| 14.10.2025 14:15 |
Infineon präsentiert nächste Generation hochintegrierten XENSIV™ 60-GHz-CMOS-Radar für energiesparende IoT-Lösungen |
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München, 14. Oktober 2025 – Die Infineon Technologies AG hat heute ihren hochintegrierten 60-GHz-CMOS-Radarsensor der nächsten Generation vorgestellt. Der Infineon XENSIV™ BGT60CUTR13AIP zielt auf IoT-Lösungen mit extrem niedrigem Stromverbrauch ab und soll zu einem wichtigen Sensor für Physical AI werden, um die Intelligenz von Smart-Home- und IoT-Geräten zu steigern. Der neue Radarsensor wird vollständig von Infineon-Hardware und -Software, Modulen von Drittanbietern und einer übertragbaren FCC-Zertifizierung unterstützt, um eine schnelle Markteinführung zu ermöglichen. |
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| 14.10.2025 10:15 |
Kontaktloser und Dual-Interface-Sicherheitscontroller mit PQC-Zertifizierung von Infineon – ein weiterer Schritt in Richtung einer quantensicheren Welt |
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München, 14. Oktober 2025 – Im Laufe der nächsten zehn Jahre könnten Quantencomputer leistungsfähig genug werden, um viele der heutigen kryptografischen Algorithmen zu kompromittieren und damit eine Vielzahl von Systemen zu gefährden. Langlebige Produkte wie elektronische Ausweisdokumente, IoT-Geräte und Secure Elements benötigen daher schon heute Post-Quantum-Kryptografie (PQC)-fähige Hardware. Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) stellt daher ab sofort eine Common Criteria-zertifizierte Kryptografie-Bibliothek mit den PQC-Algorithmen ML-KEM und ML-DSA für den Infineon SLC27-Sicherheitscontroller zur Verfügung. |
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| 13.10.2025 17:10 |
Infineon setzt neue Maßstäbe mit führender 800-V-Architektur für effiziente und wartungsfreundliche KI-Rechenzentren |
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München, Deutschland und Santa Clara, Kalifornien – 13. Oktober 2025 – Die Infineon Technologies AG unterstützt die von NVIDIA auf der Computex 2025 angekündigte 800-Volt-Gleichstromarchitektur (VDC) für KI-Infrastrukturen. Das exponentielle Wachstum der künstlichen Intelligenz übersteigt zunehmend die Kapazitäten der aktuellen 54-V-Stromversorgungssysteme in Rechenzentren. Die Umstellung auf eine zentralisierte 800-VDC-Architektur reduziert Leistungsverluste und steigert gleichzeitig die Effizienz und Zuverlässigkeit. Die neue Architektur erfordert jedoch neue Lösungen zur Spannungswandlung und erweiterte Sicherheitsmechanismen, um potenzielle Gefahren und kostenintensive Serverausfälle, beispielsweise aufgrund von Wartungs- und Instandhaltungsarbeiten, zu vermeiden. |
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| 09.10.2025 10:15 |
Infineon erweitert Stromschutz-Portfolio für 48-V- und zukünftige 400- und 800-V-KI-Rechenzentren |
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München, 09. Oktober 2025 – Die Infineon Technologies AG hat ihre 48-V-Smart-eFuse-Familie sowie ein Referenzboard für Hot-Swap-Controller für 400-V- und 800-V-Leistungsarchitekturen in KI-Rechenzentren auf den Markt gebracht. Damit können Entwickler eine zuverlässige, robuste und skalierbare Lösung zum Schutz und zur Überwachung des Energieflusses realisieren. |
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| 01.10.2025 10:15 |
Infineon präsentiert die ersten hochdichten Transinduktivitäts-Spannungsregler-Module, optimiert für KI-Rechenzentren |
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München, 01. Oktober 2025 – Infolge des starken Wachstums cloudbasierter Dienste, insbesondere solcher, die künstliche Intelligenz (KI) ermöglichen, sind Rechenzentren mittlerweile für mehr als zwei Prozent des weltweiten Energieverbrauchs verantwortlich. Dieser Anteil wird voraussichtlich weiter steigen; zwischen 2023 und 2030 wird ein exponentielles Wachstum von 165 Prozent prognostiziert. Die kontinuierliche Verbesserung von Effizienz, Leistungsdichte und Signalintegrität bei der Stromumwandlung vom Netz bis zum Prozessor ist daher entscheidend, um die Rechenleistung zu steigern und gleichzeitig die Gesamtbetriebskosten zu senken. Um diesem Bedarf gerecht zu werden, bringt die Infineon Technologies AG das Dual-Phase-Leistungsmodul OptiMOS™ TDM22545T auf den Markt – das branchenweit erste Transinduktivitäts-Spannungsregler-Modul (Trans-Inductance Voltage Regulator; TLVR), das speziell für leistungsstarke KI-Rechenzentren entwickelt wurde. |
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| 30.09.2025 10:45 |
Infineon erweitert das CoolSiC™-Portfolio um 400-V- und 440-V-MOSFETs für leistungs- und rechenintensive Anwendungen |
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München, 30. September 2025 – Die Infineon Technologies AG hat ihr 400-V-CoolSiC™ G2 MOSFET-Portfolio um das Top-Side-Cooled (TSC)-TOLT-Gehäuse sowie die Gehäuse TO-247-3 und TO-247-4 erweitert. Zusätzlich wurden drei neue Produkte im TOLL-Gehäuse mit Nennspannungen von 440 V (Dauerbetrieb) und 455 V (Transienten) eingeführt. Die neuen CoolSiC-MOSFETs bieten ein verbessertes thermisches Verhalten, höhere Systemeffizienz und eine gesteigerte Leistungsdichte. Sie wurden speziell für leistungs- und rechenintensive Anwendungen entwickelt, darunter KI-Server-Stromversorgungen, Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Class-D-Audioverstärker, Motorantriebe und Halbleiter-Schutzschalter. Für diese kritischen Systeme liefern die Bauteile die erforderliche Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. |
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