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| 13.08.2024 11:15 |
Infineon erweitert Bluetooth®-Portfolio um acht neue Produkte, darunter AIROC™ CYW89829 Bluetooth LE Mikrocontroller für Automotive-Anwendungen |
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München, 13. August 2024 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr Bluetooth®-Portfolio um acht neue Produkte der AIROC™ CYW20829 Bluetooth Low Energy 5.4 Mikrocontroller (MCU)-Familie. Diese umfasst Systems-on-Chip (SoCs) und Module für Industrie-, Consumer- und Automotive-Anwendungen. Die hohe Integration der CYW20829-Produktfamilie ermöglicht es Entwicklern, die Systemkosten und den Platzbedarf der Bauteile in einer Vielzahl von Anwendungen zu reduzieren, darunter PC-Zubehör, Wearables, Solar-Mikrowechselrichter, Asset Tracker, Gesundheits- und Lifestyleanwendungen sowie Gebäudeautomatisierung. Produktentwickler profitieren auch von der umfangreichen Entwicklungsinfrastruktur und dem Engagement von Infineon für robuste Produktsicherheit. Diese wird durch sicheres Booten und eine sichere Ausführungsumgebung sowie Kryptografie-Beschleunigung zum Schutz sensibler Daten erreicht. |
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| 12.08.2024 10:15 |
Infineon präsentiert intelligente Leistungsmodule CIPOS™ Maxi für industrielle Motorsteuerung mit bis zu 4 kW Nennleistung |
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München, 12. August 2024 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihre TRENCHSTOP™ IGBT7-Produktfamilie der siebten Generation um die CIPOS™ Maxi intelligenten Leistungsmodule (IPMs) für Motorantriebe mit geringer Leistung. Die Bauteile der neuen IM12BxxxC1-Serie basieren auf der TRENCHSTOP IGBT7 1200 V-Technologie und verfügen über eine schnelle EmCon 7 Diode. Dank des neuesten Micro-Pattern-Trench-Designs bietet er hervorragende Kontrolle und Leistung. Das führt zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einem verbesserten Wirkungsgrad und einer höheren Leistungsdichte. Das Portfolio umfasst drei neue Produkte in Varianten von 10 A bis 20 A für Nennleistungen bis zu 4,0 kW: IM12B10CC1, IM12B15CC1 und IM12B20EC1. |
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| 09.08.2024 10:15 |
Vitesco Technologies erhöht Leistungsdichte von DCDC-Wandlern mit CoolGaN™-Transistoren von Infineon |
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München, 9. August 2024 – DCDC-Wandler sind in Elektro- und Hybridfahrzeugen notwendig, um die Hochspannungsbatterie mit den Niederspannungs-Hilfsstromkreisen zu verbinden. Dazu gehören 12-Volt-Scheinwerfer, Innenbeleuchtung, Wischer- und Fenstermotoren, Lüfter sowie Pumpen, Lenkantriebe, Beleuchtungssysteme, elektrische Heizungen und Klimakompressoren mit 48 Volt. Darüber hinaus ist der DCDC-Wandler wichtig für die Entwicklung erschwinglicherer und energieeffizienterer Fahrzeuge, bei denen die Zahl der Niederspannungsfunktionen zunimmt. Laut TechInsights wurde der weltweite Markt für DCDC-Wandler in Kraftfahrzeugen im Jahr 2023 auf 4 Mrd. USD geschätzt und soll bis 2030 auf 11 Mrd. USD anwachsen, wobei im Prognosezeitraum eine CAGR von 15 Prozent angesetzt ist. Hierbei spielt insbesondere Galliumnitrid (GaN) eine entscheidende Rolle, da der Halbleiter zur Verbesserung der Leistungsdichte in DCDC-Wandlern und On-Board-Ladegeräten (OBC) eingesetzt werden kann. Vor diesem Hintergrund hat sich Vitesco Technologies, ein führender Anbieter von modernen Antriebstechnologien und Elektrifizierungslösungen, für GaN entschieden, um die Leistungseffizienz seines Gen5+ GaN Air DCDC-Wandlers zu verbessern. Mit den CoolGaN™ Transistoren 650 V der Infineon Technologies AG lässt sich die Gesamtleistung des Systems deutlich verbessern, während gleichzeitig die Systemkosten minimiert und die Benutzerfreundlichkeit erhöht werden. Dadurch konnte Vitesco eine neue Generation an DCDC-Wandlern entwickeln, die neue Maßstäbe in Bezug auf Leistungsdichte (Wirkungsgrad von über 96 Prozent) und Nachhaltigkeit für Stromnetze, Stromversorgungen und OBCs setzen. |
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| 08.08.2024 06:52 |
Infineon eröffnet die weltweit größte und effizienteste SiC-Leistungshalbleiterfabrik in Malaysia |
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Kulim, Malaysia – 08. August 2024 – Vor dem Hintergrund der weltweiten Bestrebungen zur Reduzierung des CO2-Ausstoßes und einem strukturell wachsenden Bedarf nach Leistungshalbleitern hat Infineon in Malaysia die erste Phase einer neuen Fertigung eingeweiht. Die Fabrik wird die weltweit größte und wettbewerbsfähigste 200-Millimeter-Fab für Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) sein. Der malaysische Premierminister YAB Dato' Seri Anwar Ibrahim und der Ministerpräsident des Bundesstaates Kedah YAB Dato' Seri Haji Muhammad Sanusi Haji Mohd Nor haben gemeinsam mit Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG, die Produktion symbolisch eröffnet. |
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| 05.08.2024 07:32 |
Leichter Umsatz- und Ergebnisanstieg in Q3 GJ2024. Weitere Verbesserung in Q4 GJ2024 erwartet. Ausblick für das Gesamtjahr innerhalb der bisher prognostizierten Spanne |
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Neubiberg, 5. August 2024 – Die Infineon Technologies AG gibt heute das Ergebnis für das am 30. Juni 2024 abgelaufene dritte Quartal des Geschäftsjahres 2024 bekannt. |
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| 01.08.2024 10:15 |
Integrierte Einzelschalter und Halbbrücken mit integrierten Treibern: Infineon präsentiert neue CoolGaN™ Drive-Familie |
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München, 1. August 2024 – Sowohl in der Unterhaltungselektronik als auch bei industriellen Anwendungen spielen Portabilität, Elektrifizierung und Gewichtsreduzierung eine zunehmende Rolle. Diese Trends erfordern kompakte sowie effiziente Designs. Gleichzeitig gehen sie mit unkonventionellen Leiterplattendesigns einher, bei denen der Platzbedarf für externe Komponenten stark eingeschränkt ist. Angesichts dieser Herausforderungen erweitert die Infineon Technologies AG ihr GaN-Portfolio um die CoolGaN™ Drive-Produktfamilie. Sie umfasst CoolGaN Drive 650 V G5-Einzelschalter, die einen Transistor plus Gate-Treiber in PQFN 5x6- und PQFN 6x8-Gehäusen integrieren, sowie die CoolGaN Drive HB 650 V G5-Bauteile, die zwei Transistoren mit integrierten High- und Low-Side-Gate-Treibern in einem LGA 6x8-Gehäuse kombinieren. Die neuen Bauteile ermöglichen eine verbesserte Effizienz, eine geringere Systemgröße und gesamtheitliche Kosteneinsparungen. Dadurch eignen sie sich für E-Bikes mit größerer Reichweite, tragbare Elektrowerkzeuge und Haushaltsgeräte wie Staubsauger, Ventilatoren und Föhne. |
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