http://www.presseagentur.com/ Aktuelle Presse-Informationen von Infineon Technologies (Bereitgestellt von MEXPERTS AG) de-DE Infineon Technologies MEXPERTS AG (info@mexperts.de) Copyright 2010 MEXPERTS AG 2026-08-10T01:22+01:00 http://www.presseagentur.com/ http://www.presseagentur.com/pics/rdf_logo.gif https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202608-127 München, 6. August 2026 – Infineon Technologies und MediaTek arbeiten gemeinsam an fortschrittlichen, KI-gestützten Cockpit- und Infotainmentlösungen in künftigen Fahrzeugen. Im Rahmen dieser Kooperation hat MediaTek den Infineon 512-Mb-Quad-SPI-NOR-Flash, eine NOR-Flash-Speicherlösung in Automotive-Qualität, für seine Dimensity Auto Cockpit-Plattform C-X1 qualifiziert. Damit steht das Infineon-Bauteil Automobilherstellern, Tier-1-Zulieferern und Designpartnern als freigegebene und einfach einsetzbare Speicheroption für die Entwicklung von Smart-Cockpit-Systemen der nächsten Generation zur Verfügung. 2026-08-06T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infpr202608-125 Neubiberg, 5. August 2026 – Die Infineon Technologies AG gibt heute das Ergebnis für das am 30. Juni 2026 abgelaufene dritte Quartal des Geschäftsjahres 2026 bekannt. 2026-08-05T07:32+01:00 https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202607-126 München, Deutschland – 30. Juli 2026 – Der SEMPER™ NOR-Flash-Speicher der Infineon Technologies AG wurde für den Baseboard Management Controller (BMC) AST2700 von ASPEED Technology qualifiziert und in die Approved Vendor List (AVL) aufgenommen. Als Speichermedium für die BMC-Firmware unterstützt der SEMPER NOR-Flash die Infrastruktur für Server-Management, die einen resilienten und sicheren Betrieb ermöglicht und zur Verfügbarkeit und zum Schutz der Systeme beiträgt. Für Hyperscaler und Server-OEMs bietet die Qualifikation eine validierte, sofort einsetzbare Speicherlösung für AST2700-basierte Systeme. Dies reduziert das Design-Risiko und erleichtert die Auswahl der Komponenten in der Stückliste. 2026-07-30T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202607-124 München, 29. Juli 2026 – Infineon Technologies hat sein Portfolio zur Leistungsverteilung in Fahrzeugen um den SPOC™ Wire Guard BTS80009-SWPx-1ES erweitert. Dabei handelt es sich um einen hochintegrierten 12-V-Automotive-eFuse mit SPI-Schnittstelle. Als erstes Mitglied einer neuen Smart-Power-Switch-Familie kombiniert das Bauteil einen geschützten High-Side-Schalter mit integriertem I²t-Leitungsschutz, Software-Konfigurierbarkeit und erweiterter Diagnose. Es ist für neue E/E-Architekturen ausgelegt, die softwaredefinierte Fahrzeugkonzepte (SDV) mit Over-the-Air-Updates unterstützen. 2026-07-29T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202607-123 München, 28. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt die Solid-State-Isolator- (SSI)-Familie ISSI20BxxF auf den Markt. Damit erweitert das Unternehmen den Einsatzbereich der Halbleiter-Isolationstechnologie auf Anwendungen mit hohen Stückzahlen, die bislang typischerweise mit Photovoltaik-Isolatoren (PVIs), Photovoltaik-Relais (PVRs) und elektromechanischen Relais (EMRs) realisiert wurden. Die neue Produktfamilie ist in einem kompakten PG-DSO-8-Gehäuse mit 150 mil untergebracht und verfügt über einen Footprint, der mit bestehenden PVI-Lösungen vergleichbar ist. Dadurch erhalten Entwicklerinnen und Entwickler einen direkten Migrationspfad zur SSI-Technologie für platzbeschränkte Anwendungen. Die Produktfamilie bietet eine erhöhte Ansteuerleistung, integrierte Schutzfunktionen und Flexibilität bei der Auswahl der Leistungsschalter. Zu den Zielanwendungen zählen Halbleiterrelais-Module, SPS-Eingänge und -Ausgänge, industrielle Automatisierung, Gleichstromversorgungen für Laboranwendungen, automatisierte Testsysteme, Niederspannungs-Gebäudeautomation und Telekommunikationsinfrastruktur. 