Presse-Informationen 61 bis 66 von 189
05.05.2022 14:00 ROHMs neue 600-V-Super-Junction-MOSFETs bieten niedrigsten Einschaltwiderstand und kürzeste Sperrverzögerungszeit auf dem Markt
Willich-Münchheide, 05. Mai 2022 – ROHM hat die 600-V-Super-Junction-MOSFETs seiner PrestoMOS™-Produktreihe um sieben neue Bauelemente-Varianten erweitert: Die R60xxVNx-Serie zeichnet sich durch ihren klassenführenden niedrigen Einschaltwiderstand und die branchenweit kürzeste Sperrverzögerungszeit (trr) aus. Die R60xxVNx-Serie ist für Stromkreise in Industrieanlagen mit hohem Energiebedarf optimiert. Dazu gehören Server, EV-Ladegeräte und Basisstationen sowie Motorantriebe in Haushaltsgeräten, die zunehmend Wechselrichter verwenden, um größere Stromeinsparungen zu realisieren.
28.04.2022 14:00 ROHM und Delta Electronics schließen strategische Partnerschaft für die Entwicklung von Bauelementen für Stromversorgungssysteme
Willich-Münchheide, 28. April 2022 – Der weltweit tätige Halbleiterhersteller ROHM und Delta Electronics, ein weltweit führender Hersteller von Stromversorgungen, sind eine strategische Partnerschaft eingegangen, um GaN- (Galliumnitrid) Bauelemente der nächsten Generation zu entwickeln und in Serie zu produzieren.
26.04.2022 14:00 ROHM trägt mit erweitertem Angebot an kompakten PMDE-Gehäusedioden (SBD/FRD/TVS) zur Miniaturisierung von Anwendungen bei
Willich-Münchheide, 26. April 2022 – ROHM hat seine PMDE-Gehäusereihe (2,5 mm × 1,3 mm) um 14 neue Modelle erweitert (RBxx8-Serie, RFN-Serie, VS-Serie), die die Anforderungen an kleinere Schutz- und Schaltkreise erfüllen.
14.04.2022 09:45 Hightech aus Nürnberg: 25 Jahre SiCrystal
Nürnberg, 14. April 2022 – Die SiCrystal GmbH feiert das 25-jährige Firmenbestehen. In den letzten zweieinhalb Jahrzehnten erweiterte das Unternehmen, das heute über 200 Mitarbeiter beschäftigt, seinen Wirkungskreis international: Weltweit steckt zum Beispiel in Elektrofahrzeugen ein kleines, aber entscheidendes Stück Franken, denn es sind oft die kleinen Dinge, die Großes bewegen. Heute ist das im Nürnberger Nordostpark sitzende Produktionsunternehmen einer der globalen Marktführer für einkristalline Siliziumkarbid-Halbleiterwafer (SiC-Wafer).
24.03.2022 14:00 ROHM maximiert mit QuiCur-Technologie das Ansprechverhalten von Stromversorgungs-ICs
Willich-Münchheide, 24. März 2022 – ROHM hat mit QuiCur™ eine neue Stromversorgungs-Technologie entwickelt, die bei DC/DC-Wandler-ICs (Schaltregler) und LDOs (Linearregler) das Einschwingverhalten der Last, das heißt, das Ansprechverhalten in Bezug auf Reaktionsgeschwindigkeit und Spannungsstabilität der nachfolgenden Stufe, verbessert.
22.03.2022 14:00 ROHM beginnt mit der Produktion von 150V GaN-HEMTs mit hoher Gate-Durchbruchspannung von 8 V
Willich-Münchheide, 22. März 2022 – ROHMs neue 150-V-GaN-HEMTs der GNE10xxTB-Serie (GNE1040TB) erhöhen die Gate-Durchbruchspannung (Nenn-Gate-Source-Spannung) auf branchenführende 8 V. Die Bauelemente eignen sich ideal für den Einsatz in Stromversorgungsschaltungen für Industrieanlagen wie Basisstationen und Rechenzentren sowie für IoT-Kommunikationsgeräte.
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