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| 04.08.2026 14:00 |
El nuevo dispositivo de oscilación de ondas de terahercios de 2.ª generación de ROHM ofrece una potencia de salida cuatro veces superior |
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Willich-Münchheide, Alemania, 4 de agosto de 2026 – ROHM ha desarrollado un dispositivo de oscilación de ondas de terahercios (THz) de 2.ª generación que utiliza elementos semiconductores conocidos como diodos de túnel resonante (RTD, por sus siglas en inglés). ROHM pone a disposición este dispositivo a través del kit de evaluación de dispositivos de ondas de terahercios RTD-EVK-G2, que incluye un dispositivo de muestra, un cable y una placa de evaluación. Este kit permite a las empresas y a las instituciones de investigación evaluar la oscilación y la detección de ondas de THz en un entorno de desarrollo compacto. |
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| 30.07.2026 14:00 |
ROHM lanza «Engineer Social Hub»: los ingenieros asisten a otros ingenieros |
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Willich-Münchheide, Alemania, 30 de julio de 2026 – ROHM Co., Ltd. anuncia el lanzamiento de la versión en inglés de Engineer Social Hub, una plataforma en línea diseñada para facilitar a los ingenieros el acceso a la información técnica, los conocimientos prácticos y la asistencia de ROHM. Engineer Social Hub reúne en una sola plataforma los contenidos técnicos de ROHM relacionados con productos y soluciones de semiconductores. A través de las preguntas frecuentes y los foros de debate específicos para cada producto, así como de un chatbot, los usuarios pueden buscar soluciones a sus dudas técnicas y obtener asistencia directa de los ingenieros de ROHM. |
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| 22.07.2026 14:00 |
Nueva placa de evaluación DC-DC Buck-Boost para montaje ultracompacto |
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Willich-Münchheide, Alemania, 22 de julio de 2026 – ROHM ha desarrollado una nueva placa de evaluación, la BD83070GWL-EVK-002. Está diseñada para mostrar plenamente las características del circuito integrado de convertidor DC-DC BD83070GWL, que combina una alta eficiencia con un consumo de corriente ultrabajo. |
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| 09.07.2026 14:00 |
ROHM lanza al mercado los MOSFET de super-junction de 600 V en encapsulado de montaje superficial con un alto rendimiento térmico |
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Willich-Münchheide, Alemania, 09 de julio de 2026 – ROHM ha desarrollado una nueva gama de MOSFET de superconexión de 600 V, las series R60xxXNx y R60xxWNx. |
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| 17.06.2026 14:00 |
ROHM lanza los MOSFET de la serie AG16xFNxx para sistemas de alimentación eléctrica de 48 V para automoción |
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Willich-Münchheide, Alemania, 17 de junio de 2026 - ROHM ha desarrollado la «serie AG16xFNxx», una gama de MOSFET de potencia de 80 V diseñada para sistemas de alimentación eléctrica de 48 V, cada vez más comunes en aplicaciones de automoción. |
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| 09.06.2026 09:00 |
ROHM lanza un nuevo encapsulado con refrigeración por la parte superior para MOSFET de SiC, que combina alta disipación de calor con compatibilidad para alta tensión |
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Willich-Münchheide, Alemania, 09 de junio de 2026 - ROHM ha desarrollado el encapsulado TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) para MOSFET de SiC. Al adoptar una estructura de disipación de calor por la parte superior que coloca la superficie de disipación de calor en el lado superior del encapsulado, el nuevo producto permite un montaje automatizado al tiempo que logra un rendimiento de disipación de calor comparable al de los encapsulados convencionales con orificios pasantes (TO-247-4L). Esto contribuye a una mayor eficiencia y fiabilidad en los circuitos de conversión de potencia para cargadores a bordo (OBC) y compresores eléctricos utilizados en los xEV (vehículos eléctricos). |
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