2026-07-28T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202607-122 München, 15 Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt den RIC70115 vor, einen strahlungsgehärteten Galliumnitrid-HEMT-Treiber (GaN High-Electron Mobility Transistor), der für Satelliten- und hochzuverlässige Raumfahrtanwendungen entwickelt wurde, bei denen Leistungsumwandlungseffizienz und langfristige Betriebssicherheit kritische Anforderungen darstellen. Der RIC70115 unterstützt sowohl Silizium- (Si) als auch GaN-MOSFET-Designs in Low-Side- und High-Side-Konfigurationen und gibt Entwicklern von Leistungssystemen größere Flexibilität bei der Einführung GaN-basierter Architekturen  in Raumfahrtplattformen, ohne den sicheren Betrieb bei variierenden Vorspannungsbedingungen zu beeinträchtigen. Mit dem weiteren Wachstum der New-Space-Wirtschaft und zunehmender Komplexität und Anzahl von Satellitenkonstellationen steigt die Nachfrage nach strahlungsgehärteten Leistungsbauelementen, die den Übergang von Si zu GaN unterstützen. 2026-07-15T14:15+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infpr202607-121 –    Im Mittelpunkt der Zusammenarbeit stehen Stromwandlungslösungen für Energiespeicher, Solid-State-Transformer und Solid-State-Circuit Breaker –    Die Halbleiter von Infineon tragen dazu bei, Effizienz, Leistung und Zuverlässigkeit von Gleichstrom-Infrastruktursystemen zu verbessern Seoul, Korea, 13. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG und LS ELECTRIC haben eine Absichtserklärung (Memorandum of Understanding, MoU) unterzeichnet, um gemeinsam hocheffiziente Gleichstrom (DC)-Energieinfrastrukturlösungen für KI-Rechenzentren und Stromnetze der nächsten Generation zu entwickeln. 2026-07-13T08:15+01:00 https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/ifxtn202607-120 München, 8. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG liefert CoolSiC™-MOSFETs 1200 V und die dazu passenden zweikanaligen EiceDRIVER™ 2EDB9259Y Gate-Treiber an ADVANTICS, einen Technologieführer im Bereich Siliziumkarbid (SiC)-Leistungselektronik und fortschrittlicher Steuerungssysteme. Die Bauteile kommen in der neuen Generation der flüssigkeitsgekühlten Stromrichter von ADVANTICS zum Einsatz. Die Lösungen verbessern den Wirkungsgrad, die Leistungsdichte und die Zuverlässigkeit in Anwendungen wie Megawatt-Ladesystemen für Schwerlastfahrzeuge und Schiffe sowie in Energiespeichersystemen und Gleichstrom-Mikronetzen für Rechenzentren. Die Zusammenarbeit adressiert den Bedarf an schnelleren Ladesystemen, einer robusten Netzinfrastruktur und einer effizienteren Stromumwandlung. 2026-07-08T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/ifxtn202607-119 München, Deutschland – 07. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt SECORA™ ID Key S USB auf den Markt, eine auf Java Card™ basierende Lösung mit USB- und NFC-Konnektivität für gesicherte Authentifizierung und digitale Signaturen. Als erste für FIDO Level 3+ zertifizierte und CTAP 2.1-konforme Lösung ermöglicht der Authentifikator eine phishing-resistente, passwortlose Authentifizierung sowie Schutz vor aus der Ferne durchgeführten Softwareangriffen und lokalen Hardwareangriffen. Er umfasst vorinstallierte Applets für FIDO-Authentifizierung, die Erstellung qualifizierter digitaler Signaturen sowie PKI-Funktionen und bietet zugleich umfassende Anpassungsoptionen. Auf Basis der innovativen Single System in Package Hardwareplattform ID Key S USB von Infineon in Kombination mit einer offenen Java Card-Umgebung bietet die End-to-End-Lösung maximale Flexibilität und ermöglicht es Kunden, proprietäre Applets zu entwickeln, zu migrieren und bereitzustellen. Damit werden zusätzliche Anwendungsfälle wie physische Zutrittskontrolle, Krypto-Wallets und Software-Rechtemanagement unterstützt, die den Anforderungen von Unternehmen, Finanzinstituten und staatlichen Stellen gerecht werden. 2026-07-07T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/ifxpr202607-118 München, Deutschland – 07.07.2026 – Mit dem Ablauf der 60-tägigen Überprüfungsfrist durch den US-Präsidenten wird die am 7. Mai 2026 von der Full Commission der US International Trade Commission (US ITC) erlassene Final Determination bestätigt. Damit steht fest, dass Innoscience ein Infineon-Patent im Bereich der GaN-Technologie verletzt. Patentverletzende GaN-Produkte dürfen daher von Innoscience weder in die USA eingeführt noch in den USA zum Kauf angeboten werden. 2026-07-07T07:00+01:00