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    <title>Presse-Informationen von ROHM Semiconductor</title>
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    <description>Aktuelle Presse-Informationen von ROHM Semiconductor (Bereitgestellt von MEXPERTS AG)</description>
	<language>de-DE</language>
	<publisher>ROHM Semiconductor</publisher>
	<creator>MEXPERTS AG (info@mexperts.de)</creator>
	<rights>Copyright 2010 MEXPERTS AG</rights>
    <date>2026-06-15T16:52+01:00</date>
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		<title>presseagentur.com - das Presseportal der MEXPERTS AG</title>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7720&#38;lang=de">
	<title>ROHMs neues Gehäuse für SiC-MOSFETs mit Top-Side-Kühlung verbindet hohe Wärmeableitung mit Hochspannungsfähigkeit</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7720&#38;lang=de</link>
	<description>Willich-Münchheide, 09. Juni 2026 – ROHM hat mit dem TSC3PAK ein neues Gehäuse (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) für SiC-MOSFETs entwickelt. Mithilfe einer Wärmeableitungsstruktur, bei der die Wärmeableitungsfläche an der Oberseite des Gehäuses angeordnet ist, ermöglicht das neue Produkt eine automatisierte Bestückung und erreicht dabei eine vergleichbare Wärmeableitungsleistung wie herkömmliche Durchsteckgehäuse (TO-247-4L). Stromwandlerschaltungen für Onboard-Ladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren in xEVs (Elektrofahrzeugen) werden dadurch effizienter und zuverlässiger.</description>
	<dc:date>2026-06-09T09:00+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7718&#38;lang=de">
	<title>SiC-MOSFET von ROHM wird in Battery Backup Units für KI-Server eingesetzt, HVDC-Architekturen entwickeln sich weiter</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7718&#38;lang=de</link>
	<description>Willich-Münchheide, 03. Juni 2026 – ROHM hat bekannt gegeben, dass sein 750-V-SiC-MOSFET in einer BBU (Battery Backup Unit) für die Stromversorgung von KI-Servern zum Einsatz kommt. Mit dem Aufkommen generativer KI steigen die Spannungen in den Stromversorgungssystemen von KI-Servern und es findet ein rascher Übergang zu HVDC-Architekturen (Hochspannungs-Gleichstrom) statt. In diesem Umfeld wurde das SiC-Leistungsbauelement von ROHM als Lösung für Stromversorgungssysteme der nächsten Generation ausgewählt.</description>
	<dc:date>2026-06-03T14:00+01:00</dc:date>
</item>

<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7703&#38;lang=de">
	<title>ROHM PLECS Simulator für die schnelle Verifizierung von Leistungselektronikschaltungen </title>
	<link>http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7703&#38;lang=de</link>
	<description>Willich-Münchheide, 28. Mai 2026 – ROHM hat den ROHM PLECS Simulator auf seiner offiziellen Website veröffentlicht. Mit diesem Simulationstool können Entwickler von Leistungselektronikschaltungen und Systemdesigner das Verhalten der Leistungsbauelemente von ROHM schnell online simulieren. Das Tool basiert auf der Simulationssoftware PLECS.</description>
	<dc:date>2026-05-28T14:00+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7699&#38;lang=de">
	<title>ROHM auf der PCIM Europe 2026: Weiterentwicklung der SiC-Leistungstechnologie für E-Mobilität und Industrie</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7699&#38;lang=de</link>
	<description>Willich-Münchheide, 26. Mai 2026 – ROHM wird vom 9. bis 11. Juni 2026 auf der PCIM Expo &#38; Conference 2026 in Nürnberg ausstellen. Die PCIM ist die führende internationale Fachmesse für Leistungselektronik, intelligente Antriebstechnik, erneuerbare Energien und Energiemanagement. In diesem Jahr lädt ROHM seine Besucher auf Stand 318 in Halle 9 ein.</description>
	<dc:date>2026-05-26T10:00+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7696&#38;lang=de">
	<title>ROHM präsentiert ESD-Schutzdioden für Hochgeschwindigkeits-Schnittstellen mit Datenraten von über 10 Gbit/s</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7696&#38;lang=de</link>
