http://www.presseagentur.com/ Aktuelle Presse-Informationen von Infineon Technologies (Bereitgestellt von MEXPERTS AG) de-DE Infineon Technologies MEXPERTS AG (info@mexperts.de) Copyright 2010 MEXPERTS AG 2026-08-30T03:35+01:00 http://www.presseagentur.com/ http://www.presseagentur.com/pics/rdf_logo.gif https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202608-131 München, 26. August 2026 – Die Infineon Technologies AG liefert Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleiter an Fox ESS, einen führenden Anbieter von Lösungen für erneuerbare Energien, um die Effizienz seiner Energiespeichersysteme (ESS) für Privathaushalte zu steigern. Mithilfe der CoolSiC™ MOSFETs 1200 V G2 von Infineon im Q-DPAK-Gehäuse konnte Fox ESS die Schaltverluste um 70 Prozent reduzieren. Dadurch erreicht das Energiespeichersystem PQ3-Ultra im netzgekoppelten Betrieb einen Spitzenwirkungsgrad des Photovoltaik (PV)-Wechselrichters von bis zu 98,78 Prozent und einen Spitzenwirkungsgrad beim Laden und Entladen der Batterie von bis zu 98,47 Prozent. 2026-08-26T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infpr202608-129 –    Übernahme stärkt führende Position von Infineon im Bereich der Stromversorgung von KI-Rechenzentren und bringt softwaredefinierte Stromversorgungsarchitekturen vom Netz bis zum Prozessorkern voran –    C2i Semiconductors liefert stark differenzierte Expertise im intelligenten, digitalen Energiemanagement, bei Mehrphasen-Controllern sowie im Bereich der systemumfassenden Stromversorgungsarchitekturen insbesondere für die vertikale Stromversorgung, die auch Substrate Integrated Voltage Regulators (SIVR) umfasst –    Transaktion stärkt Indien als Innovationsstandort von Infineon und baut globale Forschungs- und Entwicklungskapazitäten aus München, Deutschland / Bangalore, Indien – 24. August 2026 – Die Infineon Technologies AG plant die Übernahme von C2i Semiconductors. Das Technologieunternehmen mit Sitz in Bangalore ist auf softwaredefinierte Mehrphasen-Controller und smarte Power Stages für Anwendungen in KI-Rechenzentren spezialisiert. Die Technologie von C2i Semiconductors ergänzt Infineons führendes Portfolio an Leistungshalbleitern und Stromversorgungssystemen und ermöglicht intelligente und skalierbare Stromversorgungsarchitekturen vom Netz bis zum Prozessorkern für KI-Server und High-Performance-Computing-Plattformen. Die Übernahme stärkt die Spitzenposition von Infineon im Bereich der Stromversorgungslösungen für KI-Rechenzentren. Gleichzeitig stärkt Infineon damit die Entwicklungskapazitäten des Unternehmens in Indien und unterstreicht die Rolle des Landes als strategischer Innovationsstandort. Der Abschluss der Transaktion wird im dritten Quartal des Kalenderjahres 2026 erwartet. 2026-08-24T15:00+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infpr202608-130 München, Deutschland – 21. August 2026 – Die Infineon Technologies AG hat am 20. August 2026 ihr Aktienrückkaufprogramm erfolgreich beendet, das am 10. August 2026 gemäß Art. 5 Abs. 1 lit. a) der Verordnung (EU) Nr. 596/2014 in Verbindung mit Art. 2 Abs. 1 der Delegierten Verordnung (EU) 2016/1052 bekannt gegeben wurde. Im Zuge des Aktienrückkaufprogramms wurden insgesamt 3 Millionen Aktien (ISIN DE0006231004) erworben. Der Gesamtkaufpreis für die zurückgekauften Aktien beträgt € 175.348.677, der durchschnittlich gezahlte Erwerbspreis pro Aktie beträgt damit € 58,45. 2026-08-21T14:00+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infpr202608-128 München, Deutschland – 10. August 2026 – Der Vorstand der Infineon Technologies AG hat am 17. Juli 2026 mit Zustimmung des Aufsichtsrats beschlossen, bis zu 3 Millionen eigene Aktien (ISIN DE0006231004) zu einem insgesamt aufzuwendenden Kaufpreis (ohne Erwerbsnebenkosten) von bis zu 300 Millionen Euro über die Börse zu erwerben. Unbeschadet dieses Maximalbetrags wurde mit dem beauftragten Kreditinstitut für die aktuelle Durchführung des Rückkaufprogramms vertraglich vereinbart, dass der insgesamt aufzuwendende Kaufpreis (ohne Erwerbsnebenkosten) einen Betrag von 225 Millionen Euro nicht überschreiten darf. 2026-08-10T07:48+01:00 https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202608-127 München, 6. August 2026 – Infineon Technologies und MediaTek arbeiten gemeinsam an fortschrittlichen, KI-gestützten Cockpit- und Infotainmentlösungen in künftigen Fahrzeugen. Im Rahmen dieser Kooperation hat MediaTek den Infineon 512-Mb-Quad-SPI-NOR-Flash, eine NOR-Flash-Speicherlösung in Automotive-Qualität, für seine Dimensity Auto Cockpit-Plattform C-X1 qualifiziert. Damit steht das Infineon-Bauteil Automobilherstellern, Tier-1-Zulieferern und Designpartnern als freigegebene und einfach einsetzbare Speicheroption für die Entwicklung von Smart-Cockpit-Systemen der nächsten Generation zur Verfügung. 