| Press Releases 1 to 6 of 159 |
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| 24.04.2025 14:00 |
ROHM développe de nouveaux modules de puissance SiC à forte densité de puissance |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 24 avril 2025 – ROHM a développé les nouveaux modules moulés SiC 4 en 1 et 6 en 1 dans le boîtier HSDIP20 pour les convertisseurs PFC et LLC dans les chargeurs embarqués (OBC) pour les xEV (véhicules électriques). La gamme comprend six modèles de 750 V (BSTxxx1P4K01) et sept produits de 1 200 V (BSTxxx2P4K01). Tous les circuits de base nécessaires à la conversion d’énergie dans diverses applications à forte puissance sont intégrés dans un boîtier de module compact, ce qui réduit la charge de travail des fabricants et permet la miniaturisation des circuits de conversion d’énergie dans les chargeurs embarqués (OBC) et d’autres applications. |
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| 17.04.2025 10:00 |
ROHM au PCIM Europe 2025 : des points forts de premier plan pour la mobilité électrique et les applications industrielles |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 17 avril 2025 – Du 6 au 8 mai, ROHM sera présent à l’exposition et conférence PCIM, l’événement international phare pour l’électronique de puissance, le mouvement intelligent, les énergies renouvelables et la gestion de l’énergie qui se tiendra à Nuremberg. Sur son stand 304 dans le hall 9, ROHM présentera des projets de référence avec des partenaires renommés et exposera l’évolution de ses conceptions de boîtiers et de cartes d’évaluation. |
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| 10.04.2025 14:00 |
ROHM développe des MOSFET avec des caractéristiques de puissance et de faible résistance à l’état passant de premier plan* pour les serveurs d’entreprise hautes performances et les serveurs d’IA |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 10 avril 2025 – ROHM a développé des MOSFET de puissance à canal N présentant une faible résistance à l’état passant et de larges capacités SOA, de premier plan dans l’industrie*. Ils sont conçus pour les alimentations en courant au sein des serveurs d’entreprise et d’IA à hautes performances. |
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| 26.03.2025 14:00 |
ROHM développe une nouvelle tête d’impression thermique compacte pour les imprimantes mobiles au format A4 |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 26 mars 2025 – ROHM a développé une nouvelle tête d’impression thermique, la KA2008-B07N70A, compatible avec une batterie Li-ion à 2 cellules (7,2V). Conçue pour offrir une haute qualité d’impression avec une faible consommation d’énergie et optimisée pour les imprimantes au format A4 (210mm de large). La hauteur a été réduite d’environ 16%, passant de la grandeur conventionnelle de 14mm à une excellente grandeur* de 11,67mm, ce qui contribue à une conception plus compacte de l’imprimante. En outre, l’optimisation de la structure de l’élément chauffant et l’amélioration du circuit intégré de commande et de la disposition du câblage permettent un fonctionnement en 7,2V, ce qui réduit l’énergie nécessaire à l’impression d’environ 66% par rapport à une alimentation conventionnelle en 12V (à une vitesse d’impression de 50mm/s). Les ajustements du câblage individuel des éléments résistifs assurent une génération de chaleur uniforme, stabilisant la qualité d’impression et permettant une impression nette et haute résolution de 203ppp, même à des vitesses allant jusqu’à 100mm/s. |
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| 05.03.2025 14:00 |
La série EcoGaN™ de ROHM a été adoptée par Murata Power Solutions pour les alimentations de serveurs IA |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 05 mars 2025 – ROHM a annoncé que la série EcoGaN de HEMT au GaN 650V dans le boîtier TOLL a été adoptée pour les alimentations électriques de serveurs IA par Murata Power Solutions, une filiale de Murata Manufacturing Group, qui est un fournisseur majeur de composants électroniques, de batteries et d’alimentations électriques au Japon. L’intégration des HEMT au GaN de ROHM, qui combinent un fonctionnement à faible perte avec des performances de commutation à grande vitesse, dans l’unité d’alimentation du serveur IA de 5,5kW de Murata Power Solutions permet d’obtenir une efficience et une miniaturisation supérieures. Le début de la production en série de cette unité d’alimentation est prévu pour 2025.
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| 27.02.2025 14:00 |
ROHM lance un HEMT au GaN de 650 V dans un boîtier TOLL compact à haute dissipation thermique |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 27 février 2025 – ROHM a développé un HEMT au GaN de 650V dans le boîtier TOLL (TO-LeadLess) : le GNP2070TD-Z. De conception compacte, avec une excellente dissipation de la chaleur, une capacité de courant élevée et des performances de commutation supérieures, le boîtier TOLL est de plus en plus adopté dans les applications nécessitant une puissance élevée, en particulier à l’intérieur des équipements industriels et des systèmes automobiles. Pour ce lancement, la fabrication du boîtier a été confiée à ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO, LTD. (ci-après ATX), un fournisseur OSAT (assemblage et de tests de semiconducteurs externalisés) chevronné. |
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