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| 05.03.2025 14:00 |
La série EcoGaN™ de ROHM a été adoptée par Murata Power Solutions pour les alimentations de serveurs IA |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 05 mars 2025 – ROHM a annoncé que la série EcoGaN de HEMT au GaN 650V dans le boîtier TOLL a été adoptée pour les alimentations électriques de serveurs IA par Murata Power Solutions, une filiale de Murata Manufacturing Group, qui est un fournisseur majeur de composants électroniques, de batteries et d’alimentations électriques au Japon. L’intégration des HEMT au GaN de ROHM, qui combinent un fonctionnement à faible perte avec des performances de commutation à grande vitesse, dans l’unité d’alimentation du serveur IA de 5,5kW de Murata Power Solutions permet d’obtenir une efficience et une miniaturisation supérieures. Le début de la production en série de cette unité d’alimentation est prévu pour 2025.
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| 27.02.2025 14:00 |
ROHM lance un HEMT au GaN de 650 V dans un boîtier TOLL compact à haute dissipation thermique |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 27 février 2025 – ROHM a développé un HEMT au GaN de 650V dans le boîtier TOLL (TO-LeadLess) : le GNP2070TD-Z. De conception compacte, avec une excellente dissipation de la chaleur, une capacité de courant élevée et des performances de commutation supérieures, le boîtier TOLL est de plus en plus adopté dans les applications nécessitant une puissance élevée, en particulier à l’intérieur des équipements industriels et des systèmes automobiles. Pour ce lancement, la fabrication du boîtier a été confiée à ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO, LTD. (ci-après ATX), un fournisseur OSAT (assemblage et de tests de semiconducteurs externalisés) chevronné. |
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| 15.01.2025 14:00 |
ROHM propose les plus petits* appareils d’oscillation et de détection d’ondes térahertz de l’industrie |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 15 janvier 2025 – ROHM a commencé à proposer des échantillons des plus petits* appareils d’oscillation et détection d’ondes térahertz (THz) de l’industrie utilisant des éléments semiconducteurs connus sous le nom de diodes à effet tunnel résonnant (RTD). Les ondes térahertz sont appelées à être appliquées aux essais non destructifs, à l’imagerie et à la détection dans les secteurs médicaux et des soins de santé, ainsi qu’aux futures technologies de communication ultrarapides. La fourniture de ces appareils contribue au développement des applications à ondes térahertz. |
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| 10.12.2024 14:00 |
ROHM et TSMC lancent une collaboration stratégique sur la technologie du GaN pour l’industrie automobile |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 10 décembre 2024 – ROHM Co., Ltd. (ROHM) a annoncé aujourd’hui que ROHM et TSMC ont conclu un partenariat stratégique sur le développement et la production en volume d’appareils d’alimentation au Nitrure de Gallium (GaN) pour les applications de véhicules électriques. |
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| 26.11.2024 09:30 |
Valeo et ROHM Semiconductor s'associent pour développer la prochaine génération d'électronique de puissance |
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Paris/Düsseldorf, le 26 november 2024 – Valeo, entreprise technologique automobile, et ROHM Semiconductor, fabricant de premier plan de composants semi-conducteurs et d'électronique, s'associent pour proposer et optimiser la prochaine génération de modules de puissance pour les onduleurs de moteur électrique en combinant leurs expertises en matière de gestion de l'électronique de puissance. Dans un premier temps ROHM fournira à Valeo son module de puissance 2-en-1 en carbure de silicium (SiC) TRCDRIVE pack pour ses futures solutions de propulsion. |
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| 12.11.2024 14:00 |
Nouvelles diodes Schottky en SiC de ROHM pour systèmes xEV haute tension : avec une conception de boîtier unique pour une meilleure résistance d’isolement |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 12 novembre 2024 – ROHM a développé des diodes Schottky (SBD) en SiC à montage en surface qui améliorent la résistance d’isolement en augmentant la ligne de fuite entre les bornes. La gamme initiale comprend huit modèles – SCS2xxxNHR – pour les applications automobiles telles que les chargeurs embarqués (OBC), avec des plans de déploiement de huit modèles – SCS2xxxN – pour les équipements industriels tels que les appareils FA et les onduleurs PV en décembre 2024. |
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