http://www.presseagentur.com/?lang=en Communicati Stampa ROHM Semiconductor (Provided by MEXPERTS AG) it-IT ROHM Semiconductor MEXPERTS AG (info@mexperts.de) Copyright 2010 MEXPERTS AG 2026-09-13T08:51+01:00 http://www.presseagentur.com/?lang=en http://www.presseagentur.com/pics/rdf_logo.gif http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7796&lang=it Willich-Münchheide, Germania, 10 settembre 2026 – ROHM ha sviluppato la "serie SDR01" di resistori a chip anti-surge, che offre una potenza nominale leader della categoria* pari a 0,33 W nel formato 0402 (1005 metrico). Progettata per apparecchiature elettroniche con densità di montaggio in costante aumento, questa serie è particolarmente adatta per applicazioni nei settori automotive, industriale, dell'elettronica di consumo e dei server per l'intelligenza artificiale. I nuovi prodotti consentono di risparmiare spazio sulla scheda e di ridurre il numero di componenti, grazie alla possibilità di sostituire i resistori di dimensioni maggiori e di raggruppare i resistori, pur mantenendo l'affidabilità richiesta ai resistori a chip anti-surge. 2026-09-10T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7780&lang=it Willich-Münchheide, Germania, 25 agosto 2026 – ROHM ha sviluppato la quarta generazione di IGBT da 650 V, ideale per compressori elettrici e resistori ad alta tensione destinati al settore automotive, nonché per inverter utilizzabili in apparecchiature industriali. In quanto prodotti da 650 V destinati al settore automotive, i nuovi IGBT raggiungono perdite di conduzione ai minimi livelli della categoria* con VCE(sat) = 1,55 V, garantendo al contempo un’elevata tolleranza al cortocircuito e la conformità allo standard di affidabilità del settore automotive AEC-Q101. 2026-08-25T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7772&lang=it Willich-Münchheide, Germania, agosto 4, 2026 – ROHM ha sviluppato un dispositivo di generazione di onde terahertz (THz) di seconda generazione che utilizza elementi semiconduttori noti come diodi a tunnel risonante (RTD). ROHM mette a disposizione il dispositivo tramite il kit di valutazione RTD-EVK-G2 per dispositivi a onde terahertz, che comprende un dispositivo campione, un cavo e un'evaluation board. Il kit consente alle aziende e agli istituti di ricerca di valutare l'oscillazione e il rilevamento delle onde THz in un ambiente di sviluppo compatto. 2026-08-04T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7764&lang=it Willich-Münchheide, Germania, 30 luglio 2026 – ROHM Co., Ltd. annuncia il lancio della versione in lingua inglese dell'Engineer Social Hub, una piattaforma online progettata per rendere più accessibili agli ingegneri le informazioni tecniche, il know-how e l'assistenza offerti da ROHM. L'Engineer Social Hub riunisce in un unico luogo i contenuti tecnici di ROHM relativi ai prodotti e alle soluzioni nel settore dei semiconduttori. Grazie alle FAQ specifiche per ciascun prodotto, alle discussioni e a un chatbot, gli utenti possono cercare soluzioni a domande di natura tecnica e ottenere assistenza diretta dagli ingegneri di ROHM. 2026-07-30T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7761&lang=it Willich-Münchheide, Germania, 22 luglio 2026 – ROHM ha sviluppato una nuova evaluation board, la BD83070GWL-EVK-002. È stata progettata per illustrare in modo esaustivo le caratteristiche del modello BD83070GWL di circuito integrato per convertitori DC-DC, che combina un'elevata efficienza con un consumo di corrente estremamente basso. 2026-07-22T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7754&lang=it Willich-Münchheide, Germania, 09 luglio 2026 – ROHM ha sviluppato una nuova line-up di MOSFET Super Junction da 600 V, vale a dire le serie R60xxXNx e R60xxWNx. 2026-07-09T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7729&lang=it Willich-Münchheide, Germania, 17 giugno 2026 – ROHM ha sviluppato la "Serie AG16xFNxx", una line-up di MOSFET di potenza da 80 V progettati per sistemi di alimentazione a 48 V, sempre più diffusi nelle applicazioni del settore automotive. 2026-06-17T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7720&lang=it Willich-Münchheide, Germania, 09 giugno 2026 – ROHM ha sviluppato il package TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) per MOSFET SiC. Grazie all'adozione di una struttura di dissipazione del calore top-side, che colloca la superficie di dissipazione del calore sulla parte superiore del package, il nuovo prodotto consente il montaggio automatizzato, ottenendo al contempo prestazioni di dissipazione del calore paragonabili a quelle dei tradizionali package through-hole (TO-247-4L). Ciò contribuisce ad aumentare l'efficienza e l'affidabilità dei circuiti di conversione di potenza per i caricabatterie di bordo (OBC) e dei compressori elettrici utilizzati negli xEV (veicoli elettrici). 2026-06-09T09:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7718&lang=it Willich-Münchheide, Germania, 03 giugno 2026 – ROHM ha annunciato che il suo MOSFET SiC da 750 V è stato adottato in una BBU (Battery Backup Unit o unità della batteria di backup) destinata agli alimentatori dei server per IA. L'ascesa dell'IA generativa ha determinato uno spostamento dei sistemi di alimentazione dei server per IA verso tensioni più elevate e la loro rapida transizione ad architetture HVDC (corrente continua ad alta tensione). In questo scenario è stato scelto il dispositivo di potenza SiC di ROHM perché in grado di supportare i sistemi di alimentazione di prossima generazione. 2026-06-03T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7703&lang=it Willich-Münchheide, Germania, 28 maggio 2026 – ROHM ha lanciato il simulatore ROHM PLECS Simulator sul suo sito ufficiale. Questo strumento di simulazione consente ai progettisti di circuiti elettronici di potenza e ai progettisti di sistemi di simulare rapidamente online il funzionamento dei dispositivi di potenza ROHM. Lo strumento si basa sul software di simulazione PLECS. 2026-05-28T14:00+01:00