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| 04.08.2026 14:00 |
Il nuovo dispositivo di generazione di onde terahertz di seconda generazione di ROHM eroga una potenza di uscita quattro volte superiore |
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Willich-Münchheide, Germania, agosto 4, 2026 – ROHM ha sviluppato un dispositivo di generazione di onde terahertz (THz) di seconda generazione che utilizza elementi semiconduttori noti come diodi a tunnel risonante (RTD). ROHM mette a disposizione il dispositivo tramite il kit di valutazione RTD-EVK-G2 per dispositivi a onde terahertz, che comprende un dispositivo campione, un cavo e un'evaluation board. Il kit consente alle aziende e agli istituti di ricerca di valutare l'oscillazione e il rilevamento delle onde THz in un ambiente di sviluppo compatto. |
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| 30.07.2026 14:00 |
ROHM lancia il forum di assistenza tecnica "Engineer Social Hub", in cui ingegneri prestano la loro assistenza ad altri ingegneri |
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Willich-Münchheide, Germania, 30 luglio 2026 – ROHM Co., Ltd. annuncia il lancio della versione in lingua inglese dell'Engineer Social Hub, una piattaforma online progettata per rendere più accessibili agli ingegneri le informazioni tecniche, il know-how e l'assistenza offerti da ROHM. L'Engineer Social Hub riunisce in un unico luogo i contenuti tecnici di ROHM relativi ai prodotti e alle soluzioni nel settore dei semiconduttori. Grazie alle FAQ specifiche per ciascun prodotto, alle discussioni e a un chatbot, gli utenti possono cercare soluzioni a domande di natura tecnica e ottenere assistenza diretta dagli ingegneri di ROHM. |
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| 22.07.2026 14:00 |
Nuova evaluation board DC-DC buck-boost per montaggio ultracompatto |
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Willich-Münchheide, Germania, 22 luglio 2026 – ROHM ha sviluppato una nuova evaluation board, la BD83070GWL-EVK-002. È stata progettata per illustrare in modo esaustivo le caratteristiche del modello BD83070GWL di circuito integrato per convertitori DC-DC, che combina un'elevata efficienza con un consumo di corrente estremamente basso. |
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| 09.07.2026 14:00 |
ROHM lancia i MOSFET Super Junction da 600 V in package per montaggio superficiale dalle elevate prestazioni termiche |
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Willich-Münchheide, Germania, 09 luglio 2026 – ROHM ha sviluppato una nuova line-up di MOSFET Super Junction da 600 V, vale a dire le serie R60xxXNx e R60xxWNx. |
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| 17.06.2026 14:00 |
ROHM lancia i MOSFET della serie AG16xFNxx per i sistemi di alimentazione a 48 V destinati al settore automotive |
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Willich-Münchheide, Germania, 17 giugno 2026 – ROHM ha sviluppato la "Serie AG16xFNxx", una line-up di MOSFET di potenza da 80 V progettati per sistemi di alimentazione a 48 V, sempre più diffusi nelle applicazioni del settore automotive. |
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| 09.06.2026 09:00 |
ROHM lancia il nuovo package con raffreddamento top-side per MOSFET SiC, che combina un'elevata dissipazione del calore con supporto per alta tensione |
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Willich-Münchheide, Germania, 09 giugno 2026 – ROHM ha sviluppato il package TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) per MOSFET SiC. Grazie all'adozione di una struttura di dissipazione del calore top-side, che colloca la superficie di dissipazione del calore sulla parte superiore del package, il nuovo prodotto consente il montaggio automatizzato, ottenendo al contempo prestazioni di dissipazione del calore paragonabili a quelle dei tradizionali package through-hole (TO-247-4L). Ciò contribuisce ad aumentare l'efficienza e l'affidabilità dei circuiti di conversione di potenza per i caricabatterie di bordo (OBC) e dei compressori elettrici utilizzati negli xEV (veicoli elettrici). |
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