ROHM auf der PCIM 2023 in Halle 9, Stand 310
ROHM präsentiert leistungsstarke Lösungen für E-Mobilität, Energieumwandlung und weitere Anwendungen
Willich-Münchheide, 4. April 2023 – Auf der PCIM Europe, der führenden Fachmesse für Leistungselektronik, intelligente Antriebstechnik und Energiemanagement in Nürnberg (9. bis 11. Mai), stellt ROHM Semiconductor seine neuen Leistungshalbleiter vor, die den Fortschritt nachhaltiger Technologien unterstützen. Dazu zählen unter anderem leistungsstarke Lösungen für den Bereich der Elektromobilität.

Die Bedeutung von Halbleitern und elektronischen Bauteilen – den Kernprodukten von ROHM – nimmt zu, vor allem im Hinblick auf die angestrebte dekarbonisierte Gesellschaft, die bedeutend für die Sicherung der Zukunft kommender Generationen ist. Auf der PCIM präsentiert ROHM zukunftsweisende Lösungen für die Schlüsseltechnologien unserer Zeit. ROHM stellt hierbei Lösungen für Technologien vor, die sich um die Themen Energieeinsparung, Miniaturisierung, funktionale Sicherheit, Innovation und Nachhaltigkeit drehen. Unter dem Motto „Powering up with ROHM“ zeigt das Unternehmen, wie es mit seinen hochwertigen Technologien gesellschaftliche und ökologische Herausforderungen löst.

Zu den Produkt-Highlights von ROHM an Stand 310 in Halle 9 gehören:
  • SiC-MOSFETs der 4. Generation: Die zukunftsweisende SiC-MOSFET-Technologie von ROHM ermöglicht einen branchenführend niedrigen Einschaltwiderstand, minimiert Schaltverluste und unterstützt eine Gate-Source-Spannung von 15 V und 18 V. Sie trägt zu einer drastischen Miniaturisierung und einer geringen Stromaufnahme in verschiedenen Anwendungen bei, darunter in Wechselrichtern für die Automobilindustrie und verschiedenen Schaltnetzteilen.
  • Neue Gehäuse für SiC-Leistungsmodule: ROHM erweitert sein Gehäuseportfolio um die Module „HSDIP20“ und „DOT247“ für die neuesten SiC-MOSFETs der 4. Generation (750 V und 1200 V) mit verschiedenen Einschaltwiderständen. Beide erreichen je nach Betriebsbedingungen bis zu 30 kW Leistung.
  • Gate-Treiber: Die BM611x-Serie ist ein isolierter, AEC-Q100-zertifizierter Gate-Treiberbaustein mit 3,75 KV – speziell designt für xEV-Traktionswechselrichteranwendungen. Die Produktfamilie wurde erweitert um den Baustein „BM6112“ für Hochleistungs-IGBT- und SiC-Anwendungen mit einem einzigartigen Gate-Strom von 20 A.
  • Intelligente Low-Side-Power-Bausteine (IPD): Die Serien BV1LExxxEFJ-C und BM2LExxxFJ-C – eine neue Generation von AEC-Q100-qualifizierten Ein- und Zwei-Kanal-40-V-Smart-Low-Side-Schaltern – eignen sich ideal für Automobil- und Industrieanwendungen.[/b]
  • Integrierte 730-V-Fly-Back-Wandler: Die IC-Serie BM2P06xMF integriert einen 730-V-Si-MOSFET und einen PWM-Controller in einem Gehäuse und ist ideal für industrielle Hilfsstromversorgungen und SMPS-Anwendungen.
  • Eingebauter 1700-V-SiC-MOSFET: Die Serie BM2SC12xFP2-LBZ ist ein quasi-resonanter AC/DC-Wandler und damit ein optimales System für alle Produkte mit Stromanschluss.
  • 150-V-GaN-HEMT: Die 150-V-GaN-HEMTs GNE10xxTB von ROHM sind für Stromversorgungsschaltungen in Industrie- und Kommunikationsgeräten für die branchenweit höchste Gate-Durchbruchspannungstechnologie (8 V) optimiert.
Darüber hinaus präsentiert ROHM auf der PCIM 2023 Erweiterungen seines IGBT- und GaN-Produktportfolios.

ROHM beteiligt sich auch mit einigen Sprechern an Podiumsdiskussionen und Konferenzvorträgen und bietet zahlreiche Präsentationen direkt am ROHM-Stand. Im Rahmen der PCIM Europe-Konferenz zeigen ROHM-Experten außerdem auch eine Reihe von Postersessions.

Weitere Informationen: https://www.rohm.com/pcim
Über ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31. März 2022 einen Umsatz von 452,1 Milliarden Yen (3,3 Milliarden Euro) erwirtschaftete und über 23.000 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, die von SiC-Dioden und MOSFETs, analogen ICs wie Gate-Treibern und Power-Management-ICs über Leistungstransistoren und Dioden bis hin zu passiven Bauelementen reicht. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Deutschland, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China. ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa). Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.de
 
 
 
» ROHM Semiconductor
» Presse Informationen
» Presse-Information
Datum: 04.04.2023 14:00
Nummer: PR10/23DE
» Bildmaterial
Bitte klicken Sie auf die Bildvorschau, um die hochauflösende Version zu öffnen. » Weitere Hilfe zu Downloads

 Download der hochauflösenden Version...
ROHM präsentiert leistungsstarke Lösungen für E-Mobilität, Energieumwandlung und weitere Anwendungen
» Kontakt
ROHM Semiconductor GmbH
Public Relations
Katrin Haasis-Schmidt  
Karl-Arnold-Str. 15
D-47877 Willich-Münchheide
Deutschland
Tel: +49 2154 921 0
katrin.haasis-schmidt@de.rohmeurope.com
» Kontakt Agentur
Mexperts AG
Wildmoos 7
D-82266 Inning am Ammersee
Deutschland

Kontakt: Peter Gramenz
Tel.: +49 8143 59744 12
peter.gramenz@mexperts.de
» Weitere Meldungen
23.04.2024 14:00
Neue energiesparende DC/DC-Wandler-ICs von ROHM im TSOT23-Gehäuse

10.04.2024 14:00
ROHMs neuer Operationsverstärker minimiert die Stromaufnahme

14.03.2024 14:00
ROHM entwickelt Primär-LDOs für Automobile: Nutzung der proprietären QuiCur™-Technologie für branchenführendes* Lastwechselverhalten

27.02.2024 11:00
Einsatz von ROHMs EcoGaN™ im 45W USB-C Ladegerät C4 Duo von Delta-Marke Innergie

21.02.2024 14:00
ROHMs neuer Thermodruckkopf erzielt mit einer Li-Ion-Batteriezelle hohe Druckgeschwindigkeit und -qualität