http://www.presseagentur.com/ Aktuelle Presse-Informationen von Infineon Technologies (Bereitgestellt von MEXPERTS AG) de-DE Infineon Technologies MEXPERTS AG (info@mexperts.de) Copyright 2010 MEXPERTS AG 2026-07-20T22:58+01:00 http://www.presseagentur.com/ http://www.presseagentur.com/pics/rdf_logo.gif https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202607-122 München, 15 Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt den RIC70115 vor, einen strahlungsgehärteten Galliumnitrid-HEMT-Treiber (GaN High-Electron Mobility Transistor), der für Satelliten- und hochzuverlässige Raumfahrtanwendungen entwickelt wurde, bei denen Leistungsumwandlungseffizienz und langfristige Betriebssicherheit kritische Anforderungen darstellen. Der RIC70115 unterstützt sowohl Silizium- (Si) als auch GaN-MOSFET-Designs in Low-Side- und High-Side-Konfigurationen und gibt Entwicklern von Leistungssystemen größere Flexibilität bei der Einführung GaN-basierter Architekturen  in Raumfahrtplattformen, ohne den sicheren Betrieb bei variierenden Vorspannungsbedingungen zu beeinträchtigen. Mit dem weiteren Wachstum der New-Space-Wirtschaft und zunehmender Komplexität und Anzahl von Satellitenkonstellationen steigt die Nachfrage nach strahlungsgehärteten Leistungsbauelementen, die den Übergang von Si zu GaN unterstützen. 2026-07-15T14:15+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infpr202607-121 –    Im Mittelpunkt der Zusammenarbeit stehen Stromwandlungslösungen für Energiespeicher, Solid-State-Transformer und Solid-State-Circuit Breaker –    Die Halbleiter von Infineon tragen dazu bei, Effizienz, Leistung und Zuverlässigkeit von Gleichstrom-Infrastruktursystemen zu verbessern Seoul, Korea, 13. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG und LS ELECTRIC haben eine Absichtserklärung (Memorandum of Understanding, MoU) unterzeichnet, um gemeinsam hocheffiziente Gleichstrom (DC)-Energieinfrastrukturlösungen für KI-Rechenzentren und Stromnetze der nächsten Generation zu entwickeln. 2026-07-13T08:15+01:00 https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/ifxtn202607-120 München, 8. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG liefert CoolSiC™-MOSFETs 1200 V und die dazu passenden zweikanaligen EiceDRIVER™ 2EDB9259Y Gate-Treiber an ADVANTICS, einen Technologieführer im Bereich Siliziumkarbid (SiC)-Leistungselektronik und fortschrittlicher Steuerungssysteme. Die Bauteile kommen in der neuen Generation der flüssigkeitsgekühlten Stromrichter von ADVANTICS zum Einsatz. Die Lösungen verbessern den Wirkungsgrad, die Leistungsdichte und die Zuverlässigkeit in Anwendungen wie Megawatt-Ladesystemen für Schwerlastfahrzeuge und Schiffe sowie in Energiespeichersystemen und Gleichstrom-Mikronetzen für Rechenzentren. Die Zusammenarbeit adressiert den Bedarf an schnelleren Ladesystemen, einer robusten Netzinfrastruktur und einer effizienteren Stromumwandlung. 2026-07-08T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/ifxtn202607-119 München, Deutschland – 07. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt SECORA™ ID Key S USB auf den Markt, eine auf Java Card™ basierende Lösung mit USB- und NFC-Konnektivität für gesicherte Authentifizierung und digitale Signaturen. Als erste für FIDO Level 3+ zertifizierte und CTAP 2.1-konforme Lösung ermöglicht der Authentifikator eine phishing-resistente, passwortlose Authentifizierung sowie Schutz vor aus der Ferne durchgeführten Softwareangriffen und lokalen Hardwareangriffen. Er umfasst vorinstallierte Applets für FIDO-Authentifizierung, die Erstellung qualifizierter digitaler Signaturen sowie PKI-Funktionen und bietet zugleich umfassende Anpassungsoptionen. Auf Basis der innovativen Single System in Package Hardwareplattform ID Key S USB von Infineon in Kombination mit einer offenen Java Card-Umgebung bietet die End-to-End-Lösung maximale Flexibilität und ermöglicht es Kunden, proprietäre Applets zu entwickeln, zu migrieren und bereitzustellen. Damit werden zusätzliche Anwendungsfälle wie physische Zutrittskontrolle, Krypto-Wallets und Software-Rechtemanagement unterstützt, die den Anforderungen von Unternehmen, Finanzinstituten und staatlichen Stellen gerecht werden. 