| Presse-Informationen 19 bis 24 von 1591 |
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| 20.03.2024 14:15 |
Edge Machine Learning von Ekkono vereinfacht Implementierung von KI in Automotive-Anwendungen basierend auf AURIX™ TC3x und TC4x von Infineon |
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München und Varberg, Schweden, 20. März 2024 – Jedes Fahrzeug ist einzigartig, was sowohl Automobilzulieferer als auch OEMs vor große Herausforderungen stellt. Die Besonderheiten liegen in der Art und Weise, wie, wo und von wem das Fahrzeug gefahren wird, im Design, im Zweck der Fahrt sowie in den Straßen- und Verkehrsbedingungen, unter denen es betrieben wird. Damit jedes Fahrzeug gut funktioniert und optimal läuft, ist es wichtig, dieses und seine Bedingungen individuell zu kennen und zu verwalten. Die AURIX™-Mikrocontroller (MCU)-Familie der Infineon Technologies AG bietet fortschrittliche Real-Time Computing Hardware, unter anderem für eingebettete KI in sicherheitskritischen Automotive-Anwendungen. Um diese leistungsstarken Funktionen nutzen zu können, bietet der Ökosystempartner Ekkono Solutions jetzt ein einfach zu bedienendes, schnelles und effektives Software Development Kit (SDK) für die Erstellung von KI-Algorithmen für Embedded-Systeme auf Basis von AURIX TC3x und TC4x. |
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| 14.03.2024 10:15 |
Infineon-Partner Thistle Technologies integriert seine Verified-Boot-Technologie in Infineons OPTIGA™ Trust M Security Controller für verbesserte Gerätesicherheit |
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München und San Francisco, USA, 14. März 2024 – Die Infineon Technologies AG hat heute die Integration der Verified-Boot-Technologie von Thistle Technologies, einem Pionier für fortschrittliche Sicherheitslösungen für vernetzte Geräte, in ihren OPTIGA™ Trust M Security Controller bekannt gegeben. Der OPTIGA Trust M verfügt über Sicherheits-Hardware, die nach Common Criteria EAL6+ zertifiziert ist. Durch die Integration der Verified-Boot-Technologie können Entwickler*innen ihre Geräte auf einfache Weise gegen Firmware-Manipulationen schützen und die Integrität der Software-Lieferkette wahren. Das führt zu einer verbesserten Sicherheit für Anwender*innen, was besonders in Branchen mit hohen Sicherheitsanforderungen wie dem Gesundheitswesen, der Automobilindustrie und der Fertigung wichtig ist. |
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| 14.03.2024 08:30 |
Infineon verklagt Innoscience wegen Patentverletzung |
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München – 14. März 2024 – Die Infineon Technologies AG hat über ihre Tochtergesellschaft Infineon Technologies Austria AG in den USA Klage gegen Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd. und Innoscience America, Inc. sowie verbundene Unternehmen (im Folgenden: Innoscience) erhoben. Infineon macht unter anderem einen Unterlassungsanspruch wegen der Verletzung eines US-Patents geltend, das die von Infineon patentierte Galliumnitrid (GaN)-Technologie zum Gegenstand hat. Die Patentansprüche beziehen sich auf wesentliche Eigenschaften von GaN-Leistungshalbleitern und umfassen Innovationen, die die Zuverlässigkeit und die Leistungsfähigkeit der von Infineon entwickelten GaN-Bauelemente gewährleisten. Die Klage wurde beim Bezirksgericht im Northern District of California eingereicht. |
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| 13.03.2024 14:15 |
Infineon setzt mit OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs neue Maßstäbe für verbesserte Leistungsdichte und Effizienz |
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München, 13. März 2024 – Mit der Einführung der OptiMOS™ 6 200 V MOSFET-Produktfamilie ermöglicht die Infineon Technologies AG einen weiteren Entwicklungsschritt für elektrische Antriebe in puncto Effizienz, Leistungsdichte und Systemzuverlässigkeit. Das Portfolio wurde für eine optimale Leistung in Anwendungen wie E-Scootern, Elektrokleinfahrzeugen und E-Gabelstaplern entwickelt. Die Leitverluste und das Schaltverhalten der neuen MOSFET-Generation wurden verbessert. Letzteres reduziert die elektromagnetischen Emissionen (EME) und die Schaltverluste. Das wiederum bietet Vorteile für verschiedene Anwendungen, darunter Server, Telekommunikation, Energiespeichersysteme, Audio und Solar. Des Weiteren eignet sich die Kombination aus einer weiten Safe Operating Area (SOA) und einem branchenführenden Einschaltwiderstand perfekt für statische Schaltanwendungen wie Batteriemanagementsysteme. Mit der Einführung der neuen OptiMOS 6 200 V Produktfamilie setzt Infineon, zum Nutzen seiner Kunden, einen neuen Branchenstandard für Leistungsdichte, Effizienz und Systemzuverlässigkeit. |
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| 12.03.2024 10:15 |
Neue CoolSiC™ MOSFETs 2000 V von Infineon bieten höhere Leistungsdichte ohne Abstriche bei der Systemzuverlässigkeit |
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München, 12. März 2024 – Die Infineon Technologies AG hat die neuen CoolSiC™ MOSFETS 2000 V im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse auf den Markt gebracht und begegnet damit der Nachfrage nach einer höheren Leistungsdichte, ohne Abstriche bei der Systemzuverlässigkeit zu machen, selbst unter anspruchsvollen Hochspannungs- und Schaltfrequenzbedingungen. Die CoolSiC MOSFETs erlauben eine höhere Zwischenkreisspannung im System, sodass die Leistung gesteigert werden kann, ohne den Strom zu erhöhen. Es handelt sich um das erste diskrete Siliziumkarbid-Bauteil mit einer Durchbruchspannung von 2000 V auf dem Markt und ist in einem TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse mit einer Kriechstrecke von 14 mm und einer Luftstrecke von 5,4 mm erhältlich. Mit ihren geringen Schaltverlusten eignen sich die Bauteile bestens für Solaranlagen (z.B. String-Wechselrichter) sowie für Energiespeichersysteme und das Laden von Elektrofahrzeugen. |
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| 05.03.2024 08:15 |
Infineon treibt Dekarbonisierung mit nächster Generation von Siliziumkarbid-Technologie (CoolSiC™ MOSFET G2) für Power-Systeme weiter voran |
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München, Deutschland – 5. März 2024 – Die Infineon Technologies AG schlägt ein neues Kapitel in der Leistungs- und Energieumwandlung auf und stellt die nächste Generation der Siliziumkarbid (SiC) MOSFET-Trench-Technologie vor. Die neue Infineon CoolSiC™ MOSFET 650 V und 1200 V Generation 2 verbessert die Leistungskennzahlen von MOSFETs wie Speicherladung und Verlustenergien um mehr als 20 Prozent ohne dabei die Qualität und Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen. Die Technologie ermöglicht eine höhere Gesamtenergieeffizienz und treibt die Dekarbonisierung weiter voran. |
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