Presse-Informationen 1 bis 6 von 254
08.10.2026 14:00 ROHM präsentiert auf der electronica 2026 Technologien für KI, Mobilität der nächsten Generation und Industrieinnovationen
Willich-Münchheide, 8. Oktober 2026 – ROHM Semiconductor Europe wird einmal mehr auf der electronica 2026, vom 10. bis 13. November 2026 in München, vertreten sein. Besucher treffen das ROHM-Team in Halle C3, Stand 520, wo das Unternehmen seine neuesten Leistungs- und Analoghalbleiterlösungen für KI-Infrastruktur, Elektromobilität, industrielle Automatisierung und elektronische Systeme der nächsten Generation vorstellen wird.
17.09.2026 09:00 Siliziumkarbid von ROHM unterstützt die elektrische Antriebsarchitektur der „Neuen Klasse“ von BMW
Willich-Münchheide, 17. September 2026 – ROHM Semiconductor gibt bekannt, dass seine innovativen Leistungshalbleiterlösungen in Elektrofahrzeug-Plattformen eines weltweit führenden Premium-Automobilherstellers zum Einsatz kommen. In der „Neuen Klasse“ von BMW gewährleisten die SiC-Chips (Siliziumkarbid) von ROHM eine hohe Effizienz, Leistung und Zuverlässigkeit der elektrischen Antriebssysteme.
15.09.2026 14:00 ROHM präsentiert MOSFET mit branchenführendem* Wide-SOA für Sicherheitsfunktionen und Schutzschaltungen im Automobilbereich
Willich-Münchheide, 15. September 2026 – ROHM hat mit dem RS4P063BPHZG einen 100-V-MOSFET entwickelt, der für Sicherheitsfunktionen und Schutzschaltungen im Automobilbereich optimiert ist. Das neue Produkt zeichnet sich durch einen branchenführend* großen sicheren Betriebsbereich (Wide Safe Operating Area, Wide-SOA) über einen breiten Spannungsbereich aus. Es ist im Standardgehäuse HPLF5060 (Größe 5060) erhältlich, welches in Automobilanwendungen weit verbreitet ist. Durch die Integration eines Designs, das Sekundärdurchschläge wirksam unterdrückt, bietet der RS4P063BPHZG bei VDS = 100 V und PW = 100 μs eine etwa fünfmal so hohe SOA-Toleranz wie Standardprodukte gleicher Baugröße. Dies erhöht die Zuverlässigkeit von Automobilanwendungen, die kurzzeitigen Hochleistungslasten ausgesetzt sind. Dazu zählen beispielweise Zündschaltungen für Airbag-Gasgeneratoren und Ansteuerschaltungen für Sicherheitsgurt-Gurtstraffer.
10.09.2026 14:00 ROHMs neue Chip-Widerstände der SDR01-Serie mit hoher Überspannungsfestigkeit erreichen in der Baugröße 0402 eine Nennleistung von 0,33 W
Willich-Münchheide, 10. September 2026 – ROHM bietet mit der „SDR01 Serie“ Chip-Widerstände mit hoher Überspannungsfestigkeit, die in der Baugröße 0402 (Metrisch: 1005) eine in ihrer Klasse führende* Nennleistung von 0,33 W erzielen. Die Serie wurde für elektronische Geräte konzipiert, bei denen die Bestückungsdichte stetig zunimmt. Sie eignet sich besonders für Anwendungen im Automobil, in der Industrie und Unterhaltungselektronik sowie für KI-Server. Die neuen Produkte helfen, Platz auf der Leiterplatte zu sparen und die Anzahl der Bauteile zu reduzieren. Sie gestatten den Austausch größerer Widerstände sowie die Zusammenfassung mehrerer Widerstände, ohne die für Überspannungsschutz-Chipwiderstände erforderliche Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.
25.08.2026 14:00 ROHM präsentiert 650-V-IGBTs mit branchenweit führenden* niedrigen Durchlassverlusten
Willich-Münchheide, 25. August 2026 – ROHM hat 650-V-IGBTs der 4. Generation entwickelt. Diese eignen sich ideal für elektrische Kompressoren und Hochspannungs-heizungen in Fahrzeugen sowie für Wechselrichter in Industrieanlagen. Als Produkte der 650-V-Klasse in Automobilqualität erzielen die neuen IGBTs mit VCE(sat) = 1,55 V branchenführende* niedrige Durchlassverluste. Zudem bieten sie eine hohe Kurzschlussfestigkeit und erfüllen die Automobil-Zuverlässigkeitsnorm AEC-Q101.
04.08.2026 14:00 ROHMs Terahertz-Oszillatorbauelement der zweiten Generation liefert viermal höhere Ausgangsleistung
Willich-Münchheide, 4. August 2026ROHM hat ein Terahertz (THz)-Oszillatorbauelement der zweiten Generation auf Basis von Halbleiterelementen, sogenannten Resonanz-Tunneldioden (RTDs), entwickelt. ROHM stellt das Bauelement über das Terahertz-Wellen-Evaluierungskit „RTD-EVK-G2“ zur Verfügung. Dieses enthält ein Musterbauelement, ein Kabel und eine Evaluierungsplatine. Mithilfe des Kits können Unternehmen und Forschungseinrichtungen, die Generierung und Detektion von THz-Wellen in einer kompakten Entwicklungsumgebung evaluieren.
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