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09.10.2025 09:00 |
ROHM ernennt Dr. -Ing. Christian Felgemacher zum Director Application Engineering |
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Willich, 9. Oktober 2025 – Die ROHM Semiconductor GmbH freut sich, die Berufung von Dr.-Ing. Christian Felgemacher zum Director Application Engineering bekanntzugeben. Seit dem 1. Oktober ist er damit sowohl für die operative Koordination der technischen Kundenberatung als auch für die strategische Ausrichtung der Application Engineering-Aktivitäten von ROHM in Europa verantwortlich. |
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30.09.2025 14:00 |
ROHM stellt neue intelligente Schalter optimiert für Zonensteuerungen vor |
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Willich-Münchheide, 30. September 2025 – ROHM hat mit der BV1HBxxxEFJ-Serie sechs neue High-Side-Smart-Switches (Intelligent Power Devices, kurz: IPDs) mit hochpräziser Strommessung und Einschaltwiderständen von 9 Milliohm bis 180 Milliohm entwickelt (BV1HB008EFJ-C, BV1HB012EFJ-C, BV1HB020EFJ-C, BV1HB040EFJ-C, BV1HB090EFJ-C, BV1HB180EFJ-C). Die neuen Schalter eignen sich insbesondere zum Schutz von Lasten und Subsystemen vor Anomalien wie Überstrom, Überspannung und Übertemperatur. Damit gewährleisten sie einen zuverlässigen Betrieb und schützen empfindliche Komponenten in der Automobilbeleuchtung und Karosseriesteuerung, wie z. B. Türschlösser und elektrische Fensterheber. Umfangreiche Diagnosefunktionen, wie etwa die Erkennung offener Lasten und Verpolung, erhöhen die Sicherheit und Zuverlässigkeit zusätzlich. |
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25.09.2025 09:00 |
Für mehr Kundenflexibilität: ROHM und Infineon kooperieren bei Gehäusen für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter |
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Kyoto, Japan und München, Deutschland, 25. September 2025 - ROHM Co., Ltd. und die Infineon Technologies AG haben eine Absichtserklärung (Memorandum of Understanding) zur Zusammenarbeit bei Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungshalbleiter-Gehäusen unterzeichnet, die in Anwendungen wie Onboard-Ladegeräten, Photovoltaik, Energiespeichersystemen und KI-Rechenzentren zum Einsatz kommen. Konkret beabsichtigen die Partner, wechselseitig als zweite Bezugsquelle („Second Source“) für Kunden zu fungieren, die ausgewählte Gehäuse für SiC-Leistungshalbleiter nutzen. Damit steigt die Flexibilität der Kunden bei Design und Beschaffung. Künftig können sie Bauteile mit kompatiblen Gehäusen sowohl von ROHM als auch von Infineon beziehen. Die Zusammenarbeit zwischen den beiden Unternehmen stellt eine nahtlose Kompatibilität je nach spezifischem Kundenbedarf sicher. |
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16.09.2025 14:00 |
ROHM präsentiert 2-in-1-SiC-Modul „DOT-247“ |
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Willich-Münchheide, 16. September 2025 – ROHM bietet mit dem „DOT-247“ ein 2-in-1-SiC-Modul (SCZ40xxDTx, SCZ40xxKTx) für industrielle Anwendungen wie PV-Wechselrichter, USV-Systeme und Halbleiterrelais. Das neue Modul bewahrt die Vielseitigkeit des weit verbreiteten „TO-247“-Gehäuses, gewährleistet jedoch gleichzeitig eine hohe Designflexibilität und Leistungsdichte. |
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09.09.2025 14:00 |
ROHM entwickelt ultrakompakten CMOS-Operationsverstärker mit branchenführend* niedrigem Betriebsstrom |
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Willich-Münchheide, 09. September 2025 – Der ultrakompakte CMOS-Operationsverstärker (Op-Amp) TLR1901GXZ von ROHM zeichnet sich durch eine Grundfläche von weniger als 1 mm x 1 mm und einen Betriebsstrom von nur 160 nA (typ.) aus. Der neue IC ist für den Einsatz als Messverstärker in Anwendungen mit begrenzten Platzverhältnissen wie Handmessgeräten, Wearables und Bewegungsmeldern für den Innenbereich optimiert. |
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04.09.2025 09:30 |
ROHMs SiC-MOSFETs treiben Schaefflers High Voltage Inverter Brick an: Serienproduktion gestartet |
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ROHM und Schaeffler, ein führender deutscher Automobilzulieferer, haben im Rahmen ihrer strategischen Partnerschaft mit der Serienproduktion eines neuen High Voltage Inverter Bricks begonnen, der mit SiC (Siliziumkarbid) MOSFET-Bare-Chips von ROHM ausgestattet ist. Der Inverter Brick ist für einen führenden chinesischen Automobilhersteller bestimmt. |
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