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| 16.09.2025 14:00 |
ROHM lanza el módulo moldeado de SiC 2 en 1 «DOT-247» |
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Willich-Münchheide, Alemania, 16 de septiembre de 2025 – ROHM ha desarrollado el «DOT-247», un módulo moldeado de SiC 2 en 1 (SCZ40xxDTx, SCZ40xxKTx), ideal para aplicaciones industriales como inversores fotovoltaicos, sistemas SAI y relés semiconductores. El módulo conserva la versatilidad del encapsulado ampliamente adoptado «TO-247», al tiempo que consigue una gran flexibilidad de diseño y densidad de potencia. |
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| 09.09.2025 14:00 |
ROHM ha desarrollado un amplificador operacional CMOS ultracompacto: proporciona una corriente de circuito ultrabaja líder en la industria* |
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Willich-Münchheide, Alemania, 09 de septiembre de 2025 El amplificador operacional (op amp) CMOS ultracompacto de ROHM TLR1901GXZ proporciona la corriente de circuito de funcionamiento más baja de la industria. Este circuito integrado está optimizado para su aplicación como amplificador de detección de medidas en aplicaciones con limitaciones de tamaño, como instrumentos de medición portátiles, dispositivos ponibles y detectores de movimiento en interiores. |
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| 04.09.2025 09:30 |
Los MOSFET de SiC de ROHM se adoptan en Inverter Brick de Schaeffler: inicio de la producción en serie |
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ROHM y Schaeffler, un proveedor alemán líder en el sector de la automoción, han iniciado la producción en serie de un nuevo high voltage inverter brick equipado con chips MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ROHM, como parte de su alianza estratégica. El inverter brick está destinado a un importante fabricante chino de automóviles. |
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| 10.07.2025 14:00 |
ROHM lanza nuevos modelos SPICE de Nivel 3 con velocidad de simulación mejorada |
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Willich-Münchheide, Alemania, 10 de julio de 2025 ROHM ha anunciado el lanzamiento de nuevos modelos SPICE de Nivel 3 (L3) que ofrecen una convergencia significativamente mejorada y un rendimiento de simulación más rápido. |
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| 25.06.2025 14:00 |
ROHM presenta un CI de controlador de puerta aislado para dispositivos GaN de alto voltaje |
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Willich-Münchheide, Alemania, 25 de junio de 2025 – Con el BM6GD11BFJ-LB, ROHM ha desarrollado un circuito integrado controlador de puerta aislada especialmente optimizado para el funcionamiento de HEMT HV-GaN. En combinación con componentes de GaN, este driver permite un funcionamiento estable en condiciones de alta frecuencia y conmutación rápida, contribuyendo así a una mayor miniaturización y eficiencia en aplicaciones de alta corriente, como motores y fuentes de alimentación para servidores. |
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| 28.04.2025 09:45 |
Módulo de Semikron Danfoss con los últimos MOSFET de SiC de 2 kV de ROHM integrados en el sistema solar a gran escala de SMA |
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SMA Solar Technology AG, especialista líder mundial en tecnología de sistemas fotovoltaicos y de almacenamiento de energía, ha adoptado el módulo de Semikron Danfoss con los últimos MOSFET de SiC de 2 kV de ROHM integrados en su nuevo sistema solar a gran escala «Sunny Central FLEX», una plataforma modular diseñada para agilizar y mejorar las conexiones de red de instalaciones fotovoltaicas a gran escala, sistemas de almacenamiento en baterías y tecnologías emergentes. |
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