Press Releases of ROHM Semiconductor http://www.presseagentur.com/?lang=en Latest press releases of ROHM Semiconductor (Provided by MEXPERTS AG) es-ES ROHM Semiconductor MEXPERTS AG (info@mexperts.de) Copyright 2010 MEXPERTS AG 2026-09-16T21:07+01:00 presseagentur.com - the press portal of MEXPERTS AG http://www.presseagentur.com/?lang=en http://www.presseagentur.com/pics/rdf_logo.gif ROHM lanza un MOSFET con SOA amplia líder del sector* para funciones de seguridad del automóvil y circuitos de protección http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7799&lang=es Willich-Münchheide, Alemania, 15 de septiembre de 2026 – ROHM ha desarrollado el RS4P063BPHZG, un MOSFET de 100 V optimizado para funciones de seguridad del automóvil y circuitos de protección. El nuevo producto logra una SOA (área segura de funcionamiento) amplia líder del sector* en un amplio rango de tensiones en el encapsulado estándar HPLF5060 (tamaño 5060), ampliamente utilizado en aplicaciones de automoción. Al incorporar un diseño que suprime eficazmente la ruptura secundaria, ofrece una tolerancia SOA aproximadamente 5 veces superior a la de productos estándar de tamaño equivalente en condiciones de VDS=100 V y PW=100 μs. Esto contribuye a una mayor fiabilidad en aplicaciones de automoción sometidas a cargas momentáneas de alta potencia, incluidos los circuitos de encendido del inflador del airbag y los circuitos de accionamiento del pretensor del cinturón de seguridad. 2026-09-15T14:00+01:00 Las nuevas resistencias en chip de la serie SDR01 de ROHM, con alta resistencia contra sobretensiones, alcanzan una potencia nominal de 0,33 W en el tamaño 0402 http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7796&lang=es Willich-Münchheide, Alemania, 10 de septiembre de 2026 – ROHM ha desarrollado la «serie SDR01» de resistencias en chip con alta resistencia contra sobretensiones que ofrecen una potencia nominal líder en su clase* de 0,33 W en el tamaño 0402 (1005 métrico). Diseñada para equipos electrónicos en los que la densidad de montaje no deja de aumentar, esta serie resulta ideal para aplicaciones en los sectores de la automoción, la industria, la electrónica de consumo y los servidores de IA. Los nuevos productos permiten ahorrar espacio en la placa y reducir el número de componentes, ya que permiten sustituir las resistencias de mayor tamaño y reducir el número de resistencias necesarias, al tiempo que mantienen la fiabilidad que se exige a las resistencias en chip contra sobretensiones. 2026-09-10T14:00+01:00 ROHM presenta los IGBT de 650 V que alcanzan unas características de bajas pérdidas líderes en el sector* http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7780&lang=es Willich-Münchheide, Alemania, 25 de agosto de 2026 – ROHM ha desarrollado IGBT de 4.ª generación de 650 V, ideales para compresores eléctricos y calentadores de alta tensión del sector de la automoción, así como para inversores destinados a equipos industriales. Como productos de la clase de 650 V de calidad automotriz, los nuevos IGBT alcanzan unas bajas pérdidas por conducción líderes en su categoría* con un VCE(sat) de 1,55 V, al tiempo que ofrecen una alta tolerancia al cortocircuito y cumplen con la norma de fiabilidad para automoción AEC-Q101. 2026-08-25T14:00+01:00 El nuevo dispositivo de oscilación de ondas de terahercios de 2.ª generación de ROHM ofrece una potencia de salida cuatro veces superior http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7772&lang=es Willich-Münchheide, Alemania, 4 de agosto de 2026 – ROHM ha desarrollado un dispositivo de oscilación de ondas de terahercios (THz) de 2.ª generación que utiliza elementos semiconductores conocidos como diodos de túnel resonante (RTD, por sus siglas en inglés). ROHM pone a disposición este dispositivo a través del kit de evaluación de dispositivos de ondas de terahercios RTD-EVK-G2, que incluye un dispositivo de muestra, un cable y una placa de evaluación. Este kit permite a las empresas y a las instituciones de investigación evaluar la oscilación y la detección de ondas de THz en un entorno de desarrollo compacto. 