	<description>Willich-Münchheide, 21. Mai 2026 – ROHM hat mit der RESDxVx-Serie neue ESD-Schutzdioden entwickelt, die sowohl einen branchenweit führenden niedrigen dynamischen Widerstand (Rdyn) als auch eine extrem niedrige Kapazität aufweisen. Dadurch eignen sie sich für eine Vielzahl von Anwendungen in der Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikation. </description>
	<dc:date>2026-05-21T14:00+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7690&#38;lang=de">
	<title>Skalierbare Stromversorgungslösungen von ROHM für SoCs im Automobilbereich</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7690&#38;lang=de</link>
	<description>Willich-Münchheide, 19. Mai 2026 – ROHM hat eine konfigurierbare Stromversorgungslösung entwickelt, die den PMIC der BD968xxC-Serie mit dem DrMOS BD96340MFFC kombiniert. Sie ist für Automobil-SoCs in Anwendungen wie ADAS (Advanced Driver Assistance Systems), DMS (Driver Monitoring Systems) und Sensorkameras konzipiert.</description>
	<dc:date>2026-05-19T14:00+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7665&#38;lang=de">
	<title>ROHM präsentiert ultrakompakten Chipsatz zur drahtlosen Stromversorgung von Wearables</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7665&#38;lang=de</link>
	<description>Willich-Münchheide, 28. April 2026 – ROHM hat einen IC-Chipsatz für die drahtlose Stromversorgung entwickelt, der aus dem Empfänger – ML7670 – und dem Sender – ML7671 – besteht. Der Chipsatz ist kompatibel mit der Near-Field-Communication-Technologie (NFC) und sowohl für kompakte Wearables wie Smart-Ringe und Smart-Bänder als auch für Peripheriegeräte wie Smart-Stifte konzipiert.</description>
	<dc:date>2026-04-28T14:00+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7661&#38;lang=de">
	<title>ROHM entwickelt SiC-MOSFETs der fünften Generation: ca. 30 % geringerer Durchlasswiderstand bei hohen Temperaturen</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7661&#38;lang=de</link>
	<description>Willich-Münchheide, 21. April 2026 – Mit den SiC-MOSFETs der fünften Generation hat ROHM die neuesten Bauelemente seiner EcoSiC-Serie entwickelt. Die Technologie ist für hocheffiziente Leistungsanwendungen optimiert und eignet sich ideal für elektrische Antriebssysteme in Fahrzeugen, beispielsweise für Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen (xEVs), sowie für die Stromversorgung von KI-Servern und Industrieanwendungen wie Rechenzentren.</description>
	<dc:date>2026-04-21T09:00+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7649&#38;lang=de">
	<title>ROHM erweitert sein Angebot um 17 neue Hochleistungs-Operationsverstärker für mehr Designflexibilität</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7649&#38;lang=de</link>
	<description>Willich-Münchheide, 31. März 2026 – ROHM hat sein Sortiment um die neuen CMOS-Operationsverstärker der Serien „TLRx728“ und „BD728x“ erweitert. Diese eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen in den Bereichen Automobil, Industrie und Verbrauchersysteme. Das breite Angebot erleichtert zudem die Produktauswahl.</description>
	<dc:date>2026-03-31T14:00+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7639&#38;lang=de">
	<title>ROHM stellt Referenzdesigns für Dreiphasen-Wechselrichter mit neuen SiC-Leistungsmodulen vor</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7639&#38;lang=de</link>
	<description>Willich-Münchheide, 17. März 2026 – ROHM hat auf seiner Website die Referenzdesigns „REF68005“, „REF68006“ und „REF68004“ für dreiphasige Wechselrichterschaltungen mit SiC-Modulen der Marke EcoSiC „HSDIP20“, „DOT-247“ und „TRCDRIVE pack“ veröffentlicht. Entwickler können die in diesen Referenzdesigns bereitgestellten Daten zur Erstellung der Ansteuerungsplatinen verwenden. In Kombination mit den SiC-Modulen von ROHM verringern diese Designs den Arbeitsaufwand für die Gerätebewertung. </description>
	<dc:date>2026-03-17T14:00+01:00</dc:date>
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