| 27.02.2025 14:00 |
ROHM präsentiert 650-V-GaN-HEMT im kompakten TOLL-Gehäuse mit hoher Wärmeableitung |
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Willich-Münchheide, 27. Februar 2025 – ROHM hat mit dem GNP2070TD-Z einen 650-V-GaN-HEMT im TOLL-Gehäuse (TO-LeadLess) entwickelt. Dieses Gehäuse zeichnet sich durch ein kompaktes Design mit hervorragender Wärmeableitung, hoher Stromkapazität und überlegener Schaltleistung aus. Es wird zunehmend in Anwendungen eingesetzt, die eine hohe Leistungsaufnahme erfordern, insbesondere in Industrieanlagen und Automobilsystemen. Für die Markteinführung wurde die Gehäusefertigung an ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD. (im Folgenden ATX) ausgelagert, einem erfahrenen OSAT-Anbieter (Outsourced Semiconductor Assembly and Test). |
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| 19.02.2025 14:00 |
ROHMs neue TVS-Dioden unterstützen CAN-FD-Hochgeschwindigkeitskommunikation für autonome Fahrzeuge |
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Willich-Münchheide, 19. Februar 2025 – Für die Hochgeschwindigkeits-kommunikation in Fahrzeugen hat ROHM bidirektionale TVS-Dioden (ESD-Schutz) entwickelt, die CAN-FD-kompatibel (CAN mit flexibler Datenrate) sind. Die Nachfrage nach solchen Protokollen steigt mit der fortschreitenden Entwicklung des autonomen Fahrens und fortschrittlicher Fahrerassistenzsysteme (ADAS). CAN FD ist eine zentrale Kommunikationstechnologie für die sichere Echtzeit-Datenübertragung zwischen Kfz-Steuergeräten (ECUs). Die neuen Produkte sorgen für eine hochwertige Übertragung in Fahrzeugen, indem sie elektronische Komponenten wie Steuergeräte vor Überspannungen und elektrostatischen Entladungen (ESD) schützen. Gleichzeitig bewahren sie die Signalintegrität in Hochgeschwindigkeits-Kommunikationssystemen wie CAN FD. |
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| 12.02.2025 14:00 |
ROHMs neue Universal-Chipwiderstände ermöglichen weitere Miniaturisierung |
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Willich-Münchheide, 12. Februar 2025 – ROHM hat sein Portfolio an universellen Chipwiderständen um die MCRx-Familie erweitert. Diese wurde entwickelt, um eine weitere Miniaturisierung und Leistungssteigerung in einer Vielzahl von Anwendungen zu ermöglichen. Die neue Produktreihe umfasst die Hochleistungsserie MCRS sowie die niederohmige Hochleistungsserie MCRL. |
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| 15.01.2025 14:00 |
ROHM bietet die branchenweit kleinsten* Terahertz-Oszillatoren und -Detektoren |
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Willich-Münchheide, 15. Januar 2025 – ROHM bietet Muster der branchenweit kleinsten* Terahertz (THz)-Oszillatoren und -Detektoren an, die auf Halbleiterelementen, so genannten Resonanz-Tunnel-Dioden (RTDs), basieren. Terahertz-Wellen werden in der zerstörungsfreien Prüfung, der Bildgebung und der Sensorik in der Medizin und im Gesundheitswesen sowie möglicherweise in künftigen ultraschnellen Kommunikations-technologien eingesetzt. Die Verfügbarkeit dieser Bauelemente trägt zur Weiterentwicklung von Anwendungen im Terahertz-Bereich bei. |
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| 10.12.2024 14:00 |
ROHM und TSMC: Strategische Zusammenarbeit im Bereich Galliumnitrid-Technologie für die Automobilindustrie |
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Willich-Münchheide, 10. Dezember2024 – ROHM Co., Ltd. (ROHM) und TSMC sind eine strategische Partnerschaft zur Entwicklung und Serienproduktion von Galliumnitrid (GaN)-Leistungsbauelementen für den Einsatz in Elektrofahrzeugen eingegangen. |
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| 26.11.2024 09:30 |
Valeo & ROHM Semiconductor entwickeln gemeinsam die nächste Generation der Leistungselektronik |
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Paris/Düsseldorf, 26. November 2024 – Valeo, ein führendes Unternehmen der Automobiltechnologie, und ROHM Semiconductor, ein führender Hersteller von Halbleitern und elektronischen Komponenten, bündeln ihre Kompetenzen im Bereich der Leistungselektronik und arbeiten gemeinsam an der Optimierung und Entwicklung der nächsten Generation von Leistungsmodulen für Elektromotor-Wechselrichter. In einem ersten Schritt wird ROHM sein 2-in-1-Siliziumkarbid (SiC)-Modul TRCDRIVE pack für zukünftige Antriebsstranglösungen an Valeo liefern. |
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