http://www.presseagentur.com/ Aktuelle Presse-Informationen von Infineon Technologies (Bereitgestellt von MEXPERTS AG) de-DE Infineon Technologies MEXPERTS AG (info@mexperts.de) Copyright 2010 MEXPERTS AG 2026-05-20T03:46+01:00 http://www.presseagentur.com/ http://www.presseagentur.com/pics/rdf_logo.gif https://www.infineon.com/de/market-news/2026/infpss202605-087 München, Deutschland – 12. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG arbeitet mit d-Matrix®, einem Pionier im Bereich hochinteraktiver, latenzarmer KI-Inferenz-Architekturen für Rechenzentren, zusammen. Die Halbleiterlösungen von Infineon unterstützen den Corsair™ Inferenz-Beschleuniger von d-Matrix dabei, erstklassige Leistung, Energieeffizienz und Systemintegration in hochdichten Boards zu erzielen. Die Lösung von d-Matrix nutzt die zweiphasigen Leistungsmodule OptiMOS™ TDM2254xx von Infineon, die eine echte vertikale Stromversorgung und eine hohe Dichte von 1,0 A/mm² ermöglichen. 2026-05-12T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/market-news/2026/infgip202605-086 München, 11. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr Portfolio an XHP™ 2-Leistungsmodulen um neue Varianten mit CoolSiC™ MOSFETs 2300 V, die speziell für Hochspannungs-Energiesysteme entwickelt wurden. Die neuen Bauteile unterstützen Zwischenkreisspannungen von bis zu 1500 V und adressieren damit den Trend hin zu höheren Systemspannungen. Die Module sind in mehreren Varianten erhältlich und bieten Einschaltwiderstände (RDS(on)) von 1 mΩ bis 2 mΩ sowie Isolationsspannungen von wahlweise 4 kV oder 6 kV. Dank der Siliziumkarbid (SiC)-Technologie reduzieren sie sowohl Schalt- als auch Leitverluste gegenüber herkömmlichen siliziumbasierten Lösungen. Dadurch können Entwicklerinnern und Entwickler Wechselrichter mit höherer Effizienz und Leistungsdichte realisieren oder höhere Schaltfrequenzen einsetzen, um Oberschwingungen zu minimieren und die Systemgröße zu reduzieren. Die neuen XHP 2 CoolSiC MOSFET-Module eignen sich besonders für Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien, darunter Windkraft-, Photovoltaik- und Batteriespeichersysteme. 2026-05-11T14:15+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infxx202605-085 München, 11. Mai 2026 – Mit der Startup Challenge bringt Infineon vielversprechende Gründerteams und junge Hightech-Unternehmen aus aller Welt zusammen, um gemeinsam an einem hochaktuellen Thema zu arbeiten: humanoide Robotik. Die Challenge ist ein strukturiertes Innovationsprogramm, um technologische Konzepte gezielt in Richtung marktreifer Anwendungen weiterzuentwickeln. Sie ist Teil des weltweiten Infineon Co-Innovation Programms, in dem Infineon als Technologie- und Entwicklungspartner Innovationen gemeinsam mit Startups vorantreibt. 2026-05-11T10:00+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infxx202605-084 München – 07.05.2026 – Die Full Commission der US International Trade Commission (ITC) hat die vorläufige Feststellung vom Dezember 2025 bestätigt, wonach Innoscience ein Infineon-Patent im Bereich der Galliumnitrid-(GaN)-Technologie verletzt hat. Die Behörde ordnete ein Import- und Verkaufsverbot gegen Innoscience an. Diese Entscheidung und die Unterlassungsverfügungen unterliegen einer 60-tägigen Überprüfungsfrist durch den US-Präsidenten. 2026-05-07T23:50+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infxx202605-082 Neubiberg, 6. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG gibt heute das Ergebnis für das am 31. März 2026 abgelaufene zweite Quartal des Geschäftsjahres 2026 bekannt. 2026-05-06T07:33+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infxx202605-083 München, Deutschland -- 4. Mai 2026 -- Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY), ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern, ist in die Dow Jones Best-in-Class Indizes Global und Europe aufgenommen worden. Dies gab S&P Dow Jones Indices am Freitag in New York bekannt. 2026-05-04T10:00+01:00 https://www.infineon.com/de/market-news/2026/infpss202604-081 •    Valeo und Infineon arbeiten gemeinsam an einem Bodenprojektionsmodul zur Verbesserung der V2X-Kommunikation und Verkehrssicherheit. •    Das Produkt wird auf der AutoBeijing vorgestellt und integriert Infineons MEMS-Technologie in Valeos hochauflösendes Kurzdistanz-Bodenprojektionsmodul mit Zwei-Farben-Ausgabe. München, Deutschland – 27. April 2026 — Infineon und Valeo, ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich automobiler Beleuchtung, arbeiten gemeinsam an einem Kurzdistanz-Bodenprojektionsmodul mit integriertem Laser Beam Scanning (LBS). Ihre erste gemeinsame Innovation wird auf der Auto China 2026 in Peking, China, am Valeo-Stand (Halle B2, Stand B2D01) präsentiert. 2026-04-27T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infpss202604-080 München, Deutschland – 22. April 2026 – Infineon Technologies AG ist ein zentraler Industriepartner zur Beschleunigung des europäischen Bestrebens hin zu praxistauglichen – und letztlich kommerziell nutzbaren – Quantencomputern. Mit erstklassiger Entwicklungs-; und Fertigungskompetenz bringt sich Infineon gleich in drei europäischen Quanten-Pilotlinienprojekten ein: SUPREME, CHAMP-ION und SPINS. 2026-04-22T12:15+01:00 https://www.infineon.com/de/market-news/2026/infpss202404-079 München, 22. April 2026 – Die Infineon Technologies AG wurde mit dem AI Impact Award 2026 für das „GenAI for Test Engineering“-Programm ausgezeichnet. Der Award wird von Manager Magazin und Porsche Consulting vergeben und prämiert Unternehmen, die durch den gezielten Einsatz von künstlicher Intelligenz nachweisbare und messbare Auswirkungen auf ihre Geschäftsergebnisse erzielen. 2026-04-22T10:45+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infxx202604-077 - Strahlungsgehärtete Halbleiter von Infineon unterstützen über zehn Tage im Weltraum das elektronische Rückgrat der NASA-Artemis-II-Orion-Kapsel. - Seit den 1970er-Jahren hat sich die strahlungsgehärtete Technologie von Infineon in Hunderten von Weltraummissionen bewährt. - Erster JANS-qualifizierter und intern produzierter GaN-Transistor mit Strahlungshärte von Infineon setzt Maßstab für Weltraum-Halbleiter. München, Deutschland – 15 April 2026 – Die NASA-Artemis-II-Mission ist nach zehn Tagen im Weltraum, der Näherung an den Mond und der weitesten Entfernung der bemannten Raumfahrt von der Erde erfolgreich zurückgekehrt. Vier Astronaut*innen sind sicher auf der Erde gelandet und mit ihnen der erneute Beweis, dass die strahlungsgehärteten Halbleiterlösungen der Infineon Technologies AG auch unter den extremen Bedingungen des Weltraums zuverlässig funktionieren. Von der kritischen Energieversorgung über Steuerungssysteme bis hin zur Datenkommunikation leisten strahlungsgehärtete Technologien von Infineon aus der IR HiRel (High Reliability)-Division einen wichtigen Beitrag zum elektronischen Rückgrat im Innern der Orion-Kapsel. 2026-04-15T10:30+01:00