Presse-Informationen 31 bis 36 von 246
09.09.2025 14:00 ROHM entwickelt ultrakompakten CMOS-Operationsverstärker mit branchenführend* niedrigem Betriebsstrom
Willich-Münchheide, 09. September 2025 – Der ultrakompakte CMOS-Operationsverstärker (Op-Amp) TLR1901GXZ von ROHM zeichnet sich durch eine Grundfläche von weniger als 1 mm x 1 mm und einen Betriebsstrom von nur 160 nA (typ.) aus. Der neue IC ist für den Einsatz als Messverstärker in Anwendungen mit begrenzten Platzverhältnissen wie Handmessgeräten, Wearables und Bewegungsmeldern für den Innenbereich optimiert.
04.09.2025 09:30 ROHMs SiC-MOSFETs treiben Schaefflers High Voltage Inverter Brick an: Serienproduktion gestartet
ROHM und Schaeffler, ein führender deutscher Automobilzulieferer, haben im Rahmen ihrer strategischen Partnerschaft mit der Serienproduktion eines neuen High Voltage Inverter Bricks begonnen, der mit SiC (Siliziumkarbid) MOSFET-Bare-Chips von ROHM ausgestattet ist. Der Inverter Brick ist für einen führenden chinesischen Automobilhersteller bestimmt.
21.08.2025 14:00 ROHM präsentiert kompaktes PFC- und Flyback-Referenzdesign für Stromversorgungen
Willich-Münchheide, 21. August 2025 – Das neue Referenzdesign von ROHM (REF67004) steuert mit einer einzigen MCU zwei häufig verwendete Arten von Stromwandlern in Verbraucher- und Industrie-Stromversorgungsanwendungen: PFC (Power Factor Correction) im kritischen Durchlassmodus und quasi-resonante Flyback-Wandler. Dies ist Teil der LogiCoA Stromversorgungslösung von ROHM, die auf einer Hybridsteuerung aus analoger und digitaler Technik basiert. Sie kombiniert eine analog gesteuerte Leistungsstufe mit den Silizium-MOSFETs und Gate-Treiber-ICs von ROHM mit einer digital gesteuerten Stromversorgungsschaltung, die auf der energieeffizienten LogiCoA MCU basiert.
10.07.2025 14:00 ROHM bietet neue Level-3-SPICE-Modelle mit verbesserter Simulationsgeschwindigkeit
Willich-Münchheide, 10. Juli 2025 – ROHMs neue Level-3-SPICE-Modelle zeichnen sich durch eine deutlich verbesserte Konvergenz und schnellere Simulationsleistung aus.
01.07.2025 14:00 ROHM präsentiert neuen MOSFET für KI-Server mit industrieführender* SOA-Leistung und niedrigem Einschaltwiderstand
Willich-Münchheide, 01. Juli 2025 – ROHM bietet mit dem RY7P250BM einen 100-V-Leistungs-MOSFET, der für Hot-Swap-Schaltungen in 48-V-Stromversorgungssystemen optimiert ist. Diese Systeme werden in KI-Servern und industriellen Stromversorgungen eingesetzt, in denen ein Batterieschutz erforderlich ist.
25.06.2025 14:00 ROHM stellt einen isolierten Gate-Treiber-IC für Hochspannungs-GaN-Bauelemente vor
Willich-Münchheide, 25. Juni 2025 – ROHM hat mit dem BM6GD11BFJ-LB einen isolierten Gate-Treiber-IC entwickelt, der speziell für den Betrieb von Hochspannungs-GaN-HEMTs optimiert ist. In Kombination mit GaN-Bauelementen ermöglicht dieser Treiber einen stabilen Betrieb unter hochfrequenten, schnellen Schaltbedingungen und trägt so zu einer größeren Miniaturisierung und Effizienz in Hochstromanwendungen wie Motoren und Server-Stromversorgungen bei.
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