Presse-Informationen 7 bis 12 von 1617
13.06.2024 11:30 Infineon als „Corporate Brand of the Year” bei den German Brand Awards ausgezeichnet
München – 13. Juni 2024 – Die Infineon Technologies AG hat heute den German Brand Award in der renommierten „Best of Category“ als „Excellent Brands - Corporate Brand of the Year“ erhalten. Der Rat für Formgebung würdigt damit die außergewöhnliche Markenentwicklung von Infineon und unterstreicht das Engagement des Unternehmens, eine konsistente Marke zu etablieren, die nahtlos mit der Unternehmensstrategie harmoniert.
12.06.2024 10:15 Neue OptiMOS™ 7 MOSFETs verbessern Durchlasswiderstand, Robustheit und Schalteffizienz von Automobilanwendungen
München, 12. Juni 2024 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr Portfolio an OptiMOS™ 7-MOSFETs der nächsten Generation für Automobilanwendungen: Die 40-V-Produktfamilie umfasst nun zusätzliche Bauteile in weiteren robusten, bleifreien Gehäusen. Außerdem sind jetzt auch 80-V- und 100-V-MOSFETs verfügbar. Die Bauteile sind für alle Standard- und zukünftigen 48-V-MOSFET-Anwendungen im Auto optimiert, darunter elektrische Servolenkungen, Bremssysteme, Leistungsschalter in neuen Zonenarchitekturen, Batteriemanagement, E-Sicherungsboxen, DC/DC- und BLDC-Antriebe in verschiedenen 12-V- und 48-V-Bordnetzanwendungen. Sie eignen sich auch für andere Anwendungen im Transportbereich wie leichte Elektrofahrzeuge (LEV), e2wheeler, eScooter, eMotorräder sowie Nutz- und Landwirtschaftsfahrzeuge (CAV).
11.06.2024 09:00 Power System Reliability Modeling von Infineon reduziert Energieengpässe und Stromausfälle in Rechenzentren
München – 11. Juni 2024 – Die Infineon Technologies AG präsentiert mit Power System Reliability Modeling eine innovative Lösung für die wachsenden Herausforderungen durch Stromausfälle in den Systemen von Rechenzentren und Telekommunikationsinfrastrukturen. 39 Prozent der Ausfälle sind dort auf Stromausfälle zurückzuführen, mit durchschnittlichen Kosten von 687.700 US-Dollar pro Ausfall. Ein reibungsloser Betrieb und die Begrenzung finanzieller Auswirkungen von Störungen sind daher für Rechenzentren von großer Bedeutung. Durch die Integration der neuen Stromüberwachungslösung von Infineon können Unternehmen ihre betriebliche Ausfallsicherheit erhöhen, ihren ökologischen Fußabdruck verringern und erhebliche Kosteneinsparungen erzielen.
10.06.2024 10:00 Infineon treibt Dekarbonisierung voran und veröffentlicht Daten zum Product Carbon Footprint
München, Deutschland – 10. Juni 2024 – Die Infineon Technologies AG wird künftig Kunden umfassende Daten zum CO2-Fußabdruck individueller Produkte (Product Carbon Footprint, PCF) zur Verfügung stellen und nimmt damit eine Vorreiterrolle in der Halbleiterindustrie ein. Das Unternehmen bekennt sich dazu, Daten letztlich für das gesamte Produktportfolio zur Verfügung zu stellen. Schon heute kann Infineon den CO2-Fußabdruck von mehr als der Hälfte der Produkte bestimmen.
07.06.2024 10:15 Infineon stellt neue 600 V CoolMOS™ S7TA MOSFETs mit integriertem hochpräzisen Temperatursensor vor
München, 7. Juni 2024 – Die Infineon Technologies AG hat den 600 V CoolMOS™ S7TA Superjunction-MOSFET für Power-Management-Anwendungen im Fahrzeug vorgestellt. Der S7TA wurde speziell für die Anforderungen der Automobilelektronik entwickelt und verfügt über einen integrierten Temperatursensor, der die Genauigkeit der Sperrschichttemperaturerfassung deutlich verbessert und auf den Fortschritten des Modells für industrielle Anwendungen (CoolMOS S7T) aufbaut. Zu den daraus resultierenden Vorteilen gehören verbesserte Lebensdauer, Sicherheit und Effizienz, die im Automotive-Bereich von entscheidender Bedeutung sind.
06.06.2024 10:15 Infineon präsentiert neue 600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET Produktfamilie für anspruchsvolle und kosteneffiziente Anwendungen
München, 6. Juni 2024 – Die Infineon Technologies AG stellt die neue 600 V CoolMOS™ 8 Hochspannungs-Superjunction (SJ) MOSFET Produktfamilie vor. Die Bauteile vereinen die besten Eigenschaften der 600 V CoolMOS 7 MOSFET Serie und sind die Nachfolger der Produktfamilien P7, PFD7, C7, CFD7, G7 und S7. Die neuen Superjunction-MOSFETs ermöglichen kostengünstige Lösungen auf Siliziumbasis und bieten neben der Erweiterung des Silizium-Portfolios eine Alternative zu den Produkten von Infineon im Bereich Wide-Band-Gap. Sie sind mit einer integrierten schnellen Body-Diode ausgestattet und eignen sich dadurch für ein breites Spektrum and Anwendungen wie Server- und Industrie-Schaltnetzteile (SMPS), Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und Micro-Solar.
  «« « 1 2 3 4 5 » »»
 
 
 
» Infineon Technologies
» Presse Informationen
» News per E-mail
Registrieren Sie sich hier zu unserem
E-mail Newsletter-Service
» News per RSS-Feed
Presse-Informationen als RSS-Feed abrufen. Aktuell und ohne Registrierung.
» Kontakt Agentur
MEXPERTS AG
Tel.: +49 (0)8143 59744-00
www.mexperts.de