2026-08-04T14:00+01:00 ROHM lanza «Engineer Social Hub»: los ingenieros asisten a otros ingenieros http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7764&lang=es Willich-Münchheide, Alemania, 30 de julio de 2026 – ROHM Co., Ltd. anuncia el lanzamiento de la versión en inglés de Engineer Social Hub, una plataforma en línea diseñada para facilitar a los ingenieros el acceso a la información técnica, los conocimientos prácticos y la asistencia de ROHM. Engineer Social Hub reúne en una sola plataforma los contenidos técnicos de ROHM relacionados con productos y soluciones de semiconductores. A través de las preguntas frecuentes y los foros de debate específicos para cada producto, así como de un chatbot, los usuarios pueden buscar soluciones a sus dudas técnicas y obtener asistencia directa de los ingenieros de ROHM. 2026-07-30T14:00+01:00 Nueva placa de evaluación DC-DC Buck-Boost para montaje ultracompacto http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7761&lang=es Willich-Münchheide, Alemania, 22 de julio de 2026 – ROHM ha desarrollado una nueva placa de evaluación, la BD83070GWL-EVK-002. Está diseñada para mostrar plenamente las características del circuito integrado de convertidor DC-DC BD83070GWL, que combina una alta eficiencia con un consumo de corriente ultrabajo. 2026-07-22T14:00+01:00 ROHM lanza al mercado los MOSFET de super-junction de 600 V en encapsulado de montaje superficial con un alto rendimiento térmico http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7754&lang=es Willich-Münchheide, Alemania, 09 de julio de 2026 – ROHM ha desarrollado una nueva gama de MOSFET de superconexión de 600 V, las series R60xxXNx y R60xxWNx. 2026-07-09T14:00+01:00 ROHM lanza los MOSFET de la serie AG16xFNxx para sistemas de alimentación eléctrica de 48 V para automoción http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7729&lang=es Willich-Münchheide, Alemania, 17 de junio de 2026 - ROHM ha desarrollado la «serie AG16xFNxx», una gama de MOSFET de potencia de 80 V diseñada para sistemas de alimentación eléctrica de 48 V, cada vez más comunes en aplicaciones de automoción. 2026-06-17T14:00+01:00 ROHM lanza un nuevo encapsulado con refrigeración por la parte superior para MOSFET de SiC, que combina alta disipación de calor con compatibilidad para alta tensión http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7720&lang=es Willich-Münchheide, Alemania, 09 de junio de 2026 - ROHM ha desarrollado el encapsulado TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) para MOSFET de SiC. Al adoptar una estructura de disipación de calor por la parte superior que coloca la superficie de disipación de calor en el lado superior del encapsulado, el nuevo producto permite un montaje automatizado al tiempo que logra un rendimiento de disipación de calor comparable al de los encapsulados convencionales con orificios pasantes (TO-247-4L). Esto contribuye a una mayor eficiencia y fiabilidad en los circuitos de conversión de potencia para cargadores a bordo (OBC) y compresores eléctricos utilizados en los xEV (vehículos eléctricos). 2026-06-09T09:00+01:00 Un MOSFET de SiC de ROHM incorporado a una BBU para servidores de IA como respuesta al avance de las arquitecturas HVDC http://www.presseagentur.com/rohm/detail.php?pr_id=7718&lang=es Willich-Münchheide, Alemania, 03 de junio de 2026 - ROHM ha anunciado que su MOSFET de SiC de 750 V ha sido incorporado a una unidad de respaldo por batería (BBU, por sus siglas en inglés) para fuentes de alimentación de servidores de IA. Con el auge de la IA generativa, los sistemas de alimentación para servidores de IA están cambiando a tensiones más altas y pasando rápidamente a arquitecturas HVDC (corriente continua de alta tensión). En este entorno, el dispositivo de ROHM fue seleccionado como dispositivo de alimentación de SiC compatible con los sistemas de alimentación eléctrica de última generación. 2026-06-03T14:00+01:00