| 26.07.2023 14:15 |
Infineon erweitert das PQFN 2x2 mm²-Produktportfolio mit OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs der Spitzenklasse |
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München, 26. Juli 2023 – Kleine Abmessungen von diskreten Leistungs-MOSFETs spielen eine entscheidende Rolle, um Platz zu sparen, Kosten zu senken und das Design von Anwendungen zu vereinfachen. Darüber hinaus kann eine höhere Leistungsdichte zu mehr Flexibilität beim Layout-Routing führen und die Gesamtgröße des Systems reduzieren. Durch die Erweiterung des aktuellen PQFN-2x2-Portfolios mit den neuen OptiMOS-Leistungs-MOSFETs bietet Infineon Benchmark-Lösungen, die Effizienz und Leistung auf kleinstem Raum vereinen. Die neuen Bauelemente eignen sich besonders für Anwendungen wie die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) für Server, Telekommunikation, tragbare und drahtlose Ladegeräte. Weitere Anwendungen sind elektrische Drehzahlregler für kleine bürstenlose Motoren in Drohnen. |
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| 25.07.2023 10:15 |
Mit neuem Integrity Guard 32 von Infineon: TEGRION™ Controller-Familie setzt Maßstäbe bei Sicherheit, Effizienz, Leistung und einfacher Implementierung |
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München – 25. Juli 2023 – Mit der neuen TEGRION™ Sicherheitscontroller-Familie stellt die Infineon Technologies AG ihr bisher umfangreichstes Portfolio an 28-nm-Sicherheitscontrollern vor. Sie integriert die neue Sicherheitsarchitektur „Integrity Guard 32“ und einen erweiterten Arm® v8-M-Befehlssatz für eine verbesserte Geräteleistung. Die TEGRION Sicherheitscontroller bieten einfache Implementierung, schnelles Design-in und kurze Markteinführungszeiten bei gleichzeitiger Unterstützung langer Produktlebenszyklen. Das breite Portfolio an TEGRION Sicherheitscontrollern ist für eine Vielzahl von Anwendungen ausgelegt, von Smart Home, Smart Mobility und Smart Industry bis hin zu Payment, Identity und Lifestyle. |
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| 21.07.2023 11:15 |
Infineon erweitert die Familie der Hochvolt-Superjunction-MOSFET um neue industrie- und automobiltaugliche Schalter für statische Schaltanwendungen |
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München – 21. Juli 2023 – Bei halbleiterbasierten Schaltanwendungen liegt der Fokus auf der Minimierung von Leitungsverlusten, optimiertem thermischen Verhalten und der Umsetzung kompakter und leichter Designs bei gleichzeitig hoher Qualität und niedrigen Kosten. Die Infineon Technologies AG erweitert die CoolMOS™ S7-Familie von Hochvolt-Superjunction (SJ)-MOSFETs, um die Anforderungen der kommenden Generation von Schaltanwendungen zu erfüllen. Die Bausteine zielen auf Schaltnetzteile, Solaranlagen, Batterieschutz, Halbleiterrelais (SSR), Motorstarter und Halbleiterschutzschalter sowie auf SPS, Beleuchtungssteuerung, HV eFuse/eDisconnect und (H)EV On-Board-Charger. |
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| 19.07.2023 14:30 |
Infineon erweitert CoolSiC™ MOSFET-Familie um 650-V-TOLL-Portfolio und ermöglicht bessere thermische Leistung, höhere Leistungsdichte und einfachere Montage |
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München – 19. Juli 2023 – Die Digitalisierung, die Urbanisierung und die zunehmende Elektromobilität prägen die sich rasch verändernde Welt, und der Stromverbrauch erreicht ein nie dagewesenes Niveau. Die Infineon Technologies AG reagiert auf diese Megatrends und präsentiert den Siliziumkarbid (SiC) CoolSiC™ MOSFET 650 V im TO-Leadless (TOLL)-Gehäuse. Die neuen SiC-MOSFETs erweitern das umfassende CoolSiC-Portfolio und sind für niedrigste Verluste, höchste Zuverlässigkeit und einfache Handhabung optimiert. Sie sind vor allem für Anwendungen wie Stromversorgungen für Server, Infrastrukturen für Telekommunikation sowie Energiespeichersysteme und Batterieformationslösungen geeignet. |
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| 18.07.2023 13:15 |
Flexibilität trifft auf erhöhte Leistungsdichte und Leistung: Infineon erweitert 62mm-Portfolio um 1200 V IGBT7 mit neuem maximalen Nennstrom |
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München – 18. Juli 2023 – Infineon Technologies AG stellt ein neues 62mm-Halbbrücken- und Common-Emitter-Modulportfolio vor, das 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7-Chips nutzt. Das breite Angebot für das bewährte 62mm-Gehäuse wird durch die neue 800 A Maximalstromklasse für die Familie erweitert. Die höhere Stromklasse bietet Systementwicklern ein hohes Maß an Flexibilität beim Design von Lösungen mit höherer Stromstärke bei gleichzeitig höherer Leistungsdichte und elektrischer Leistung. Das Portfolio ist auf die Anforderungen von Solar-Zentralwechselrichtern sowie von industriellen Antriebsanwendungen und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) zugeschnitten. Auch das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeichersysteme (ESS) sowie andere neue industrielle Anwendungen können damit abgedeckt werden. |
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| 17.07.2023 14:15 |
Portfolio an Datenerfassungsspeicher erweitert: Infineon stellt den ersten seriellen EXCELON™ F-RAM-Speicher mit 1 Mbit für den Automotive-Bereich sowie einen Speicher mit 4 Mbit vor |
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München – 17. Juli 2023 – Der sich ständig weiterentwickelnde Markt für Fahrzeug- Ereignisdatenspeicher (Event Data Recorders; EDR) treibt die Nachfrage nach speziellen Speicherbauteilen für die Datenerfassung voran. Diese müssen in der Lage sein, kritische Daten sofort zu erfassen und über Jahrzehnte hinweg zuverlässig zu speichern. Die Infineon Technologies AG hat deshalb ihre EXCELON™ F-RAM-Familie um zwei neue ferroelektrische RAM-Speicher (F-RAM) mit Speicherdichten von 1 Mbit und 4 Mbit erweitert. Die 1-Mbit-Bauteile sind die branchenweit ersten seriellen F-RAMs, die für den Einsatz im Automotive-Bereich geeignet sind. |
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