| 15.04.2026 10:30 |
Mission erfüllt: Infineon-Technologie bewährt sich erneut bei Mondmission Artemis II im Weltall |
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- Strahlungsgehärtete Halbleiter von Infineon unterstützen über zehn Tage im Weltraum das elektronische Rückgrat der NASA-Artemis-II-Orion-Kapsel.
- Seit den 1970er-Jahren hat sich die strahlungsgehärtete Technologie von Infineon in Hunderten von Weltraummissionen bewährt.
- Erster JANS-qualifizierter und intern produzierter GaN-Transistor mit Strahlungshärte von Infineon setzt Maßstab für Weltraum-Halbleiter.
München, Deutschland 15 April 2026 Die NASA-Artemis-II-Mission ist nach zehn Tagen im Weltraum, der Näherung an den Mond und der weitesten Entfernung der bemannten Raumfahrt von der Erde erfolgreich zurückgekehrt. Vier Astronaut*innen sind sicher auf der Erde gelandet und mit ihnen der erneute Beweis, dass die strahlungsgehärteten Halbleiterlösungen der Infineon Technologies AG auch unter den extremen Bedingungen des Weltraums zuverlässig funktionieren. Von der kritischen Energieversorgung über Steuerungssysteme bis hin zur Datenkommunikation leisten strahlungsgehärtete Technologien von Infineon aus der IR HiRel (High Reliability)-Division einen wichtigen Beitrag zum elektronischen Rückgrat im Innern der Orion-Kapsel. |
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| 13.04.2026 10:15 |
Infineon baut globale Marktführerschaft bei Automotive-Halbleitern aus |
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Infineon ist zum sechsten Mal in Folge globaler Marktführer und vergrößert seinen Vorsprung gegenüber Kern-Wettbewerbern
Starke Nummer‑eins‑Positionen in Europa, China und Südkorea; top‑zwei in Nordamerika und Japan
Deutliche Zugewinne bei Mikrocontrollern: Marktanteil steigt auf 36 Prozent
München, 13. April 2026 Die Infineon Technologies AG hat ihre Position als weltweit führender Anbieter von Halbleitern für die Automobilindustrie erneut bestätigt. Laut der jüngsten Marktanalyse von TechInsights [1] für das Jahr 2025 erreichte Infineon im sechsten Jahr in Folge die Nummer‑eins‑Position und baute gleichzeitig seinen Vorsprung gegenüber Kern-Wettbewerbern weiter aus. Damit bekräftigt das Unternehmen seine Rolle als bevorzugter Partner in einer sich rasant wandelnden Automobilindustrie. |
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| 26.03.2026 10:15 |
Infineon präsentiert erstes TLVR-Vierphasenmodul mit über 2 A/mm² Stromdichte für KI-Rechenzentren der Zukunft |
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München, 26. März 2026 Die Infineon Technologies AG bringt ein Vierphasen-Leistungsmodul mit hoher Stromdichte und TLVR-Induktivitäten (Trans-Inductor Voltage Regulator) auf den Markt, um den Leistungsbedarf moderner KI-Rechenzentren zu decken. Bei dem TDM24745T handelt es sich um ein neues OptiMOS-Vierphasen-Leistungsmodul, das speziell für die rasant steigenden Leistungsanforderungen von KI-Beschleunigern entwickelt wurde. Es integriert vier Leistungsstufen, einen TLVR-Induktor und Entkopplungskondensatoren in einem kompakten Gehäuse mit den Abmessungen 9 x 10 x 5 mm³. Das Modul erreicht eine branchenführende Stromdichte von über 2 A/mm². Diese Kombination ermöglicht ein hervorragendes Transientenverhalten und unterstützt die hohen Kernströme moderner GPU- und KI-Prozessoren. |
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| 24.03.2026 12:15 |
Infineon und DG Matrix nutzen Siliziumkarbid-Technologie zur Weiterentwicklung von Energieinfrastruktur für KI-Rechenzentren |
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Infineon und DG Matrix treiben gemeinsam Solid-State-Transformer-Technologie für KI-Rechenzentren und industrielle Anwendungen voran
Solid-State-Transformer (SSTs) sind fortschrittliche Leistungsumrichter, die konventionelle Transformatoren durch halbleiterbasierte Elektronik ersetzen und dadurch eine wesentlich effizientere Energieumwandlung ermöglichen
Siliziumkarbid‑Leistungshalbleiter von Infineon verbessern Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit der Solid‑State‑Transformer‑Plattform von DG Matrix
München, Deutschland 24. März 2026 Die Infineon Technologies AG und DG Matrix, ein weltweit führender Anbieter von Solid‑State‑Transformatoren (SSTs), steigern gemeinsam die Effizienz der Stromumwandlung bei der Anbindung von KI‑Rechenzentren und industriellen Anwendungen an das öffentliche Stromnetz. Im Rahmen der Zusammenarbeit setzt DG Matrix in seiner Multi-Port-Solid-State-Transformer-Plattform Interport modernste Siliziumkarbid (SiC)-Technologie von Infineon ein. Dies stärkt die Halbleiter‑Lieferkette von DG Matrix und erhöht die Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit seiner SST‑Systeme weltweit. |
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| 16.03.2026 21:30 |
Infineon beschleunigt den Einsatz sicherer Roboter durch digitale Zwillinge in Zusammenarbeit mit NVIDIA |
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München, Deutschland 16. März 2026 Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) hat die Ausweitung ihrer Zusammenarbeit mit NVIDIA bekannt gegeben, um Systemarchitekturen für Physische KI mit Fokus auf humanoide Roboter weiter voranzutreiben. Aufbauend auf der im August 2025 angekündigten Kooperation wollen die Unternehmen die Stärken von Infineon in den Bereichen Motorsteuerung, Mikrocontroller, Leistungssysteme und Sicherheitstechnik mit NVIDIAs KI-, Robotik- und Simulationsplattformen kombinieren. Ziel ist es, das Ökosystem bei der Entwicklung und dem Einsatz humanoider Roboter zu unterstützen. Infineon schließt sich zudem dem NVIDIA Halos AI Systems Inspection Lab an, um an robusten Hardware- und Software-Sicherheitsgrundlagen zu arbeiten und sicherzustellen, dass die Systeme in realen Umgebungen verlässlich operieren können. |
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| 10.03.2026 09:00 |
Infineon baut Führungsposition im globalen Mikrocontroller-Markt aus |
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München, 10. März 2026 Die Infineon Technologies AG baut ihre Nummer‑eins‑Position im globalen Mikrocontroller‑Markt weiter aus. Laut den neuesten Untersuchungen von Omdia steigerte das Unternehmen seinen Anteil am Mikrocontroller‑Gesamtmarkt im Jahr 2025 auf 23,2 Prozent (2024: 21,4 Prozent) und erzielte damit ein Plus von 1,8 Prozentpunkten gegenüber dem Vorjahr der größte Zuwachs unter allen Wettbewerbern. Bemerkenswert ist, dass dieser Marktanteilsgewinn vor dem Hintergrund eines leicht rückläufigen Mikrocontroller‑Marktes (-0,3 Prozent) gelang. |
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