2026-07-07T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/ifxpr202607-118 München, Deutschland – 07.07.2026 – Mit dem Ablauf der 60-tägigen Überprüfungsfrist durch den US-Präsidenten wird die am 7. Mai 2026 von der Full Commission der US International Trade Commission (US ITC) erlassene Final Determination bestätigt. Damit steht fest, dass Innoscience ein Infineon-Patent im Bereich der GaN-Technologie verletzt. Patentverletzende GaN-Produkte dürfen daher von Innoscience weder in die USA eingeführt noch in den USA zum Kauf angeboten werden. 2026-07-07T07:00+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infxx202606-115 München – 03.07.2026 – Das Landgericht München I hat heute in einem weiteren Patentverletzungsverfahren zwischen Infineon Technologies und Innoscience im Bereich der Galliumnitrid-(GaN)-Technologie zugunsten von Infineon entschieden. 2026-07-03T15:30+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/ifxpr202607-117 Dresden, 02. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG hat mehrere Monate vor dem Zeitplan die Smart Power Fab in Dresden eröffnet. Das neue Werk ist mit einem Investitionsvolumen von fünf Milliarden Euro die größte Einzelinvestition in der Geschichte von Infineon und eines der größten Investitionsprojekte in Deutschland. Es schafft 1.000 neue, direkte Arbeitsplätze. Mit der neuen Fabrik verdoppelt Infineon seine Produktionskapazitäten am Standort Dresden und schafft damit die weltweit größte Fabrik für intelligente Leistungshalbleiter und Analog/ Mixed-Signal-Technologien. 2026-07-02T13:15+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infxx202607-113 München, 1. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG hat heute die Akquisition des nicht-optischen Analog-/Mixed-Signal-Sensorportfolios von ams OSRAM erfolgreich abgeschlossen. Die im Februar 2026 angekündigte Transaktion hat alle erforderlichen regulatorischen Genehmigungen erhalten. Mit der Akquisition stärkt Infineon die führende Position im Bereich der Sensoren für Industrie- und Automobilanwendungen durch ein komplementäres Portfolio und erweitert die Produktpalette bei Sensoren für medizinische Anwendungen. 2026-07-01T13:45+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infxx202607-116 München, 1. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG hat für ihre Investorenkommunikation mehrere Auszeichnungen gewonnen. Beim „Deutschen Investor Relations Preis“ des DIRK – Deutscher Investor Relations Verband – sicherte sich das Infineon-IR-Team erstmals Platz eins für die beste IR-Arbeit aller DAX 40-Unternehmen, gemeinsam mit der Siemens Energy AG. Jeweils dritte Plätze belegte Infineon außerdem in den Kategorien „Beste ESG-Kommunikation eines Unternehmens“ und „Beste IR-Kommunikation eines Head of IR“. Die zuletzt genannte Auszeichnung gilt Alexander Foltin, Head of Finance, Treasury & IR, der den Preis bei der Verleihung am 30. Juni in Frankfurt gemeinsam mit Finanzvorstand Dr. Sven Schneider entgegennahm. 2026-07-01T09:06+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infxx202606-117 München, 26. Juni 2026 – In einem aktuellen Bericht mit dem Titel „AI Vendor Race: Infineon Is the Company to Beat in AI Data Center Power Semiconductors" hat Gartner den sich dynamisch entwickelnden Markt für Leistungshalbleiter in KI-Rechenzentren untersucht und die Infineon Technologies AG als „das Unternehmen, das es zu schlagen gilt" identifiziert. Der Bericht nennt Infineons „umfassendes Produktportfolio, Fertigungskapazitäten und frühzeitige Investitionen in fortschrittliche Technologien" als entscheidende Faktoren für seine Vorreiterposition bei Leistungshalbleiterlösungen für KI-Rechenzentren. Laut Gartner wird Infineons Vorreiterposition im Wettbewerb um Leistungshalbleiter für KI-Rechenzentren durch zunehmenden Wettbewerb im Bereich Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) sowie durch starke Konkurrenten auf der Compute-Board-Ebene für die finale Umwandlungsstufe am Prozessor herausgefordert. 2026-06-26T09:45+01:00