Presse-Informationen 43 bis 48 von 1565
24.11.2023 14:15 ETAS und Infineon erhalten NIST CAVP-Zertifizierung für ESCRYPT CycurHSM auf AURIX-Mikrocontrollern
München und Stuttgart – 24. November 2023 – Die ETAS GmbH, ein führender Lösungsanbieter für Software Defined Vehicles (SDV), und die Infineon Technologies AG haben ihre kryptografische Algorithmussuite erfolgreich zertifiziert. Das Zertifikat wurde im Rahmen des Cryptographic Algorithm Verification Program (CAVP) des National Institute of Standards and Technology (NIST) validiert und für ESCRYPT CycurHSM erteilt. Der Software-Stack für Automotive Embedded Security ist auf dem Hardware-Sicherheitsmodul (HSM) AURIX™ TC3xx der zweiten Generation von Infineon implementiert.
24.11.2023 10:15 TRUSTECH 2023: Infineon präsentiert auf Mini-Airport-Stand TEGRION™- und SECORA™-Pay-Demos für hochleistungsfähige Behördenausweise und Zahlungen
München und Paris, Frankreich – 24. November 2023 – Auf der TRUSTECH, der Fachmesse für innovative Zahlungs- und Identifikationslösungen, präsentiert die Infineon Technologies AG das neueste Mitglied der TEGRION™-Familie, das zukunftssichere ID-Anwendungen beschleunigt. Außerdem zeigt Infineon auf dem Mini-Airport-Stand den weltweit ersten PQC-fähigen ePass-Demonstrator. Darüber hinaus können die Besucher den Komfort des nahtlosen Bezahlens mit SECORA™ Pay X erleben, mit einem Pop-up-Maniküresalon für Fingernägel, die für kontaktloses Bezahlen geeignet sind.
23.11.2023 10:00 Europäisches Forschungsprojekt PROGRESSUS ebnet Weg zur Dekarbonisierung durch größere Resilienz der Stromnetze
München, 23. November 2023 – Mit einem intelligenten Management von Stromlasten und -quellen können die bestehenden Stromnetze ertüchtigt werden, um den wachsenden Anteil grüner Energie zu bewältigen. Zum Abschluss des Forschungsprojekts PROGRESSUS präsentierten jetzt 22 Projektpartner ihre Ergebnisse in Bari, Italien. Vorgestellt wurde unter anderem eine Lösung, die es erlaubt, zehn- bis fünfzehnmal mehr Ladestationen für Elektroautos an einem Netzanschluss zu betreiben; es wurde auch ein Ansatz präsentiert, Strom von der Erzeugung bis zum Verbrauch nachzuverfolgen. Im Mittelpunkt von PROGRESSUS standen drei zentrale Themen: effiziente Energieumwandlung, intelligentes Strommanagement und die sichere Netzüberwachung.
22.11.2023 11:15 Infineon präsentiert 650 V CoolMOS™ CFD7A im QDPAK-Gehäuse für energieeffizientes Schnellladen von Elektrofahrzeugen
München – 22. November 2023 – Die beschleunigte Transformation zu Elektromobilität hat zu bedeutenden Innovationen bei der Ladetechnik geführt, die eine kosteneffizientere und leistungsfähigere Leistungselektronik erfordern. Die Infineon Technologies AG erweitert deshalb das 650 V CoolMOS™ CFD7A-Portfolio um das QDPAK-Gehäuse. Diese Gehäusefamilie wurde entwickelt, um im Vergleich zu den bekannten TO247 THD-Bauteilen eine gleichwertige thermische Leistungsfähigkeit bei verbesserter elektrischer Performance zu bieten. Dies ermöglicht eine effiziente Energienutzung in Onboard-Chargern und DC-DC-Wandlern.
21.11.2023 10:15 SECORA™ Pay-Sicherheitslösung lässt Zahlungskarten mit LEDs „aufleuchten“, um das kontaktlose Bezahlerlebnis zu steigern
München – 21. November 2023 – Dank immer leistungsfähigerer Technologien wird die Bequemlichkeit des „Tap and Pay“ von den Nutzern gerne angenommen. Das treibt den kontaktlosen Zahlungsverkehr weltweit weiter voran. Darüber hinaus reizen die kontaktlosen Technologien zu neuen und innovativen Formfaktoren an, die zusätzliche Funktionen über das Bezahlen hinaus unterstützen. Die Sicherheitslösung SECORA™ Pay der Infineon Technologies AG trägt dieser Entwicklung Rechnung und unterstützt nun Karten-Inlays mit LEDs. Die Visa- und Mastercard-zertifizierte Produktfamilie ermöglicht Banken damit, neue und unverwechselbare Zahlungskarten zu entwerfen. Eingebettete LEDs können jetzt ein visuelles Feedback geben, wenn die Karte für eine Zahlungstransaktion an das Point-of-Service (POS)-Terminal gehalten wird.
20.11.2023 10:15 Neues 62mm-Gehäuse der CoolSiC™-Familie von Infineon hilft Ingenieuren, den Wirkungsgrad und die Leistungsdichte zu erhöhen
München – 20. November 2023 – Die Infineon Technologies AG erweitert die Modulfamilien CoolSiC™ MOSFET 1200 V und 2000 V um ein weiteres Gehäuse im Industriestandard. Das bewährte 62mm-Bauelement wurde in Halbbrückentopologie entwickelt und basiert auf der kürzlich eingeführten M1H-Technologie für Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs. Das Gehäuse ermöglicht den Einsatz von SiC für Anwendungen im mittleren Leistungsbereich ab 250 kW – dort, wo Silizium mit der IGBT-Technologie die Grenzen der Leistungsdichte erreicht. Im Vergleich zu einem 62mm-IGBT-Modul umfasst die Liste der Anwendungen nun zusätzlich Solar-, Server-, Energiespeicher-, EV-Ladestationen-, Antriebs- sowie kommerzielle Induktionskoch- und Stromwandlungssysteme.
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