| 30.05.2024 18:00 |
Infineon erhält Baugenehmigung für letzten Bauabschnitt der Smart Power Fab in Dresden |
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Dresden – 30. Mai 2024 – Die Infineon Technologies AG liegt beim Bau der Smart Power Fab in Dresden voll im Zeitplan und leitet den finalen Bauabschnitt ein. Sachsens Ministerpräsident Michael Kretschmer hat im Rahmen eines Besuchs die letzte noch ausstehende Baugenehmigung der Landesdirektion Sachsen für den Neubau offiziell übergeben. Der Aushub der Baugrube ist mittlerweile abgeschlossen. Nun schreitet der Roh- und Hochbau auf dem stellenweise fast zwei Meter dicken Betonfundament voran. Infineon hat im Mai 2023 offiziell den Spatenstich für das neue Werk in Dresden gesetzt. 2026 soll die Produktion starten. Im Zentrum der Fertigung stehen Halbleiter, die die Dekarbonisierung und Digitalisierung befördern. |
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| 29.05.2024 10:15 |
Infineon kündigt nächste Generation von CoolGaN™ Leistungstransistoren in 8-Zoll-Fertigungsprozessen an |
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München, 29. Mai 2024 – Die Infineon Technologies AG hat heute zwei neue Generationen von CoolGaN™ Leistungstransistoren für Hochspannung (HV) und Mittelspannung (MV) angekündigt. Damit können Kunden Galliumnitrid (GaN) in Spannungsklassen von 40 V bis 700 V für eine noch breitere Palette von Anwendungen einsetzen, die die Dekarbonisierung und Digitalisierung vorantreiben. Die beiden neuen Produktfamilien werden in hochleistungsfähigen 8-Zoll-Fertigungsprozessen in Kulim (Malaysia) und Villach (Österreich) hergestellt. Damit baut Infineon seine CoolGaN-Vorteile und -Kapazitäten weiter aus, um stabile Lieferketten auf dem Markt für GaN-Bauelemente zu gewährleisten. Nach Schätzungen der Yole Group wird der Markt in den kommenden fünf Jahren um durchschnittlich 46 Prozent pro Jahr (CAGR) wachsen. |
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| 28.05.2024 10:15 |
PCIM Europe 2024: Infineon treibt die Dekarbonisierung und Digitalisierung mit innovativen Halbleiterlösungen an |
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München, 28. Mai 2024 – Auf der PCIM Europe 2024 zeigt die Infineon Technologies AG, wie ihre neuesten Halbleiter-, Software- und Tooling-Lösungen auf die aktuellen Herausforderungen der grünen und digitalen Transformation eingehen. Unter dem Motto "Driving decarbonization and digitalization. Together." präsentiert Infineon das umfangreichste Leistungselektronik-Portfolio der Branche, das mit Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) alle relevanten Leistungstechnologien umfasst. Das Unternehmen wird in diesem Jahr auf einer größeren Fläche ausstellen, wobei der Hauptstand Nr. 740 in Halle 7 innovative Lösungen auf Si- und SiC-Basis zeigt, während der benachbarte Stand Nr. 169 dem breiten GaN-Portfolio gewidmet ist. Alternativ können sich Besucherinnen und Besucher auch für die digitale Veranstaltungsplattform von Infineon registrieren. |
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| 27.05.2024 10:15 |
Die CoolSiC™ MOSFETs 400 V von Infineon definieren Effizienz und Leistungsdichte in Netzteilen für KI-Server neu |
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München, 27. Mai 2024 – Prozessoren für Künstliche Intelligenz (KI) erfordern zunehmend mehr Leistung. Daher müssen Server-Netzteile (Power Supply Units, PSUs) ebenso eine immer höhere Leistung liefern, ohne dabei die definierten Dimensionen der Server-Racks zu überschreiten. Ursächlich dafür ist der wachsende Energiebedarf von High-Level-Graphic Process Units (GPUs), der bis zum Ende des Jahrzehnts auf 2 kW und mehr pro Chip ansteigen könnte. Diese Anforderungen, sowie die immer anspruchsvolleren Anwendungen und die damit verbundenen spezifischen Kundenbedürfnisse, haben die Infineon Technologies AG dazu veranlasst, die Entwicklung von SiC-MOSFETs auf Spannungen unter 650 V auszuweiten. |
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| 24.05.2024 09:15 |
Infineon stellt Roadmap für hochmoderne und energieeffiziente Stromversorgungseinheiten in KI-Rechenzentren vor |
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München, Deutschland – 24. Mai 2024 – Der Siegeszug der Künstlichen Intelligenz führt zu einem steigenden Energiebedarf von Rechenzentren weltweit. Damit steigen auch die Anforderungen an eine effiziente und zuverlässige Energieversorgung der Server. Die Infineon Technologies AG schlägt vor diesem Hintergrund ein neues Kapitel im Bereich der Energiesysteme für Künstliche Intelligenz auf und stellt eine Roadmap für Power-Supply-Units (PSU) vor, die nicht nur den aktuellen und zukünftigen Energiebedarf von KI-Rechenzentren deckt, sondern gleichzeitig auch das Thema Energieeffizienz in den Fokus rückt. |
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| 23.05.2024 10:15 |
Kontaktlose Authentifizierung und abgesicherte Konfiguration von IoT-Geräten mit dem neuen NFC-I2C-Bridge-Tag von Infineon |
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München, 23. Mai 2024 – IoT-Geräte sind aus dem Alltag nicht mehr wegzudenken und haben bereits alle Branchen durchdrungen. Mit der wachsenden Anzahl von vernetzten Geräten steigen jedoch auch die Anforderungen an ihre Benutzerfreundlichkeit. So soll die Gerätekonfiguration und -kopplung möglichst einfach sein. Mit dem OPTIGA™ Authenticate NBT bringt die Infineon Technologies AG nun ein hochleistungsfähiges NFC-I2C-Bridge-Tag auf den Markt, das die Authentifizierung und abgesicherte Konfiguration von IoT-Geräten mit nur einem Fingertipp erlaubt. Es ist das einzige asymmetrische Kryptographie-Tag für Sign- und Verifizierungsvorgänge auf dem Markt, das vom NFC-Forum als Typ-4-Tag zertifiziert wurde. OPTIGA Authenticate NBT ermöglicht einen ultraschnellen und nahtlosen Datenaustausch auch bei großen Datenmengen. Durch die kontaktlose NFC-Kommunikation (Near Field Communication) zwischen IoT-Geräten und kontaktlosen Lesegeräten wie Smartphones ist OPTIGA Authenticate NBT für Anwendungen wie die gesicherte Konfiguration von elektronischen Geräten ohne Display, die Aktivierung von Shared-Mobility-Fahrzeugen, die passive Inbetriebnahme von stromlosen intelligenten Glühbirnen vor der Installation und die Datenerfassung auf Gesundheitsmonitoren für Patienten ideal geeignet. |
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