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14.03.2024 14:00 ROHM ha desarrollado LDO primarios para automoción: aprovechando la tecnología QuiCur™ original para lograr unas características de respuesta de carga líderes en la industria*
Willich-Münchheide, Alemania, 14 de marzo de 2024 – ROHM ha desarrollado reguladores LDO primarios con corriente de salida 500 mA y clasificación de 45 V: BD9xxM5-C (BD933M5EFJ-C / BD950M5EFJ-C / BD900M5EFJ-C / BD933M5WEFJ-C / BD950M5WEFJ-C / BD900M5WEFJ-C). Estos dispositivos son adecuados para el suministro de energía a componentes electrónicos del sector de la automoción, como las ECU, que funcionan con las baterías de los vehículos.
15.02.2024 14:00 Nuevos SBD de ROHM: logran un tiempo de recuperación inversa líder en su categoría* con una tensión de ruptura de 100 V al adoptar una estructura Trench-MOS que mejora significativamente la compensación VF-IR
Willich-Münchheide, Alemania, 15 de febrero de 2024 – ROHM ha desarrollado diodos de barrera Schottky (SBD) de 100 V que ofrecen un tiempo de recuperación inversa (trr) líder en la industria para circuitos de alimentación eléctrica y protección en aplicaciones de consumo, industria y automoción.
07.02.2024 14:00 Nuevo amplificador operacional de deriva cero de ROHM con alta precisión independientemente de los cambios de temperatura
Willich-Münchheide, Alemania, 07 de febrero de 2024 – ROHM ha desarrollado un amplificador operacional de deriva cero: el LMR1002F-LB. Está diseñado para dispositivos electrónicos industriales y de consumo y reduce al mínimo tanto la tensión de equilibrio de entrada como la deriva de temperatura de la tensión de equilibrio de entrada. Capaz de amplificar de forma precisa las señales de salida de los sensores instalados en diferentes dispositivos de medición, este nuevo amplificador operacional es ideal para aplicaciones de detección de corriente como en inversores de control de energía y detectores de temperatura/presiones/flujo/gas.
24.01.2024 14:00 Los MOSFET compactos SOT-223-3 de 600 V de ROHM contribuyen a lograr diseños más pequeños y de perfil más bajo para fuentes de alimentación en iluminación, bombas y motores
Willich-Münchheide, Alemania, 24 de enero de 2024 – ROHM ha añadido una gama de MOSFET de superconexión de 600 V compactos: los R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4. Estos dispositivos son ideales para pequeñas fuentes de alimentación en iluminación, bombas y motores.
06.12.2023 14:00 ROHM ofrece la mayor* librería de modelos LTspice® de la industria, con más de 3500, al añadir SiC e IGBT
Willich-Münchheide, Alemania, 06 de diciembre de 2023 – ROHM ha ampliado la librería de la gama de modelos SPICE para LTspice de su simulador de circuitos. LTspice también está equipado con funciones de captura de diagramas de circuitos y visor de formas de onda que permiten a los diseñadores comprobar y verificar por adelantado si se ha logrado el funcionamiento del circuito según lo especificado en el diseño. Además de la gama existente de transistores bipolares, diodos y MOSFET, ROHM ha añadido dispositivos de potencia de SiC e IGBT que aumentan su número de modelos LTspice a más de 3500 para productos discretos (que pueden descargarse desde las páginas de producto). Esto permite que la cobertura de los modelos LTspice en el sitio web de ROHM supere el 80 % de todos los productos, lo que proporciona una mayor comodidad a los diseñadores al utilizar simuladores de circuitos que incorporan productos discretos, entre los que ahora se incluyen los dispositivos de potencia.
08.11.2023 14:00 Nuevo CI de gate driver de muy alta velocidad de ROHM: maximice el rendimiento de los dispositivos de GaN
Willich-Münchheide, Alemania, 08 de noviembre de 2023 – ROHM ha desarrollado un CI de gate driver: el BD2311NVX-LB. Está optimizado para dispositivos de GaN y alcanza velocidades de accionamiento de compuerta del orden de nanosegundos (ns), lo que resulta ideal para la conmutación GaN de alta velocidad. Esto ha sido posible gracias a un profundo conocimiento de la tecnología de GaN y a la búsqueda continua en la mejora del rendimiento de los gate drivers. El resultado: una conmutación rápida con una anchura de impulsos de entrada de compuerta mínima de 1,25 ns que contribuye a lograr aplicaciones más pequeñas, más eficientes energéticamente y de mayor rendimiento.
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