standardgehäuse HPLF5060 (Größe 5060) erhältlich, welches in Automobilanwendungen weit verbreitet ist. Durch die Integration eines Designs, das Sekundärdurchschläge wirksam unterdrückt, bietet der RS4P063BPHZG bei VDS = 100 V und PW = 100 μs eine etwa fünfmal so hohe SOA-Toleranz wie Standardprodukte gleicher Baugröße. Dies erhöht die Zuverlässigkeit von Automobilanwendungen, die kurzzeitigen Hochleistungslasten ausgesetzt sind. Dazu zählen beispielweise Zündschaltungen für Airbag-Gasgeneratoren und Ansteuerschaltungen für Sicherheitsgurt-Gurtstraffer. 2026-09-15T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7796&lang=de Willich-Münchheide, 10. September 2026 – ROHM bietet mit der „SDR01 Serie“ Chip-Widerstände mit hoher Überspannungsfestigkeit, die in der Baugröße 0402 (Metrisch: 1005) eine in ihrer Klasse führende* Nennleistung von 0,33 W erzielen. Die Serie wurde für elektronische Geräte konzipiert, bei denen die Bestückungsdichte stetig zunimmt. Sie eignet sich besonders für Anwendungen im Automobil, in der Industrie und Unterhaltungselektronik sowie für KI-Server. Die neuen Produkte helfen, Platz auf der Leiterplatte zu sparen und die Anzahl der Bauteile zu reduzieren. Sie gestatten den Austausch größerer Widerstände sowie die Zusammenfassung mehrerer Widerstände, ohne die für Überspannungsschutz-Chipwiderstände erforderliche Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen. 2026-09-10T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7780&lang=de Willich-Münchheide, 25. August 2026 – ROHM hat 650-V-IGBTs der 4. Generation entwickelt. Diese eignen sich ideal für elektrische Kompressoren und Hochspannungs-heizungen in Fahrzeugen sowie für Wechselrichter in Industrieanlagen. Als Produkte der 650-V-Klasse in Automobilqualität erzielen die neuen IGBTs mit VCE(sat) = 1,55 V branchenführende* niedrige Durchlassverluste. Zudem bieten sie eine hohe Kurzschlussfestigkeit und erfüllen die Automobil-Zuverlässigkeitsnorm AEC-Q101. 2026-08-25T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7772&lang=de Willich-Münchheide, 4. August 2026ROHM hat ein Terahertz (THz)-Oszillatorbauelement der zweiten Generation auf Basis von Halbleiterelementen, sogenannten Resonanz-Tunneldioden (RTDs), entwickelt. ROHM stellt das Bauelement über das Terahertz-Wellen-Evaluierungskit „RTD-EVK-G2“ zur Verfügung. Dieses enthält ein Musterbauelement, ein Kabel und eine Evaluierungsplatine. Mithilfe des Kits können Unternehmen und Forschungseinrichtungen, die Generierung und Detektion von THz-Wellen in einer kompakten Entwicklungsumgebung evaluieren. 2026-08-04T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7764&lang=de Willich-Münchheide, 30. Juli 2026 – ROHM Co., Ltd. gibt die Einführung der englischsprachigen Version des „Engineer Social Hub“ bekannt. Dabei handelt es sich um eine Online-Plattform, die Ingenieur:innen den Zugang zu technischen Informationen, Know-how und Support seitens ROHM erleichtern soll. „Engineer Social Hub“ bündelt die technischen Inhalte von ROHM zu Halbleiterprodukten und -lösungen an einem Ort. Mithilfe produktspezifischer FAQs und Diskussionsforen sowie eines Chatbots können Anwender:innen nach Lösungen für ihre technische Fragen suchen und direkten Support von ROHM-Ingenieur:innen erhalten. 2026-07-30T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7761&lang=de Willich-Münchheide, 22. Juli 2026 – ROHM hat mit dem BD83070GWL-EVK-002 ein neues Evaluierungsboard entwickelt, mit dem sich die Funktionen des DC/DC-Wandler-ICs BD83070GWL, der einen hohen Wirkungsgrad mit äußerst geringer Stromaufnahme verbindet, umfassend demonstrieren lassen. 2026-07-22T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7754&lang=de Willich-Münchheide, 09. Juli 2026 – ROHM hat mit den Serien R60xxXNx und R60xxWNx eine neue Produktreihe von 600-V-Super-Junction-MOSFETs entwickelt. 2026-07-09T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7729&lang=de Willich-Münchheide, 17. Juni 2026 – ROHM bietet mit der „AG16xFNxx-Serie“ eine Reihe von 80-V-Leistungs-MOSFETs für 48-V-Stromversorgungssysteme, die in Automobilanwendungen immer häufiger zum Einsatz kommen. 2026-06-17T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7720&lang=de Willich-Münchheide, 09. Juni 2026 – ROHM hat mit dem TSC3PAK ein neues Gehäuse (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) für SiC-MOSFETs entwickelt. Mithilfe einer Wärmeableitungsstruktur, bei der die Wärmeableitungsfläche an der Oberseite des Gehäuses angeordnet ist, ermöglicht das neue Produkt eine automatisierte Bestückung und erreicht dabei eine vergleichbare Wärmeableitungsleistung wie herkömmliche Durchsteckgehäuse (TO-247-4L). Stromwandlerschaltungen für Onboard-Ladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren in xEVs (Elektrofahrzeugen) werden dadurch effizienter und zuverlässiger. 2026-06-09T09:00+01:00