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| 10.12.2024 14:00 |
ROHM et TSMC lancent une collaboration stratégique sur la technologie du GaN pour l’industrie automobile |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 10 décembre 2024 – ROHM Co., Ltd. (ROHM) a annoncé aujourd’hui que ROHM et TSMC ont conclu un partenariat stratégique sur le développement et la production en volume d’appareils d’alimentation au Nitrure de Gallium (GaN) pour les applications de véhicules électriques. |
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| 26.11.2024 09:30 |
Valeo et ROHM Semiconductor s'associent pour développer la prochaine génération d'électronique de puissance |
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Paris/Düsseldorf, le 26 november 2024 – Valeo, entreprise technologique automobile, et ROHM Semiconductor, fabricant de premier plan de composants semi-conducteurs et d'électronique, s'associent pour proposer et optimiser la prochaine génération de modules de puissance pour les onduleurs de moteur électrique en combinant leurs expertises en matière de gestion de l'électronique de puissance. Dans un premier temps ROHM fournira à Valeo son module de puissance 2-en-1 en carbure de silicium (SiC) TRCDRIVE pack pour ses futures solutions de propulsion. |
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| 12.11.2024 14:00 |
Nouvelles diodes Schottky en SiC de ROHM pour systèmes xEV haute tension : avec une conception de boîtier unique pour une meilleure résistance d’isolement |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 12 novembre 2024 – ROHM a développé des diodes Schottky (SBD) en SiC à montage en surface qui améliorent la résistance d’isolement en augmentant la ligne de fuite entre les bornes. La gamme initiale comprend huit modèles – SCS2xxxNHR – pour les applications automobiles telles que les chargeurs embarqués (OBC), avec des plans de déploiement de huit modèles – SCS2xxxN – pour les équipements industriels tels que les appareils FA et les onduleurs PV en décembre 2024. |
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| 07.11.2024 14:00 |
Les nouveaux IGBT 1200V de ROHM présentent des caractéristiques de faible perte à la pointe de l’industrie* avec une tolérance élevée aux courts-circuits |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 07 novembre 2024 – ROHM a développé des IGBT 1200V de qualité automobile qualifiés AEC-Q101 de 4e génération combinant des caractéristiques de faible perte de premier plan* avec une résistance élevée aux courts-circuits. Ces appareils sont donc idéaux pour les compresseurs électriques de véhicules et les chauffages à haute tension, ainsi que pour les onduleurs industriels. La gamme actuelle comprend quatre modèles – RGA80TRX2HR / RGA80TRX2EHR / RGA80TSX2HR / RGA80TSX2EHR – dans deux types de boîtiers discrets (TO-247-4L et TO-247N), ainsi que 11 variantes de puces nues – SG84xxWN – avec des plans d’élargissement futur de la gamme. |
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| 10.10.2024 10:00 |
ROHM au salon electronica 2024 : Favoriser la croissance, Inspirer l’innovation |
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Willich/Munich, Allemagne, 10 octobre 2024 – ROHM Semiconductor Europe attend avec impatience electronica 2024, le salon et la conférence les plus importants au monde pour les composants électroniques, les systèmes, les applications et les solutions. L’événement aura lieu du 12 au 15 novembre à Munich. |
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| 08.10.2024 14:00 |
Nouveaux circuits intégrés de contrôleurs PWM de ROHM en boîtier SOP pour l’alimentation en courant dans une large gamme d’applications industrielles |
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Willich-Münchheide, Allemagne, le 08 octobre 2024 – ROHM a développé des circuits intégrés de contrôle externe de type FET utilisant le mode de contrôle de courant PWM optimisé pour l’alimentation en courant AC-DC dans des applications industrielles variées. La production en série a démarré pour quatre variantes conçues pour piloter une large gamme de semiconducteurs de puissance : la BD28C55FJ-LB pour les MOSFETs à basse tension, la BD28C54FJ-LB pour les MOSFETs de moyenne à haute tension, la BD28C57LFJ-LB pour les IGBT, et la BD28C57HFJ-LB pour les MOSFETs SiC. |
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