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| 16.09.2025 14:00 |
ROHM lancia il modulo SiC 2-in-1 "DOT-247" |
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Willich-Münchheide, Germania, 16 settembre 2025 – ROHM ha sviluppato il nuovo "DOT-247", un modulo SiC 2-in-1 (SCZ40xxDTx, SCZ40xxKTx), ideale per applicazioni industriali come inverter fotovoltaici, sistemi UPS e relè a semiconduttore. Pur mantenendo la versatilità del package "TO-247", ampiamente diffuso, il modulo raggiunge flessibilità di progettazione e densità di potenza molto pù elevate. |
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| 09.09.2025 14:00 |
ROHM ha sviluppato un amplificatore operazionale CMOS ultracompatto, in grado di fornire la corrente di circuito più bassa del settore* |
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Willich-Münchheide, Germania, 09 settembre 2025 – L'amplificatore operazionale CMOS (op amp) ultracompatto di ROHM TLR1901GXZ raggiunge la corrente di esercizio del circuito più bassa del settore. Questo circuito integrato è ottimizzato per essere applicato come amplificatore di misura in applicazioni con limiti di spazio, quali strumenti di misura portatili, dispositivi indossabili e rilevatori di movimento per interni. |
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| 04.09.2025 09:30 |
I MOSFET SiC di ROHM adottati nell'inverter Brick di Schaeffler: avviata la produzione in serie |
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ROHM e Schaeffler, fornitore tedesco leader nel settore automobilistico, hanno avviato la produzione in serie di un nuovo inverter brick ad alta tensione che monta i SiC (carburo di silicio) MOSFET in chip di ROHM nell'ambito della loro partnership strategica. L'inverter brick è destinato a un importante produttore automobilistico cinese. |
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| 10.07.2025 14:00 |
ROHM lancia nuovi modelli SPICE di livello 3 che presentano una velocità di simulazione migliorata |
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Willich-Münchheide, Germania, 10 luglio 2025 – ROHM ha annunciato il lancio di nuovi modelli SPICE di livello 3 (L3) che forniscono una convergenza decisamente migliorata e una performance di simulazione più rapida. |
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| 25.06.2025 14:00 |
ROHM presenta un GATE DRIVER isolato per dispositivi GaN ad alta tensione |
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Willich-Münchheide, Germania, 25 giugno 2025 – Con il BM6GD11BFJ-LB, ROHM ha sviluppato un gate driver isolato, appositamente ottimizzato per il funzionamento degli HEMT HV-GaN. In combinazione con i componenti GaN, questo driver consente un funzionamento stabile in condizioni di commutazione rapida e ad alta frequenza, contribuendo così a una maggiore miniaturizzazione ed efficienza in applicazioni ad alta corrente come motori e alimentatori per server. |
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| 28.04.2025 09:45 |
Modulo Semikron Danfoss con i più recenti MOSFET SiC da 2 kV di ROHM integrati in un impianto fotovoltaico large scale di SMA |
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SMA Solar Technology AG, azienda leader a livello mondiale nella tecnologia per impianti fotovoltaici e di accumulo, adotta il modulo Semikron Danfoss con i più recenti MOSFET SiC da 2 kV di ROHM all'interno del suo nuovo "Sunny Central FLEX" per impianti fotovoltaici large scale, una piattaforma modulare progettata per semplificare e migliorare le connessioni alla rete di impianti fotovoltaici su larga scala, sistemi di accumulo a batteria e tecnologie emergenti.
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