Presse-Informationen 25 bis 30 von 1209
23.03.2021 10:15 Infineon stellt zweite Generation von hochzuverlässigem nichtflüchtigem SRAM vor
München – 23. März 2021 – Infineon Technologies LLC, ein Unternehmen der Infineon Technologies AG, bringt die zweite Generation seiner nichtflüchtigen statischen RAMs (nvSRAM) auf den Markt. Die leistungsfähigen Arbeitsspeicher sind nach QML-Q- und Industriespezifikationen besonders hoher Zuverlässigkeit qualifiziert. Die neue Generation unterstützt anspruchsvolle Anwendungen für nichtflüchtige Codespeicherung und Datenerfassung in rauen Umgebungen, einschließlich Luft- und Raumfahrt sowie Industrieanwendungen.
19.03.2021 18:30 Infineon fährt Fertigung in Austin, Texas weiter hoch und informiert über Auswirkungen für Kunden; ursprüngliche Fertigungskapazität im Juni 2021 erwartet
München – 19. März 2021 – Die Fertigungsanlagen der Infineon Technologies AG in Austin, Texas sind in Betrieb und die Produktion wird derzeit wieder hochgefahren. Nach der am 15. Februar 2021 behördlich angeordneten Abschaltung konnte die Infrastruktur innerhalb einer Woche wiederhergestellt werden und die Anlagen sind intakt. Die Produktion wird derzeit schrittweise auf das ursprüngliche Niveau hochgefahren. Die Abschaltung war nach einem schweren Wintersturm erforderlich geworden und den daraus resultierenden langanhaltenden Stromausfällen in der Region.
19.03.2021 10:15 Weltweit erstes TPM 2.0 mit Open-Source-Software-Stack vereinfacht die Sicherheitsintegration bei Industrie-, Automotive- und IoT-Anwendungen
München – 19. März 2021 – Trusted-Platform-Module (TPM) ermöglichen gesicherte Remote Software-Updates, Festplattenverschlüsselung und Benutzerauthentifizierung. Damit sind sie entscheidend für vernetzte Anwendungen aus den Bereichen Industrie, Automotive und Embedded. Um die nahtlose Integration in Linux-basierte Systeme weiter zu erleichtern, erweitert die Infineon Technologies AG ihre führende OPTIGA™ TPM 2.0-Lösung um eine umfassende TSS*-Host-Software, die den neuesten FAPI-Standard implementiert. Infineon entwickelte die Open-Source-Software gemeinsam mit der Intel Corporation und dem Fraunhofer-Institut für Sichere Informationstechnologie (SIT).
18.03.2021 10:15 Züge nachhaltig betreiben: Energieeffiziente Bordnetze dank Technologie von Siemens Mobility und Infineon
München, 18. März 2021 – Die globale Bevölkerung wächst rasant. Immer mehr Menschen drängt es weltweit vom Land in die Stadt. Neben den innerstädtischen Herausforderungen, die diese Entwicklung mit sich bringt, erhöht dies die durchschnittliche Reisestrecke von A nach B. Damit steigen auch die Anforderungen an Zugsysteme. Siemens Mobility und die Infineon Technologies AG haben neue Hilfsbetriebeumrichter (HBU) entwickelt, um Bordnetze mit Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) effizienter zu machen und damit Energie zu sparen.
17.03.2021 14:45 Neue Generation von Schweißdioden: höherer Strom bei geringeren Durchlassverlusten
München – 17. März 2021 –Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG, ein Unternehmen der Infineon Technologies AG, bringt eine neue Generation von Leistungsdioden auf den Markt. Die neue gehäuselose Diodenfamilie ist für Mittelfrequenz-Widerstandsschweißen und Hochstrom-Gleichrichteranwendungen optimiert. Die Bauteile erfüllen die Marktanforderungen nach höherer Stromtragfähigkeit, geringen Verlusten und höherer Wechsellastfähigkeit. Mit dem neuen Design bieten die Dioden das branchenweit beste Verhältnis zwischen Leistung und Lebensdauer, was eine Verringerung der Wartungszyklen unterstützt. Die neue Diodengeneration ist hervorragend geeignet für Anwendungen wie Punktschweißen in der Automobilindustrie, Niederspannungselektrolyse und Überspannungsschutz.
17.03.2021 12:15 650 V Fast-Levelshift SOI EiceDRIVER™ mit integrierten Bootstrap-Dioden bietet überlegene Robustheit und schnelle Frequenzumschaltung
München – 17. März 2021 – Die Infineon Technologies AG erweitert das EiceDRIVER™-Portfolio um die neuen 650-V-Halbbrücken- sowie High- und Low-Side-Gate-Treiber. Die neuen Bauteile basieren auf der einzigartigen Silicon-on-Insulator-(SOI)-Technologie des Unternehmens. Sie bieten eine besonders gute Immunität bei negativen VS-Transienten und die monolithische Integration von echten Bootstrap-Dioden. All diese Eigenschaften reduzieren die Anzahl der Komponenten in der Applikation und ermöglichen robustere Designs mit MOSFETs und IGBTs bei einem kompakten Formfaktor. Die Fast-Levelshift-(FLS)-Familie ist auf Hochfrequenzanwendungen wie Netzteile und unterbrechungsfreie Stromversorgungen sowie industrielle Antriebe und eingebettete Umrichteranwendungen, Haushaltsgeräte, Elektrowerkzeuge, Motorsteuerung für Lüfter und Pumpen zugeschnitten.
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