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| 14.12.2021 14:00 |
ROHM-Gruppe eröffnet neue Produktionsstätte in Malaysia: Produktionskapazität analoger LSIs und Transistoren steigern |
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Kelantan, Kyoto, Okayama, 14. Dezember 2021 – ROHM CO., LTD. und ROHM Wako CO., LTD. erweitern ihr Tochterunternehmen – ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd. (RWEM) – um eine neue Produktionsstätte. Das Ziel: die Produktionskapazität für analoge LSIs und Transistoren steigern und so der wachsenden Nachfrage gerecht werden. |
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| 09.12.2021 14:00 |
ROHM bietet 13,56-MHz-Chipsatz für die kabellose Stromversorgung mit bis zu 1 W |
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Willich-Münchheide, 09. Dezember 2021 – Für das kabellose Laden von kompakten tragbaren Geräten sowie von intelligenten, miniaturisierten Industrieanwendungen hat LAPIS Technology, ein Unternehmen der ROHM-Gruppe, einen Chipsatz mit einer Leistung von bis zu einem Watt entwickelt. Das kompakte Design bestehend aus dem Sender-IC ML7661 und dem Empfänger-Baustein ML7660 enthält einen Steuerschaltkreis für das Senden und Empfangen. Es benötigt deshalb keinen externen Mikrocontroller. Der neue Chipsatz ist die branchenweit kleinste Lösung in der 1-W-Klasse. Er eignet sich ideal für Wearables mit großer Akkukapazität, die über lange Zeiträume getragen werden sollen. Typische Anwendungen sind Blutdruckmessgeräte, Fitness-Tracker, intelligente Uhren und Hörgeräte. Durch die hohe Bandbreite von 13,56 MHz unterstützt er auch die Nahfeldkommunikation (NFC). |
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| 07.12.2021 14:00 |
Update: ROHM Solution Simulator mit neuer Funktion zur thermischen Analyse |
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Willich-Münchheide, 07. Dezember 2021 – ROHM hat kürzlich eine neue Funktion zur thermischen Analyse in den ROHM Solution Simulator integriert. Damit können Entwickler von elektronischen Schaltungen und Systemen im Automobil- und Industriebereich thermische Probleme von Leistungsbauelementen und Treiber-ICs auf verschiedenen Lösungsschaltungen verifizieren. |
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| 30.11.2021 14:00 |
ROHMs neue Dickschicht-Shunt-Widerstände liefern branchenweit höchste Nennleistung von 4 W |
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LTR100L-Serie unterstützt höhere Leistung in Verbraucher- und Industrieanwendungen
Willich-Münchheide, 30. November 2021 – ROHM kündigt mit der LTR100L-Serie optimierte Dickschicht-Shunt-Widerstände für Industrie- und Verbraucheranwendungen an. Die neuen Produkte verfügen über ein breites Anschlussgehäuse mit hoher Wärmeableitung. Durch Optimierung der Widerstandsmaterialien und Reduzierung der Klemmentemperatur bietet die LTR100L-Serie in der Baugröße 3264 (3,2 mm × 6,4 mm) / 1225 (0,12 Zoll × 0,25 Zoll) eine hohe Nennleistung von 4 W. Das ist etwa doppelt so viel wie bei herkömmlichen Produkten gleicher Baugröße. Die Shunt-Widerstände haben aufgrund der optimierten Elementstruktur hervorragende TCR-Eigenschaften von weniger als 300 ppm/°C (bei 10-mΩ-Widerstandswerten) innerhalb des Betriebstemperatur-bereichs von –65 °C und +155 °C. Widerstandsänderungen aufgrund von Temperaturschwankungen werden dadurch im Vergleich zu Standardprodukten um 50 % bis 65 % reduziert, was eine hochpräzise Stromerfassung ermöglicht und die Zuverlässigkeit der Anwendung verbessert. All diese Eigenschaften machen die LTR100L-Serie zur idealen Lösung für Motorsteuerungs- und Überstrom-schutzschaltungen, bei denen eine höhere Leistung erforderlich ist. |
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| 18.11.2021 14:00 |
Kooperation mit UAES: ROHM als bevorzugter Lieferant von SiC-Lösungen anerkannt |
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Willich-Münchheide, 18. November 2021 – ROHM wurde kürzlich von United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. (UAES) – einem chinesischen Tier-1-Automobil-hersteller – als bevorzugter Lieferant von SiC-Lösungen zertifiziert. |
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| 16.11.2021 14:00 |
ROHM kündigt Batterielade-IC für Low-Voltage-Akkumulatoren an |
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Willich-Münchheide, 16. November 2021 – ROHM kündigt mit dem BD71631QWZ einen Batterielade-IC an, der das Aufladen von akkubetriebenen Wearables wie kabellosen Ohrhörern und flachen, kompakten IoT-Geräten wie intelligenten Displays mit niedriger Spannung ermöglicht. Der neue IC im UMMP10LZ1824-Gehäuse kann mit Versorgungsspannungen von 2,9 V bis 5,5 V betrieben werden. Er zeichnet sich durch eine niedrige Ladespannung von 2,0 V bis 4,7 V sowie durch Ladeströme von 1 mA bis maximal 300 mA aus. Der Betriebstemperaturbereich beträgt –30 °C bis +105 °C. |
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