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15.01.2025 14:00 |
ROHM ofrece los dispositivos de oscilación y detección de ondas de terahercios más pequeños* de la industria |
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Willich-Münchheide, Alemania, 15 de enero de 2025 - ROHM ha empezado a ofrecer muestras de los dispositivos de oscilación y detección de ondas de terahercios (THz) más pequeños* de la industria, que utilizan elementos semiconductores conocidos como diodos de efecto túnel resonantes (RTD). Se prevé que las ondas de terahercios se apliquen a ensayos no destructivos, diagnóstico por imágenes y detección en los sectores médico y sanitario, así como a futuras tecnologías de comunicación ultrarrápida. El suministro de estos dispositivos contribuye al avance de las aplicaciones de las ondas de terahercios. |
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10.12.2024 14:00 |
ROHM y TSMC lanzan una colaboración estratégica en el ámbito de la tecnología de GaN para la industria del automóvil |
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Willich-Münchheide, Alemania, 10 de diciembre de 2024 – ROHM Co., Ltd. (ROHM) ha anunciado hoy que ROHM y TSMC han iniciado una asociación estratégica para el desarrollo y la producción en serie de dispositivos de potencia de Nitruro de Galio (GaN) para aplicaciones en vehículos eléctricos. |
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26.11.2024 09:30 |
Valeo y ROHM Semiconductor desarrollan conjuntamente la generación más avanzada de electrónica de potencia |
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París/Düsseldorf, 26 de noviembre de 2024 – Valeo, empresa líder en tecnología para automoción, y ROHM Semiconductor, uno de los principales fabricantes de semiconductores y electrónica, se han aliado para optimizar y presentar la más avanzada generación de módulos de potencia para inversores de motores eléctricos al combinar su experiencia en la gestión de la electrónica de potencia. Como primer paso, ROHM proporcionará su módulo moldeado 2 en 1 de carburo de silicio (SiC) TRCDRIVE pack a Valeo para futuras soluciones de powertrain. |
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12.11.2024 14:00 |
Nuevos diodos de barrera Schottky de SiC de ROHM para sistemas xEV de alta tensión: presentan un diseño de encapsulado exclusivo para una resistencia de aislamiento mejorada |
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Willich-Münchheide, Alemania, 12 de noviembre de 2024 - ROHM ha desarrollado diodos de barrera Schottky (SBD) de SiC para montaje superficial que mejoran la resistencia de aislamiento al aumentar la distancia creepage entre terminales. La gama inicial incluye ocho modelos —SCS2xxxNHR— para aplicaciones de automoción como cargadores de a bordo (OBC), y está previsto desplegar ocho modelos —SCS2xxxN— para equipos industriales como dispositivos de FA e inversores fotovoltaicos en diciembre de 2024. |
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07.11.2024 14:00 |
Los nuevos IGBT de 1200 V de ROHM consiguen unas características de baja pérdida líderes* en la industria con una alta tolerancia al cortocircuito |
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Willich-Münchheide, Alemania, 07 de noviembre de 2024 – ROHM ha desarrollado nuevos IGBT de 4.ª generación de 1200 V con calificación AEC-Q101 de calidad automotriz que combinan características de baja pérdida líderes en su categoría* con una alta resistencia al cortocircuito. Esto hace que los dispositivos sean ideales para compresores eléctricos de vehículos y calentadores de alta tensión, así como para inversores industriales. La gama actual incluye cuatro modelos —RGA80TRX2HR / RGA80TRX2EHR / RGA80TSX2HR / RGA80TSX2EHR— en dos tipos de encapsulado discreto (TO-247-4L and TO-247N), junto con 11 variantes de bare chip —SG84xxWN— con planes de ampliar la gama en el futuro. |
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10.10.2024 10:00 |
ROHM en electronica 2024: Potenciando el crecimiento e inspirando la innovación |
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[Willich/Múnich, Alemania, 10 de octubre de 2024 - ROHM Semiconductor Europe espera con gran interés la celebración de electronica 2024, la feria y conferencia líder mundial para componentes, sistemas, aplicaciones y soluciones electrónicas. El evento tendrá lugar entre el 12 y el 15 de noviembre en Múnich. |
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