Presse-Informationen 37 bis 42 von 1693
07.11.2024 14:05 Infineon und Stellantis treiben gemeinsam Innovationen in der Energieumwandlung und -verteilung für die nächste Generation von Fahrzeugarchitekturen voran
Amsterdam, Niederlande und München – 7. November 2024 – Stellantis N.V. und die Infineon Technologies AG werden gemeinsam an der Stromversorgungsarchitektur für Elektrofahrzeuge von Stellantis arbeiten. Das gaben beide Unternehmen heute bekannt. Damit soll das Ziel von Stellantis unterstützt werden, eine saubere, sichere und erschwingliche Mobilität für alle zu ermöglichen. Zu diesem Zweck haben die Unternehmen wichtige Liefer- und Kapazitätsvereinbarungen unterzeichnet, die die Grundlage für die geplante Zusammenarbeit bei der Entwicklung der nächsten Generation von Stromversorgungsarchitekturen bilden.
06.11.2024 11:15 Neuer Hochleistungs-Mikrocontroller: Infineon präsentiert AURIX™ TC4Dx
München, 6. November 2024 – Die Infineon Technologies AG präsentiert den neuen AURIX™ TC4Dx Mikrocontroller (MCU), das erste Mitglied der neuesten AURIX TC4x-Produktfamilie. Der AURIX TC4Dx basiert auf der 28nm-Technologie und bietet eine gesteigerte Leistung und Hochgeschwindigkeits-Konnektivität. Er kombiniert Energie- und Leistungsverbesserungen mit den neuesten Trends in den Bereichen Virtualisierung, künstliche Intelligenz (KI), funktionale Sicherheit, Cybersecurity und Netzwerkfunktionen und ebnet den Weg für neue Elektrik/Elektronik-Architekturen (E/E) sowie die nächste Generation von softwaredefinierten Fahrzeugen (SDV). MCUs wie der AURIX TC4Dx sind von zentraler Bedeutung für die Steuerung und Überwachung einer Vielzahl von Systemen im Automobil wie beispielsweise Fahrzeugbewegungssteuerung, Fahrerassistenzsysteme und Fahrwerk.
04.11.2024 14:15 Neue Generation diskreter GaN-Leistungshalbleiter liefert besonders hohe Effizienz und Leistungsdichte
München, 4. November 2024 – Die Infineon Technologies AG bringt mit den CoolGaN™-Transistoren 650 V G5 eine neue Familie von diskreten Hochvolt-Leistungshalbleitern auf den Markt. Damit baut das Unternehmen sein Galliumnitrid (GaN)-Portfolio weiter aus. Die Zielanwendungen für die neue Produktfamilie reichen von Schaltnetzteilen (Switched-Mode Power Supply; SMPS) für Unterhaltungselektronik und Industrie-Anwendungen, wie USB-C-Adapter und -Ladegeräte, Beleuchtung, Fernseher, Schaltnetzteile für Rechenzentren und Telekommunikationsanlagen, bis zur Gewinnung von erneuerbaren Energien und Motorantrieben in Haushaltsgeräten.
31.10.2024 10:15 Infineon präsentiert neuen ASIL-D-konformen dreiphasigen Gate-Treiber-IC für Fahrzeugbrems- und Lenksysteme
München, 31. Oktober 2024 – Die Infineon Technologies AG bringt mit dem MOTIX™ TLE9189 einen neuen Gate-Treiber-IC für sicherheitskritische Anwendungen für bürstenlose 12-V-Gleichstrommotoren (BLDC) auf den Markt. Mit dem neuen dreiphasigen Gate-Treiber-IC reagiert Infineon auf die steigende Nachfrage nach Motorsteuerungs-ICs, die für By-Wire-Lösungen benötigt werden. Der Treiber-IC ist gemäß AEC Q100 Grade 0 und ISO 26262 (ASIL D) qualifiziert. Damit eignet sich das Bauteil besonders für Brake-by-Wire- und Steer-by-Wire-Systeme, bei denen konventionelle mechanische Verbindungen in Zukunft wegfallen werden.
30.10.2024 10:00 Infineon präsentiert mit DEEPCRAFT™ die neue Marke für Edge-KI-Softwarelösungen und veröffentlicht neue Ready Models
München – 30. Oktober 2024 – Edge-KI kommt in immer mehr Verbraucher- und Industrieanwendungen zum Einsatz. Die Infineon Technologies AG baut deswegen ihr KI-Softwareportfolio unter einer neuen Marke weiter aus. Die Marke DEEPCRAFT™ vereint künftig alle Softwarelösungen im Bereich Edge-KI und maschinelles Lernen unter einem Dach. Infineon würdigt damit das enorme Marktpotenzial von Edge AI und die Bedeutung, Kunden mit den richtigen Werkzeugen auszustatten, damit sie das volle Potenzial von Edge AI nutzen können.
29.10.2024 10:00 Infineon stellt dünnsten Silizium-Power-Wafer der Welt vor – Technologischer Meilenstein für mehr Energieeffizienz
München, Deutschland – 29. Oktober 2024 – Nach der Ankündigung der weltweit ersten 300-Millimeter-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für Leistungselektronik und der Eröffnung der weltweit größten 200-Millimeter-„Siliziumcarbid (SiC) Power Fab“  in Kulim, Malaysia, hat die Infineon Technologies AG jetzt den nächsten Meilenstein in der Halbleitertechnologie erreicht. Mit einer Dicke von nur 20 Mikrometern hat Infineon einen Durchbruch in Herstellung und Verarbeitung der dünnsten Silizium (Si)-Leistungshalbleiter-Wafer erzielt, die jemals in einer hochskalierten Halbleiterfabrik hergestellt wurden. Die Silizium-Dünnwafer sind nur ein Viertel so dick wie ein menschliches Haar und halb so dick wie die aktuell fortschrittlichsten Wafer.
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