Presse-Informationen 13 bis 18 von 1617
05.06.2024 10:15 Infineon kündigt CoolGaN™ bidirektionale Schalter und Smart Sense Produkttechnologie für leistungsfähigere und kosteneffizientere Power Systeme an
München, 5. Juni 2024 – Die Infineon Technologies AG kündigt zwei neue CoolGaN™-Produkttechnologien an: CoolGaN bidirektionale Schalter (BDS) und CoolGaN Smart Sense. Die CoolGaN BDS-Familie ermöglicht ein weiches und hartes Schalten und umfasst bidirektionale Schalter mit 40 V, 650 V und 850 V. Zu den Zielanwendungen gehören USB-Ports für mobile Geräte, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichrichter. Die CoolGaN Smart Sense-Produkte bieten eine verlustfreie Strommessung, die das Design vereinfacht und die Leistungsverluste weiter reduziert, sowie integrierte Transistorschalterfunktionen in einem einzigen Gehäuse. Sie eignen sich ideal für den Einsatz in USB-C-Ladegeräten und Adaptern.
03.06.2024 10:15 Neue CoolSiC™ MOSFETs 650 V G2 im TOLT- und Thin-TOLL-Gehäuse verbessern die Systemleistungsdichte
München, 3. Juni 2024 – Die Elektronikbranche erlebt einen signifikanten Wandel hin zu kompakteren und leistungsfähigeren Systemen, die durch technologische Fortschritte und den zunehmenden Fokus auf die Dekarbonisierung angetrieben werden. Mit der Einführung der neuen Thin-TOLL 8x8- und TOLT-Gehäuse beschleunigt und unterstützt die Infineon Technologies AG diesen Trend. Die Gehäuse ermöglichen es, das PCB-Mainboard sowie die Tochterkarten maximal auszureizen und berücksichtigen dabei auch die thermischen Anforderungen und Platzbeschränkungen des Systems. Infineon erweitert nun sein Portfolio an diskreten CoolSiC™ MOSFETs 650 V um zwei neue Produktfamilien im Thin-TOLL 8x8- und TOLT-Gehäuse. Sie basieren auf der zweiten Generation (G2) der CoolSiC-Technologie und zeichnen sich durch deutlich verbesserte Figures-of-Merit, eine höhere Zuverlässigkeit und eine bessere Benutzerfreundlichkeit aus. Beide Produktfamilien sind speziell auf hohe und mittlere Frequenzen bei Schaltnetzteilen (SMPS) ausgerichtet, einschließlich KI-Server, erneuerbare Energien, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und große Haushaltsgeräte.
30.05.2024 18:00 Infineon erhält Baugenehmigung für letzten Bauabschnitt der Smart Power Fab in Dresden
Dresden – 30. Mai 2024 – Die Infineon Technologies AG liegt beim Bau der Smart Power Fab in Dresden voll im Zeitplan und leitet den finalen Bauabschnitt ein. Sachsens Ministerpräsident Michael Kretschmer hat im Rahmen eines Besuchs die letzte noch ausstehende Baugenehmigung der Landesdirektion Sachsen für den Neubau offiziell übergeben. Der Aushub der Baugrube ist mittlerweile abgeschlossen. Nun schreitet der Roh- und Hochbau auf dem stellenweise fast zwei Meter dicken Betonfundament voran. Infineon hat im Mai 2023 offiziell den Spatenstich für das neue Werk in Dresden gesetzt. 2026 soll die Produktion starten. Im Zentrum der Fertigung stehen Halbleiter, die die Dekarbonisierung und Digitalisierung befördern.
29.05.2024 10:15 Infineon kündigt nächste Generation von CoolGaN™ Leistungstransistoren in 8-Zoll-Fertigungsprozessen an
München, 29. Mai 2024 – Die Infineon Technologies AG hat heute zwei neue Generationen von CoolGaN™ Leistungstransistoren für Hochspannung (HV) und Mittelspannung (MV) angekündigt. Damit können Kunden Galliumnitrid (GaN) in Spannungsklassen von 40 V bis 700 V für eine noch breitere Palette von Anwendungen einsetzen, die die Dekarbonisierung und Digitalisierung vorantreiben. Die beiden neuen Produktfamilien werden in hochleistungsfähigen 8-Zoll-Fertigungsprozessen in Kulim (Malaysia) und Villach (Österreich) hergestellt. Damit baut Infineon seine CoolGaN-Vorteile und -Kapazitäten weiter aus, um stabile Lieferketten auf dem Markt für GaN-Bauelemente zu gewährleisten. Nach Schätzungen der Yole Group wird der Markt in den kommenden fünf Jahren um durchschnittlich 46 Prozent pro Jahr (CAGR) wachsen.
28.05.2024 10:15 PCIM Europe 2024: Infineon treibt die Dekarbonisierung und Digitalisierung mit innovativen Halbleiterlösungen an
München, 28. Mai 2024 – Auf der PCIM Europe 2024 zeigt die Infineon Technologies AG, wie ihre neuesten Halbleiter-, Software- und Tooling-Lösungen auf die aktuellen Herausforderungen der grünen und digitalen Transformation eingehen. Unter dem Motto "Driving decarbonization and digitalization. Together." präsentiert Infineon das umfangreichste Leistungselektronik-Portfolio der Branche, das mit Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) alle relevanten Leistungstechnologien umfasst. Das Unternehmen wird in diesem Jahr auf einer größeren Fläche ausstellen, wobei der Hauptstand Nr. 740 in Halle 7 innovative Lösungen auf Si- und SiC-Basis zeigt, während der benachbarte Stand Nr. 169 dem breiten GaN-Portfolio gewidmet ist. Alternativ können sich Besucherinnen und Besucher auch für die digitale Veranstaltungsplattform von Infineon registrieren.
27.05.2024 10:15 Die CoolSiC™ MOSFETs 400 V von Infineon definieren Effizienz und Leistungsdichte in Netzteilen für KI-Server neu
München, 27. Mai 2024 – Prozessoren für Künstliche Intelligenz (KI) erfordern zunehmend mehr Leistung. Daher müssen Server-Netzteile (Power Supply Units, PSUs) ebenso eine immer höhere Leistung liefern, ohne dabei die definierten Dimensionen der Server-Racks zu überschreiten. Ursächlich dafür ist der wachsende Energiebedarf von High-Level-Graphic Process Units (GPUs), der bis zum Ende des Jahrzehnts auf 2 kW und mehr pro Chip ansteigen könnte. Diese Anforderungen, sowie die immer anspruchsvolleren Anwendungen und die damit verbundenen spezifischen Kundenbedürfnisse, haben die Infineon Technologies AG dazu veranlasst, die Entwicklung von SiC-MOSFETs auf Spannungen unter 650 V auszuweiten.
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