2026-08-06T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infpr202608-125 Neubiberg, 5. August 2026 – Die Infineon Technologies AG gibt heute das Ergebnis für das am 30. Juni 2026 abgelaufene dritte Quartal des Geschäftsjahres 2026 bekannt. 2026-08-05T07:32+01:00 https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202607-126 München, Deutschland – 30. Juli 2026 – Der SEMPER™ NOR-Flash-Speicher der Infineon Technologies AG wurde für den Baseboard Management Controller (BMC) AST2700 von ASPEED Technology qualifiziert und in die Approved Vendor List (AVL) aufgenommen. Als Speichermedium für die BMC-Firmware unterstützt der SEMPER NOR-Flash die Infrastruktur für Server-Management, die einen resilienten und sicheren Betrieb ermöglicht und zur Verfügbarkeit und zum Schutz der Systeme beiträgt. Für Hyperscaler und Server-OEMs bietet die Qualifikation eine validierte, sofort einsetzbare Speicherlösung für AST2700-basierte Systeme. Dies reduziert das Design-Risiko und erleichtert die Auswahl der Komponenten in der Stückliste. 2026-07-30T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202607-124 München, 29. Juli 2026 – Infineon Technologies hat sein Portfolio zur Leistungsverteilung in Fahrzeugen um den SPOC™ Wire Guard BTS80009-SWPx-1ES erweitert. Dabei handelt es sich um einen hochintegrierten 12-V-Automotive-eFuse mit SPI-Schnittstelle. Als erstes Mitglied einer neuen Smart-Power-Switch-Familie kombiniert das Bauteil einen geschützten High-Side-Schalter mit integriertem I²t-Leitungsschutz, Software-Konfigurierbarkeit und erweiterter Diagnose. Es ist für neue E/E-Architekturen ausgelegt, die softwaredefinierte Fahrzeugkonzepte (SDV) mit Over-the-Air-Updates unterstützen. 2026-07-29T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202607-123 München, 28. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt die Solid-State-Isolator- (SSI)-Familie ISSI20BxxF auf den Markt. Damit erweitert das Unternehmen den Einsatzbereich der Halbleiter-Isolationstechnologie auf Anwendungen mit hohen Stückzahlen, die bislang typischerweise mit Photovoltaik-Isolatoren (PVIs), Photovoltaik-Relais (PVRs) und elektromechanischen Relais (EMRs) realisiert wurden. Die neue Produktfamilie ist in einem kompakten PG-DSO-8-Gehäuse mit 150 mil untergebracht und verfügt über einen Footprint, der mit bestehenden PVI-Lösungen vergleichbar ist. Dadurch erhalten Entwicklerinnen und Entwickler einen direkten Migrationspfad zur SSI-Technologie für platzbeschränkte Anwendungen. Die Produktfamilie bietet eine erhöhte Ansteuerleistung, integrierte Schutzfunktionen und Flexibilität bei der Auswahl der Leistungsschalter. Zu den Zielanwendungen zählen Halbleiterrelais-Module, SPS-Eingänge und -Ausgänge, industrielle Automatisierung, Gleichstromversorgungen für Laboranwendungen, automatisierte Testsysteme, Niederspannungs-Gebäudeautomation und Telekommunikationsinfrastruktur. 2026-07-28T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/technology-news/2026/inftn202607-122 München, 15 Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt den RIC70115 vor, einen strahlungsgehärteten Galliumnitrid-HEMT-Treiber (GaN High-Electron Mobility Transistor), der für Satelliten- und hochzuverlässige Raumfahrtanwendungen entwickelt wurde, bei denen Leistungsumwandlungseffizienz und langfristige Betriebssicherheit kritische Anforderungen darstellen. Der RIC70115 unterstützt sowohl Silizium- (Si) als auch GaN-MOSFET-Designs in Low-Side- und High-Side-Konfigurationen und gibt Entwicklern von Leistungssystemen größere Flexibilität bei der Einführung GaN-basierter Architekturen  in Raumfahrtplattformen, ohne den sicheren Betrieb bei variierenden Vorspannungsbedingungen zu beeinträchtigen. Mit dem weiteren Wachstum der New-Space-Wirtschaft und zunehmender Komplexität und Anzahl von Satellitenkonstellationen steigt die Nachfrage nach strahlungsgehärteten Leistungsbauelementen, die den Übergang von Si zu GaN unterstützen. 2026-07-15T14:15+01:00