Presse-Informationen 1 bis 6 von 1825
19.02.2026 16:10 Infineon-Hauptversammlung beschließt stabile Dividende von 0,35 Euro je Aktie / Vorstand und Aufsichtsrat mit großer Mehrheit entlastet
München, Deutschland – 19. Februar 2026 – Die Infineon Technologies AG hat ihre 26. Ordentliche Hauptversammlung erfolgreich durchgeführt. Die Veranstaltung fand in Präsenz in München statt und wurde zudem öffentlich auf der Unternehmenswebsite übertragen.
19.02.2026 09:15 Infineon kündigt Vertragsverlängerung für Jochen Hanebeck und Sven Schneider an
Neubiberg – 19. Februar 2026 – Die Infineon Technologies AG beabsichtigt, vorzeitig die Verträge des Vorstandsvorsitzenden Jochen Hanebeck sowie des Finanzvorstands Dr. Sven Schneider zu verlängern. Der Vertrag von Jochen Hanebeck soll demnach bis Ende März 2032 verlängert werden, der Vertrag von Dr. Sven Schneider bis Ende April 2032. Die Verträge wären planmäßig am 1. April 2027 bzw. am 1. Mai 2027 ausgelaufen. Der offizielle Beschluss des Aufsichtsrats soll im Mai erfolgen.
16.02.2026 10:00 Infineon und die BMW Group gestalten mit der Neuen Klasse gemeinsam die Zukunft softwaredefinierter Fahrzeuge
–    Infineon leistet mit Komponenten für Zentralcomputer, schnelle Datenübermittlung und effizientes Energiemanagement wichtigen Beitrag zur innovativen Architektur der Neuen Klasse der BMW Group
–    Zentralisierte Rechner sorgen durch schnellere Datenverarbeitung und geringere Latenzen für geschmeidigeres Fahrverhalten, größere Reichweite und einfachere Updates
–    Zonale Struktur reduziert Kabelbaum um 600 Meter und steigert Effizienz durch intelligente Stromverteilung um rund 20 Prozent

München, 16. Februar 2026 – Die Infineon Technologies AG trägt entscheidend zur innovativen Architektur für softwaredefinierte Fahrzeuge bei, die die BMW Group mit der Neuen Klasse auf die Straße bringt. Diese Plattform kombiniert Elektrifizierung, Digitalisierung und Nachhaltigkeit und setzt dadurch neue Maßstäbe in individueller Mobilität. Die integrierte und flexible Elektrik/Elektronik-Architektur (E/E-Architektur) der Neuen Klasse ist zukunftsweisend für sicherere, intelligentere und nachhaltigere Mobilitätslösungen. Infineon ermöglicht darin mit seinen Komponenten eine ebenso performante wie zuverlässige Rechenleistung, schnelle Datenverbindungen sowie ein intelligentes und effizientes Energiemanagement. Auf seiner Hauptversammlung (19. Februar) wird Infineon seinen Aktionären diese Beiträge anhand des BMW iX3, des ersten Modells der Plattform, demonstrieren.
10.02.2026 11:31 Infineon platziert Anleihen in Höhe von 2 Milliarden Euro zur Refinanzierung anstehender Fälligkeiten und jüngster Akquisitionen
München, Deutschland – 10. Februar 2026 – Die Infineon Technologies AG hat erfolgreich Unternehmensanleihen mit einem Volumen von 2 Milliarden Euro unter ihrem European Medium Term Notes-Programms (EMTN) platziert. Die Emission war mehrfach überzeichnet und besteht aus drei Tranchen mit unterschiedlichen Laufzeiten. Die Transaktion ermöglicht es Infineon, anstehende Fälligkeiten im Geschäftsjahr 2026 zu refinanzieren. Sie trägt außerdem zur Refinanzierung der EUR-Bankkredite bei, die im Zusammenhang mit der Übernahme des Automotive-Ethernet-Geschäfts von Marvell und zur Finanzierung der geplanten Übernahme des nicht-optischen Analog-/Mixed-Signal-Sensorportfolios von ams OSRAM aufgenommen wurden.
10.02.2026 10:15 Infineon GaN Insights 2026: Technologische Innovationen ebnen Weg für GaN-Wachstum in Leistungshalbleitern
–    Galliumnitrid-Markt bis 2030 bei rund 3 Milliarden US-Dollar; jährliche Wachstumsrate (CAGR) 44 Prozent
–    Innovations-Fortschritte durch Hochvolt-GaN-Bidirektionalschalter von Infineon mit revolutionärem Common-Drain-Design und Double-Gate-Struktur
–    GaN-Leistungshalbleiter erschließen neue Anwendungen, darunter KI, Robotik und Quantencomputing

München, 10. Februar 2026 – Die Leistungselektronik befindet sich im Wandel, angetrieben von der zunehmenden Verbreitung von Halbleiterlösungen auf Basis von Galliumnitrid (GaN). Die Infineon Technologies AG, ein weltweit führender Anbieter von Leistungshalbleitern und IoT, hat heute die jährlichen „GaN Insights 2026“ veröffentlicht und gibt darin einen fundierten Überblick zu GaN-Technologie, Anwendungen und Zukunftsaussichten.
09.02.2026 08:15 TOYOTA setzt im neuen bZ4X-Modell auf Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter von Infineon
München und Tokio, Japan – 9. Februar 2026 – Die Infineon Technologies AG hat heute bekannt gegeben, dass ihre CoolSiC™-MOSFETs, Leistungs-MOSFETs auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), im neuen bZ4X-Modell von Toyota, dem weltweit größten Automobilhersteller, zum Einsatz kommen. Die SiC-MOSFETs werden im On-Board-Ladegerät (OBC) und dem DC/DC-Wandler eingesetzt und nutzen die Vorteile des Materials wie geringe Verluste, eine hohe thermische Belastbarkeit und eine hohe Spannungsfestigkeit, um die Reichweite zu erhöhen und die Ladezeit zu verkürzen.
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