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| 04.08.2026 14:00 |
Le nouvel appareil d’oscillation d’ondes térahertz de 2e génération de ROHM se distingue par une puissance de sortie 4 fois plus élevée |
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Willich-Münchheide, 4. Août 2026 – ROHM a mis au point un appareil d’oscillation d’ondes térahertz (THz) de 2e génération fonctionnant avec des composants semiconducteurs appelés « diodes à effet tunnel résonnant » (Resonant Tunneling Diodes ou RTD). ROHM propose cet appareil à travers le kit d’évaluation d’appareil à ondes térahertz RTD-EVK-G2, qui contient un échantillon de l’appareil, un câble et une carte d’évaluation. Ce kit permet aux entreprises et aux instituts de recherche d’évaluer l’oscillation et la détection d’ondes THz dans un environnement de développement compact. |
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| 30.07.2026 14:00 |
ROHM lance « Engineer Social Hub » : des ingénieurs au service d’autres ingénieurs |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 30 juillet 2026 – ROHM Co., Ltd. annonce le lancement de la version en anglais d’Engineer Social Hub, une plateforme en ligne visant à faciliter l’accès des ingénieurs aux informations techniques, à l’expertise et à l’assistance de ROHM. Engineer Social Hub rassemble l’ensemble des ressources techniques de ROHM relatives à ses produits et solutions de semiconducteurs. Grâce à des FAQ et à des discussions spécifiques à chaque produit, ainsi qu’à un agent conversationnel, les utilisateurs peuvent rechercher des solutions à leurs questions techniques et recevoir une assistance immédiate de la part des ingénieurs de ROHM.
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| 22.07.2026 14:00 |
Nouvelle carte d'évaluation DC-DC Buck-Boost pour une configuration ultra-compacte |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 22 juillet 2026 – ROHM a mis au point une nouvelle carte d’évaluation, la BD83070GWL-EVK-002. Elle est conçue pour démontrer de manière optimale les fonctionnalités du circuit intégré de convertisseur DC-DC BD83070GWL, qui combine un rendement élevé et une basse consommation d’énergie. |
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| 09.07.2026 14:00 |
ROHM introduit des MOSFET à super-jonction de 600V en boîtier à montage en surface, qui se distinguent par leurs excellentes performances thermiques |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 09 juillet 2026 – ROHM a développé une nouvelle gamme de MOSFET à super-jonction de 600V, les séries R60xxXNx et R60xxWNx. |
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| 17.06.2026 14:00 |
ROHM lance les MOSFET de la série AG16xFNxx, conçus pour les systèmes d’alimentation 48V des automobiles |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 17 juin 2026 – ROHM a développé la « série AG16xFNxx », une gamme de MOSFET de puissance 80V conçus pour les systèmes d’alimentation 48V, qui gagnent en popularité dans les applications automobiles. |
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| 09.06.2026 09:00 |
ROHM lance un nouveau boîtier à refroidissement par le haut pour les MOSFET SiC, combinant une dissipation thermique élevée à une prise en charge de la haute tension |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 09 juin 2026 – ROHM a développé le boîtier TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50mm) pour les MOSFET SiC. Le nouveau produit adopte une structure de dissipation de la chaleur par le haut qui place la surface de dissipation de la chaleur sur le dessus du boîtier. Grâce à cette architecture, il permet un assemblage automatisé, tout en offrant des capacités de dissipation thermique similaires à celles des boîtiers à trous traversants conventionnels (TO-247-4L). Cela permet d’améliorer l’efficacité et la fiabilité des circuits de conversion d’énergie pour les chargeurs embarqués (OBC) et les compresseurs électriques utilisés dans les xEV (véhicules électriques). |
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