http://www.presseagentur.com/?lang=en Communiqués de Presse de ROHM Semiconductor (Provided by MEXPERTS AG) fr-FR ROHM Semiconductor MEXPERTS AG (info@mexperts.de) Copyright 2010 MEXPERTS AG 2026-09-19T21:40+01:00 http://www.presseagentur.com/?lang=en http://www.presseagentur.com/pics/rdf_logo.gif http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7801&lang=fr Willich-Münchheide, 17 septembre 2026 – ROHM Semiconductor annonce que ses solutions innovantes de semiconducteurs de puissance sont utilisées dans les plateformes de véhicules électriques d’un constructeur automobile de premier plan. Dans la gamme « Neue Klasse » de BMW, les puces en SiC (carbure de silicium) de ROHM contribuent à améliorer l’efficacité, les performances et la fiabilité des systèmes de propulsion électrique du véhicule. 2026-09-17T09:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7799&lang=fr Willich-Münchheide, Allemagne, 15 septembre 2026 – ROHM a développé le RS4P063BPHZG, un MOSFET 100V optimisé pour les fonctions de sécurité automobile et les circuits de protection. Le nouveau produit offre une zone de fonctionnement sécurisé (SAO) à la pointe de l’industrie* sur une large plage de tensions, grâce à son boîtier standard HPLF5060 (format 5060), très répandu dans les applications automobiles. En incorporant une conception qui supprime efficacement le claquage secondaire, il assure une tolérance de zone de fonctionnement sécurisé environ 5 fois supérieure à celle des produits conventionnels de taille équivalente dans des conditions de VDS=100V et PW=100μs. Cela contribue à une plus grande fiabilité dans les applications automobiles soumises à des charges momentanées de forte puissance, comme les circuits d’allumage du gonfleur d’airbag et les circuits d’entraînement du prétensionneur de la ceinture de sécurité. 2026-09-15T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7796&lang=fr Willich-Münchheide, Allemagne, 10 septembre 2026 – ROHM a mis au point la « série SDR01 » des pavés résistifs à haute résistance aux surtensions, offrant une puissance nominale de 0,33W, la plus élevée de sa catégorie*, dans le format 0402 (1005 métrique). Cette série est conçue pour les équipements électroniques dont les densités de montage ne cessent d’augmenter. Elle est particulièrement adaptée aux applications d’électronique automobile, industrielle et grand public ainsi qu’aux serveurs d’intelligence artificielle. Ces dernières innovations offrent un gain de place sur la carte et une réduction du nombre de composants grâce à leur capacité à remplacer les résistances volumineuses et à regrouper plusieurs résistances, tout en assurant la fiabilité nécessaire pour les pavés résistifs anti-surtension. 2026-09-10T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7780&lang=fr Willich-Münchheide, Allemagne, le 25 août 2026 – ROHM a mis au point des IGBT de 4e génération de 650V, spécifiquement conçus pour les compresseurs électriques et les réchauffeurs haute tension pour l’automobile, ainsi que pour les onduleurs destinés à l’équipement industriel. Ces nouveaux IGBT, de qualité automobile et fonctionnant à une tension de 650V, présentent des pertes de conduction parmi les plus basses de leur catégorie*, avec une tension VCE(sat) de seulement 1,55V. Ils offrent en outre une résistance accrue aux courts-circuits et se conforment à la norme de fiabilité automobile AEC-Q101. 2026-08-25T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7772&lang=fr Willich-Münchheide, 4. Août 2026 – ROHM a mis au point un appareil d’oscillation d’ondes térahertz (THz) de 2e génération fonctionnant avec des composants semiconducteurs appelés « diodes à effet tunnel résonnant » (Resonant Tunneling Diodes ou RTD). ROHM propose cet appareil à travers le kit d’évaluation d’appareil à ondes térahertz RTD-EVK-G2, qui contient un échantillon de l’appareil, un câble et une carte d’évaluation. Ce kit permet aux entreprises et aux instituts de recherche d’évaluer l’oscillation et la détection d’ondes THz dans un environnement de développement compact. 2026-08-04T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7764&lang=fr Willich-Münchheide, Allemagne, 30 juillet 2026 – ROHM Co., Ltd. annonce le lancement de la version en anglais d’Engineer Social Hub, une plateforme en ligne visant à faciliter l’accès des ingénieurs aux informations techniques, à l’expertise et à l’assistance de ROHM. Engineer Social Hub rassemble l’ensemble des ressources techniques de ROHM relatives à ses produits et solutions de semiconducteurs. Grâce à des FAQ et à des discussions spécifiques à chaque produit, ainsi qu’à un agent conversationnel, les utilisateurs peuvent rechercher des solutions à leurs questions techniques et recevoir une assistance immédiate de la part des ingénieurs de ROHM. 2026-07-30T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7761&lang=fr Willich-Münchheide, Allemagne, 22 juillet 2026 – ROHM a mis au point une nouvelle carte d’évaluation, la BD83070GWL-EVK-002. Elle est conçue pour démontrer de manière optimale les fonctionnalités du circuit intégré de convertisseur DC-DC BD83070GWL, qui combine un rendement élevé et une basse consommation d’énergie. 2026-07-22T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7754&lang=fr Willich-Münchheide, Allemagne, 09 juillet 2026 – ROHM a développé une nouvelle gamme de MOSFET à super-jonction de 600V, les séries R60xxXNx et R60xxWNx. 2026-07-09T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7729&lang=fr Willich-Münchheide, Allemagne, 17 juin 2026 – ROHM a développé la « série AG16xFNxx », une gamme de MOSFET de puissance 80V conçus pour les systèmes d’alimentation 48V, qui gagnent en popularité dans les applications automobiles. 2026-06-17T14:00+01:00 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7720&lang=fr Willich-Münchheide, Allemagne, 09 juin 2026 – ROHM a développé le boîtier TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50mm) pour les MOSFET SiC. Le nouveau produit adopte une structure de dissipation de la chaleur par le haut qui place la surface de dissipation de la chaleur sur le dessus du boîtier. Grâce à cette architecture, il permet un assemblage automatisé, tout en offrant des capacités de dissipation thermique similaires à celles des boîtiers à trous traversants conventionnels (TO-247-4L). Cela permet d’améliorer l’efficacité et la fiabilité des circuits de conversion d’énergie pour les chargeurs embarqués (OBC) et les compresseurs électriques utilisés dans les xEV (véhicules électriques). 2026-06-09T09:00+01:00