| 09.05.2025 10:15 |
Infineon und Visteon entwickeln fortschrittliche Leistungswandler für Elektrofahrzeuge der nächsten Generation |
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München, 9. Mai 2025 – Die Infineon Technologies AG, führender Anbieter von Halbleiterlösungen für die Automotive-Industrie, und die Visteon Corporation, ein weltweit führender Anbieter von Cockpit-Elektronik, haben eine Absichtserklärung (Memorandum of Understanding, MOU) zur gemeinsamen Entwicklung von Antriebssträngen der nächsten Generation für Elektrofahrzeuge unterzeichnet. |
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| 08.05.2025 14:15 |
Infineon NOR-Flash-Speicherfamilie SEMPER™ erhält ASIL-D-Zertifizierung für funktionale Sicherheit |
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München, 8. Mai 2025 – Der branchenführende SEMPER™ NOR-Flash-Speicher der Infineon Technologies AG wurde von SGS-TÜV nach ASIL-D, der höchsten Zertifizierungsstufe für funktionale Sicherheit, zertifiziert. Nach einer umfassenden Analyse der Produktsicherheitsdokumentation gemäß der Norm ISO 26262:2018 haben externe Experten der renommierten Prüfgesellschaft bestätigt, dass die SEMPER-Bauteile die strengsten Sicherheitsanforderungen für Automotive-Anwendungen erfüllen. |
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| 08.05.2025 07:45 |
Bundesregierung erteilt grünes Licht für Förderung der neuen Fabrik von Infineon in Dresden |
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München/Dresden – 7. Mai 2025 – Infineon hat die abschließende Bestätigung des Bundesministeriums für Wirtschaft und Klimaschutz für die Förderung seines neuen Werks in Dresden (Smart Power Fab) erhalten. Mit der Erweiterung des Standortes wird Infineon die Kundennachfrage beispielsweise nach erneuerbaren Energien, effizienten Rechenzentren und Elektromobilität bedienen. Infineon selbst investiert fünf Milliarden Euro und schafft dadurch bis zu 1.000 neue Arbeitsplätze, wobei darin die zusätzlich im Umfeld der Investition entstehenden Jobs noch nicht berücksichtigt sind. Experten gehen von einem positiven Jobeffekt von 1:6 aus. Darüber hinaus investiert Infineon in Dresden auch über seine Beteiligung am Joint Venture „European Semiconductor Manufacturing Company (ESMC) GmbH“. |
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| 08.05.2025 07:35 |
Umsatzanstieg im zweiten Quartal bestätigt die erwartete geschäftliche Belebung. Zollauseinandersetzungen führen zu Unsicherheit in der zweiten Hälfte des Geschäftsjahres, zudem wirken negative Währungseffekte |
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Neubiberg, 8. Mai 2025 – Die Infineon Technologies AG gibt heute das Ergebnis für das am 31. März 2025 abgelaufene zweite Quartal des Geschäftsjahres 2025 bekannt. |
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| 07.05.2025 10:15 |
Infineon OptiMOS™ 6 80 V MOSFET setzt neue Maßstäbe bei energieeffizienter DC-DC-Wandlung in führender KI-Server-Plattform |
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München, 7. Mai 2025 – Grafikprozessoren (GPUs) werden immer leistungsfähiger und somit steigen auch die Leistungsanforderungen auf der Board-Ebene. Intermediate Bus Converters (IBCs) – welche beispielsweise eine 48-V-Eingangsspannung in eine niedrigere Busspannung umwandeln – werden immer wichtiger für Energieeffizienz, Leistungsdichte und thermische Leistung in KI-Rechenzentren. Die Infineon Technologies AG gab bekannt, dass ihre OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs in einem kompakten 5x6 mm² großen DSC-Gehäuse (Dual Side Cooling) in die IBC-Stufe einer KI-Serverplattform eines weltweit führenden Prozessorherstellers integriert wurden. Anwendungstests zeigen eine Effizienzsteigerung von rund 0,4 Prozent im Vergleich zu bisher verwendeten Lösungen, was einer Einsparung von ungefähr 4,3 W pro kW Last entspricht. Bei der Übertragung auf Serverracks oder ganzen Rechenzentren führt dies zu erheblichen Energieeinsparungen auf Systemebene. In einem hypothetischen Rechenzentrum mit 2.000 Racks würde dies beispielsweise in einer Energieeinsparung von über 1,2 MWh pro Stunde resultieren. Dies entspricht der Energie, die zum Aufladen von 25 kleinen Elektrofahrzeugen benötigt wird. Die Folgen dieser Entwicklung sind weitreichend: Sie ermöglichen Betreibern von Rechenzentren, Kosten zu sparen und CO2-Emissionen zu verringern. |
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| 06.05.2025 10:15 |
Wegbereiter für Elektromobilität und industrielle Effizienz: Infineon setzt mit SiC-Superjunction-Technologie neue Maßstäbe |
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München, 6. Mai 2024 – Die Infineon Technologies AG gilt als Vorreiter bei der Markteinführung von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) sowie bei der Entwicklung der Trench-Technologie für SiC-MOSFETs, die exzellente Leistung mit hoher Robustheit kombinieren. Das CoolSiC™-Portfolio reicht heute von 400 V bis 3,3 kV und deckt ein breites Anwendungsspektrum ab, darunter elektrische Antriebe in Fahrzeugen, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Photovoltaik-Anlagen, Energiespeichersysteme und Hochleistungs-Traktionswechselrichter. Infineon baut nun auf seiner starken Erfolgsbilanz bei der Kommerzialisierung von SiC-Anwendungen und seiner Rolle als Vorreiter bei ladungskompensierten Silizium-Bauteilen (CoolMOS™) auf und stellt ein neues, Trench-basiertes SiC-Superjunction (TSJ)-Technologiekonzept vor. |
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