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| 24.03.2026 12:15 |
Infineon und DG Matrix nutzen Siliziumkarbid-Technologie zur Weiterentwicklung von Energieinfrastruktur für KI-Rechenzentren |
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– Infineon und DG Matrix treiben gemeinsam Solid-State-Transformer-Technologie für KI-Rechenzentren und industrielle Anwendungen voran
– Solid-State-Transformer (SSTs) sind fortschrittliche Leistungsumrichter, die konventionelle Transformatoren durch halbleiterbasierte Elektronik ersetzen und dadurch eine wesentlich effizientere Energieumwandlung ermöglichen
– Siliziumkarbid‑Leistungshalbleiter von Infineon verbessern Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit der Solid‑State‑Transformer‑Plattform von DG Matrix
München, Deutschland – 24. März 2026 – Die Infineon Technologies AG und DG Matrix, ein weltweit führender Anbieter von Solid‑State‑Transformatoren (SSTs), steigern gemeinsam die Effizienz der Stromumwandlung bei der Anbindung von KI‑Rechenzentren und industriellen Anwendungen an das öffentliche Stromnetz. Im Rahmen der Zusammenarbeit setzt DG Matrix in seiner Multi-Port-Solid-State-Transformer-Plattform Interport™ modernste Siliziumkarbid (SiC)-Technologie von Infineon ein. Dies stärkt die Halbleiter‑Lieferkette von DG Matrix und erhöht die Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit seiner SST‑Systeme weltweit. |
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| 16.03.2026 21:30 |
Infineon beschleunigt den Einsatz sicherer Roboter durch digitale Zwillinge in Zusammenarbeit mit NVIDIA |
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München, Deutschland – 16. März 2026 – Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) hat die Ausweitung ihrer Zusammenarbeit mit NVIDIA bekannt gegeben, um Systemarchitekturen für Physische KI mit Fokus auf humanoide Roboter weiter voranzutreiben. Aufbauend auf der im August 2025 angekündigten Kooperation wollen die Unternehmen die Stärken von Infineon in den Bereichen Motorsteuerung, Mikrocontroller, Leistungssysteme und Sicherheitstechnik mit NVIDIAs KI-, Robotik- und Simulationsplattformen kombinieren. Ziel ist es, das Ökosystem bei der Entwicklung und dem Einsatz humanoider Roboter zu unterstützen. Infineon schließt sich zudem dem NVIDIA Halos AI Systems Inspection Lab an, um an robusten Hardware- und Software-Sicherheitsgrundlagen zu arbeiten und sicherzustellen, dass die Systeme in realen Umgebungen verlässlich operieren können. |
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| 10.03.2026 09:00 |
Infineon baut Führungsposition im globalen Mikrocontroller-Markt aus |
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München, 10. März 2026 – Die Infineon Technologies AG baut ihre Nummer‑eins‑Position im globalen Mikrocontroller‑Markt weiter aus. Laut den neuesten Untersuchungen von Omdia steigerte das Unternehmen seinen Anteil am Mikrocontroller‑Gesamtmarkt im Jahr 2025 auf 23,2 Prozent (2024: 21,4 Prozent) und erzielte damit ein Plus von 1,8 Prozentpunkten gegenüber dem Vorjahr – der größte Zuwachs unter allen Wettbewerbern. Bemerkenswert ist, dass dieser Marktanteilsgewinn vor dem Hintergrund eines leicht rückläufigen Mikrocontroller‑Marktes (-0,3 Prozent) gelang. |
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| 09.03.2026 07:00 |
Infineon und Subaru erhöhen Echzeitleistung von Fahrerassistenzsystemen und verbessern Fahrsicherheit |
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München und Tokio, 9. März 2026 – Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) und die Subaru Corporation arbeiten gemeinsam daran, Fahrsicherheit, Systemvertrauen und Komfort in künftigen Fahrzeugen von Subaru weiter zu erhöhen. Infineon leistet dabei einen wichtigen Beitrag sowohl in Subarus Fahrerassistenzsystemen als auch in der Fahrwerksteuerung: Der neueste AURIX™ Mikrocontroller von Infineon ermöglicht eine schnellere und zuverlässigere Verarbeitung von Fahrzeug- und Sensorinformationen und verbessert so die Echtzeitfähigkeit von Subarus zukünftigem integrierten Steuergerät für diese Anwendungen. |
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| 06.03.2026 10:15 |
Infineon CoolGaN™ G5-Transistoren werden von Chicony Power für Hochleistungsadapter führender Notebook-Hersteller eingesetzt |
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München, 6. März 2026 — Die Infineon Technologies AG gab heute bekannt, dass Chicony Power, der weltweit führende Hersteller von Notebook-Netzteilen, die CoolGaN™ G5-Transistoren des Unternehmens ausgewählt hat, um Laptop-Netzteile für die Notebooks eines führenden Kunden zu betreiben. Das Design zeigt, wie Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (GaN) den Übergang zu kompakteren, energieeffizienten Ladelösungen beschleunigen und kleinere Bauformen sowie eine verbesserte Nachhaltigkeit für Mainstream-Computing ermöglichen. |
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| 26.02.2026 11:15 |
Infineon vereinfacht den Einsatz von GaN mit integrierten Halbbrückenlösungen und bringt CoolGaN™ Drive HB 600 V G5 auf den Markt |
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München, 26. Februar 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr CoolGaN™-Portfolio um die CoolGaN Drive HB 600 V G5-Familie. Jedes der vier neuen Bauteile – IGI60L1111B1M, IGI60L1414B1M, IGI60L2727B1M und IGI60L5050B1M – kombiniert zwei 600-V-GaN-Schalter in einer Halbbrückenkonfiguration mit integrierten High- und Low-Side-Gate-Treibern sowie einer Bootstrap-Diode. Dadurch entsteht eine kompakte, thermisch optimierte Leistungsstufe, die das Design vereinfacht. Durch die Integration wichtiger Funktionen in einem optimierten Gehäuse verringert die Produktfamilie die Anzahl externer Komponenten und erleichtert das bei schnell schaltenden GaN-Bauteilen typischerweise anspruchsvolle PCB-Layout. Zudem unterstützen die Produkte Entwickler dabei, Entwicklungszyklen zu verkürzen und gleichzeitig die wesentlichen Vorteile der GaN-Technologie, wie höhere Schaltfrequenzen, geringere Schalt- und Leitungsverluste sowie eine höhere Leistungsdichte, voll auszuschöpfen. |
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