| 02.06.2026 10:15 |
Infineon stellt EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 Gate-Treiber für Silizium- und GaN-Designs in KI-Rechenzentren vor |
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München, 02. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt den EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 vor, einen 120-V-Gate-Treiber mit gemeinsamem Footprint, der Silizium- (Si) und Galliumnitrid-Designs (GaN) auf derselben Leiterplatte ermöglicht. Da KI-Rechenzentren auf immer höhere Leistungsdichten skalieren, gewinnt die Fähigkeit, Silizium- und GaN-Lösungen ohne Leiterplattenüberarbeitung zu evaluieren und zwischen diesen zu wechseln, für Ingenieure in der Leistungselektronik zunehmend an Bedeutung. Der 2EDL90xG3 adressiert diesen Bedarf direkt: Er unterstützt 48-V- und Hochspannungs-Zwischenkreiswandler-Anwendungen (HV-IBC) und eliminiert gleichzeitig den Entwicklungsaufwand bei der Technologieevaluierung. Eine einzigartige 5-V-Gate-Clamp-Funktion vereinfacht zusätzlich das Design der Gate-Treiber-Versorgung für GaN und trägt zur Verbesserung des Systemwirkungsgrads bei. |
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| 02.06.2026 10:15 |
Infineon erweitert CoolSiC™ JFET-Portfolio um Normally-Off-Varianten für KI-Rechenzentren und industrielle Anwendungen |
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München, 2. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr CoolSiC™ JFET-Portfolio als Antwort auf die wachsende Nachfrage aus KI-Rechenzentren und adressiert damit den Trend hin zu halbleiterbasierten Schutzanwendungen. Mit neuen Bauteilen, Gehäuseoptionen und Konfigurationen unterstützt das Unternehmen leistungsfähige Systeme für Stromverteilung und -schutz. Die ersten 750 V- und 1200 V-CoolSiC JFET-Bauelemente im Q-DPAK-Gehäuse, die im vergangenen Jahr vorgestellt wurden, gehen nun in Serienproduktion. Auf der PCIM Europe 2026 präsentiert Infineon zusätzliche Gehäuseoptionen sowie Normally-Off-Varianten. Das Unternehmen stärkt damit sein Portfolio an diskreten Bauelementen für Anwendungen wie Halbleiter-Leistungsschalter, Batterie-Trennschalter und Stromverteilungsarchitekturen in KI-Rechenzentren, darunter Netzteile, Power-Backup-Units sowie Hot-Swap- und eFuse-Designs für Zwischenbuswandler. |
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| 02.06.2026 10:15 |
Infineon skaliert KI-Rechenzentrums-Netzteile mit zwei neuen hocheffizienten Server-Stromversorgungslösungen auf 30 kW |
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München, 02. Juni 2026 – Die rasant wachsende Rechenleistung von künstlicher Intelligenz definiert die Leistungsanforderungen moderner Rechenzentren neu. Steigende GPU-Leistungspegel und dichtere Rack-Konfigurationen bringen die Server-Strominfrastruktur an ihre Grenzen. Um diesen Herausforderungen zu begegnen, stellt die Infineon Technologies AG zwei Systemlösungen für Server-ODMs und -OEMs vor: ein 18-kW-Dreiphasen-Netzteil-Referenzdesign (PSU; Power Supply Unit), das für eine 50-V-Rack-Architektur optimiert ist, sowie ein 30-kW-Dreiphasen-verschachteltes T-Type-PFC-Evaluierungsboard für 800-VDC- oder ±400-VDC-Rack-Architekturen mit Power Sidecar. Beide Lösungen sind Bestandteil des umfassenden KI-Server-Stromversorgungsportfolios von Infineon und unterstützen Kunden dabei, ihre Time-to-Market zu verkürzen und gleichzeitig höhere Rack-Leistung, verbesserten Wirkungsgrad sowie eine bessere thermische Performance zu erzielen. |
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| 02.06.2026 10:15 |
Infineon stellt weltweit erstes 24-kW-Battery-Backup-Unit-Referenzdesign für Hochspannung in KI-Rechenzentren vor |
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München, 02. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG präsentiert ein 24-kW-DC-DC-Referenzdesign für Battery Backup Units (BBU) in Hochspannungs-DC-Bus-Architekturen (HV) für KI-Rechenzentren. Das Design ist das weltweit erste seiner Art, das direkt von einem Batterie-Stack auf einen 800-V-DC-Bus arbeitet und dabei 650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-Technologie (SiC) einsetzt. Es erreicht eine Leistungsdichte von 450 W/in³ und einen Wirkungsgrad von über 99 Prozent im gleichen physischen Formfaktor wie aktuelle Niederspannungs-BBU-Implementierungen (LV). Damit adressiert es einen zentralen Infrastruktur-Engpass, da Rechenzentren zunehmend auf Hochspannungs-DC-Verteilung umstellen. |
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| 29.05.2026 10:45 |
Infineon setzt neuen Maßstab für Inverter in Elektrofahrzeugen: erstes Siliziumkarbid-Modul mit 205 °C Betriebstemperatur |
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München, 29. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG hat einen neuen Meilenstein bei Leistungsmodulen für Inverter in Elektrofahrzeugen erreicht: Das Unternehmen stellt ein neues 1300 V-Siliziumkarbid-(SiC)-Modul innerhalb der HybridPACK™ Drive Familie vor, das für den Dauerbetrieb bei Temperaturen bis 205 °C geeignet ist; bisherige Designs sind typischerweise auf bis zu 175 °C ausgelegt. Automobilhersteller und Tier1-Lieferanten können durch diese Erhöhung mit bestehenden Inverterdesigns eine höhere Spitzen- und Dauerleistung erzielen oder in neuen Plattformen Systemkomplexität und -kosten reduzieren. |
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| 29.05.2026 03:15 |
Infineon tritt dem NVIDIA MGX™ Ökosystem bei und treibt die Weiterentwicklung der Stromversorgungsarchitektur für KI-Server-Racks der nächsten Generation voran |
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München, 29. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG, ein führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und IoT, ist dem NVIDIA MGX™ AI Factory Ecosystem beigetreten, um die Stromversorgung für KI-Rechenzentren der nächsten Generation neu zu gestalten. Die Power-Management-Lösungen von Infineon unterstützen sowohl die NVIDIA MGX™-Architektur als auch die Leistungsverteilung auf Basis eines 800-Volt-Gleichspannungssystems (VDC). Gemeinsam bilden sie eine offene, modulare Referenzarchitektur für KI-Fabriken im Zeitalter der Agenten-basierten Künstlichen Intelligenz. 800-VDC MGX™-kompatible Stromversorgungsracks ermöglichen es, die Rechenleistung und die Leistungsdichte bestehender KI-Infrastrukturen zu skalieren. Sie eröffnen auch einen Weg zur kontinuierlichen Verbesserung zukünftiger KI-Infrastrukturen. |
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