| 02.06.2026 10:15 |
Infineon präsentiert branchenweit ersten Siliziumkarbid-Bidirektionalschalter auf Basis der CoolSiC™ G2-Technologie |
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München, 02. Juni 2026 – Infineon stellt die ersten Siliziumkarbid (SiC) Bidirektionalschalter (BDS) vor, die auf der robusten 750V CoolSiC™ G2-Technologie basieren. Ein vertikal integriertes Dual-Die-Design mit Common-Drain-Konfiguration im oberseitig gekühlten Q-DPAK-Gehäuse vereint zwei Leistungsschalter in einem einzigen Bauelement für vereinfachtes Design und die Grundlage zur Weiterentwicklung bestehender Topologien. Während der verfügbare 650V CoolGaN BDS auf hohe Leistungsdichte bei hohen Frequenzen abzielt, bietet der 750V CoolSiC BDS die Zuverlässigkeitsreserven, die moderne Netze und Energiesysteme fordern – für die niedrigsten Gesamtbetriebskosten über die gesamte Applikationslebensdauer. |
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| 02.06.2026 10:15 |
Infineon präsentiert EasyPACK™ S-Modul- und Gehäusekonzept für kompakte Designs und Applikationen mit hoher Leistungsdichte |
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München, 2. Juni 2026 – Die Nachfrage nach höheren Leistungsdichten bei gleichzeitig begrenztem Bauraum steigt kontinuierlich, ob in On-Board Chargern für Elektrofahrzeuge oder Stromversorgungen für KI-Rechenzentren. Mit EasyPACK™ S stellt die Infineon Technologies AG auf der PCIM Europe 2026 ein kompaktes Modul- und Gehäusekonzept vor, das gezielt auf diese Anforderungen ausgelegt ist. Mit einer Bauhöhe von lediglich 5,6 mm und einer Grundfläche von etwa 33 x 36 mm² ermöglicht EasyPACK S deutlich kompaktere Designs und sorgt gleichzeitig für eine zuverlässige thermische Leistung sowie reduzierte elektromagnetische Störungen. Die ersten Module im neuen Gehäuse integrieren CoolSiC™ MOSFETs 1200 V G2 sowie die IGBT4- und IGBT7-1200-V-Technologien von Infineon. |
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| 02.06.2026 10:15 |
Infineon stellt EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 Gate-Treiber für Silizium- und GaN-Designs in KI-Rechenzentren vor |
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München, 02. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt den EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 vor, einen 120-V-Gate-Treiber mit gemeinsamem Footprint, der Silizium- (Si) und Galliumnitrid-Designs (GaN) auf derselben Leiterplatte ermöglicht. Da KI-Rechenzentren auf immer höhere Leistungsdichten skalieren, gewinnt die Fähigkeit, Silizium- und GaN-Lösungen ohne Leiterplattenüberarbeitung zu evaluieren und zwischen diesen zu wechseln, für Ingenieure in der Leistungselektronik zunehmend an Bedeutung. Der 2EDL90xG3 adressiert diesen Bedarf direkt: Er unterstützt 48-V- und Hochspannungs-Zwischenkreiswandler-Anwendungen (HV-IBC) und eliminiert gleichzeitig den Entwicklungsaufwand bei der Technologieevaluierung. Eine einzigartige 5-V-Gate-Clamp-Funktion vereinfacht zusätzlich das Design der Gate-Treiber-Versorgung für GaN und trägt zur Verbesserung des Systemwirkungsgrads bei. |
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| 02.06.2026 10:15 |
Infineon erweitert CoolSiC™ JFET-Portfolio um Normally-Off-Varianten für KI-Rechenzentren und industrielle Anwendungen |
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München, 2. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr CoolSiC™ JFET-Portfolio als Antwort auf die wachsende Nachfrage aus KI-Rechenzentren und adressiert damit den Trend hin zu halbleiterbasierten Schutzanwendungen. Mit neuen Bauteilen, Gehäuseoptionen und Konfigurationen unterstützt das Unternehmen leistungsfähige Systeme für Stromverteilung und -schutz. Die ersten 750 V- und 1200 V-CoolSiC JFET-Bauelemente im Q-DPAK-Gehäuse, die im vergangenen Jahr vorgestellt wurden, gehen nun in Serienproduktion. Auf der PCIM Europe 2026 präsentiert Infineon zusätzliche Gehäuseoptionen sowie Normally-Off-Varianten. Das Unternehmen stärkt damit sein Portfolio an diskreten Bauelementen für Anwendungen wie Halbleiter-Leistungsschalter, Batterie-Trennschalter und Stromverteilungsarchitekturen in KI-Rechenzentren, darunter Netzteile, Power-Backup-Units sowie Hot-Swap- und eFuse-Designs für Zwischenbuswandler. |
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| 02.06.2026 10:15 |
Infineon skaliert KI-Rechenzentrums-Netzteile mit zwei neuen hocheffizienten Server-Stromversorgungslösungen auf 30 kW |
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München, 02. Juni 2026 – Die rasant wachsende Rechenleistung von künstlicher Intelligenz definiert die Leistungsanforderungen moderner Rechenzentren neu. Steigende GPU-Leistungspegel und dichtere Rack-Konfigurationen bringen die Server-Strominfrastruktur an ihre Grenzen. Um diesen Herausforderungen zu begegnen, stellt die Infineon Technologies AG zwei Systemlösungen für Server-ODMs und -OEMs vor: ein 18-kW-Dreiphasen-Netzteil-Referenzdesign (PSU; Power Supply Unit), das für eine 50-V-Rack-Architektur optimiert ist, sowie ein 30-kW-Dreiphasen-verschachteltes T-Type-PFC-Evaluierungsboard für 800-VDC- oder ±400-VDC-Rack-Architekturen mit Power Sidecar. Beide Lösungen sind Bestandteil des umfassenden KI-Server-Stromversorgungsportfolios von Infineon und unterstützen Kunden dabei, ihre Time-to-Market zu verkürzen und gleichzeitig höhere Rack-Leistung, verbesserten Wirkungsgrad sowie eine bessere thermische Performance zu erzielen. |
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| 02.06.2026 10:15 |
Infineon stellt weltweit erstes 24-kW-Battery-Backup-Unit-Referenzdesign für Hochspannung in KI-Rechenzentren vor |
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München, 02. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG präsentiert ein 24-kW-DC-DC-Referenzdesign für Battery Backup Units (BBU) in Hochspannungs-DC-Bus-Architekturen (HV) für KI-Rechenzentren. Das Design ist das weltweit erste seiner Art, das direkt von einem Batterie-Stack auf einen 800-V-DC-Bus arbeitet und dabei 650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-Technologie (SiC) einsetzt. Es erreicht eine Leistungsdichte von 450 W/in³ und einen Wirkungsgrad von über 99 Prozent im gleichen physischen Formfaktor wie aktuelle Niederspannungs-BBU-Implementierungen (LV). Damit adressiert es einen zentralen Infrastruktur-Engpass, da Rechenzentren zunehmend auf Hochspannungs-DC-Verteilung umstellen. |
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