Presse-Informationen 31 bis 36 von 1598
05.03.2024 08:15 Infineon treibt Dekarbonisierung mit nächster Generation von Siliziumkarbid-Technologie (CoolSiC™ MOSFET G2) für Power-Systeme weiter voran
München, Deutschland – 5. März 2024 – Die Infineon Technologies AG schlägt ein neues Kapitel in der Leistungs- und Energieumwandlung auf und stellt die nächste Generation der Siliziumkarbid (SiC) MOSFET-Trench-Technologie vor. Die neue Infineon CoolSiC™ MOSFET 650 V und 1200 V Generation 2 verbessert die Leistungskennzahlen von MOSFETs wie Speicherladung und Verlustenergien um mehr als 20 Prozent ohne dabei die Qualität und Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen. Die Technologie ermöglicht eine höhere Gesamtenergieeffizienz und treibt die Dekarbonisierung weiter voran.
01.03.2024 10:15 Infineon erweitert TRAVEO™ T2G MCU-Familie mit Grafiklösung der Qt Group für intelligente Rendering-Technologien
München, 1. März 2024 – Auf dem weltweit sehr wettbewerbsintensiven Halbleitermarkt streben Hersteller ständig nach kürzeren Markteinführungszeiten. Gleichzeitig steigt die Nachfrage nach hochauflösenden und flüssigen grafischen Darstellungen. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, arbeitet die Infineon Technologies AG strategisch mit der Qt Group zusammen, einem globalen Softwareunternehmen, das plattformübergreifende Lösungen für den gesamten Software-Entwicklungszyklus anbietet. So wird das schlanke und leistungsstarke Grafik-Framework von Qt auf die grafikfähigen TRAVEO™ T2G-Cluster-Mikrocontroller von Infineon übertragen. Die Zusammenarbeit stellt einen neuen Ansatz für die Entwicklung grafischer Benutzeroberflächen (GUI) dar.
29.02.2024 10:15 PSoC™ Automotive 4100S Max unterstützt die CAPSENSE™-Technologie der fünften Generation mit höherer Leistung
München, 29. Februar 2024 – Die Infineon Technologies AG bringt die neue Automotive PSoC™ 4100S Max-Familie auf den Markt. Die Mikrocontroller-Familie erweitert das Portfolio der CAPSENSE™-fähigen Human Machine Interface (HMI)-Lösungen für Karosserie-, Klima- und Lenkradanwendungen im Fahrzeug und bietet höhere Flash-Dichten, GPIOs, CAN-FD und HW-Security.
28.02.2024 11:15 Infineon stellt neue Solid-State-Isolatoren für schnelleres Schalten bei bis zu 70 Prozent weniger Verlustleistung vor
München, Deutschland, und Long Beach, Kalifornien - 28. Februar 2024 – Die Infineon Technologies AG hat heute auf der Applied Power Electronics Conference (APEC) eine neue Produktfamilie von Solid-State-Isolatoren vorgestellt. Die Coreless Transformer Isolators ermöglichen eine schnellere und zuverlässigere Schaltung mit Schutzfunktionen, die in optisch basierten Solid-State-Relais (SSR) nicht verfügbar sind. Die neuen Isolatoren nutzen eine kernlose Transformatortechnologie und unterstützen eine 20-mal höhere Energieübertragung mit Strom- und Temperaturschutz, was zu einer höheren Zuverlässigkeit und niedrigeren Betriebskosten beiträgt. Mit den Solid-State-Isolatoren können die Gates von OptiMOS™- und CoolMOS™-MOSFETs von Infineon angesteuert und dabei die Verlustleistung heutiger Solid-State-Relais mit SCR- und Triac-Schaltern um bis zu 70 Prozent reduziert werden.
28.02.2024 09:30 Infineon reorganisiert Vertrieb, um Kundenorientierung zu stärken und Applikationen ideal zu unterstützen
München – 28. Februar 2024 – Die Infineon Technologies AG stärkt ihre Vertriebsorganisation und richtet sie neu aus. Ab dem 1. März wird das Vertriebsteam von Infineon in den neu geschaffenen Vertriebssegmenten „Automotive“, „Industrial & Infrastructure“ und „Consumer, Computing & Communication“ organisiert sein. Die DEM-Organisation (Distribution und EMS Management) wird weiterhin für Distributoren sowie Electronic Manufacturing Services (EMS) verantwortlich sein. Diese neue Struktur schöpft das Potenzial von Infineons vielfältigem Produktportfolio weiter aus, indem die Anwendungsbedürfnisse der Kunden in den Mittelpunkt des neuen Organisationsmodells gestellt werden. Alle Organisationen sind global aufgestellt und verfügen über eine optimale, regionale Präsenz.
27.02.2024 14:15 Infineon stellt neue CoolSiC™ MOSFET 750 V Produktfamilie für Automotive- und Industrieanwendungen vor
München, 27. Februar 2024 – Um der wachsenden Nachfrage nach höherer Effizienz und Leistungsdichte in industriellen und automobilen Anwendungen zu begegnen, bringt die Infineon Technologies AG den diskreten CoolSiC™ MOSFET 750 V G1 auf den Markt. Die Produktfamilie umfasst sowohl industrie- als auch automobiltaugliche SiC-MOSFETs, die für Totem-Pole-PFC-, T-Typ-, LLC/CLLC-, Dual-Active-Bridge- (DAB), HERIC-, Buck/Boost- und phasenverschobene Vollbrückentopologien (PSFB) optimiert sind. Die MOSFETs eignen sich ideal für den Einsatz in typischen Industrieanwendungen wie dem Laden von Elektrofahrzeugen, industriellen Antrieben, Solar- und Energiespeichersystemen, Leistungsschaltern, USV-Systemen, Servern/Rechenzentren, in der Telekommunikation und im Automobilsektor, beispielsweise in Onboard-Ladegeräten (OBC), DC-DC-Wandlern und vielen mehr.
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