| Presse-Informationen 55 bis 60 von 1833 |
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| 13.10.2025 17:10 |
Infineon setzt neue Maßstäbe mit führender 800-V-Architektur für effiziente und wartungsfreundliche KI-Rechenzentren |
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München, Deutschland und Santa Clara, Kalifornien – 13. Oktober 2025 – Die Infineon Technologies AG unterstützt die von NVIDIA auf der Computex 2025 angekündigte 800-Volt-Gleichstromarchitektur (VDC) für KI-Infrastrukturen. Das exponentielle Wachstum der künstlichen Intelligenz übersteigt zunehmend die Kapazitäten der aktuellen 54-V-Stromversorgungssysteme in Rechenzentren. Die Umstellung auf eine zentralisierte 800-VDC-Architektur reduziert Leistungsverluste und steigert gleichzeitig die Effizienz und Zuverlässigkeit. Die neue Architektur erfordert jedoch neue Lösungen zur Spannungswandlung und erweiterte Sicherheitsmechanismen, um potenzielle Gefahren und kostenintensive Serverausfälle, beispielsweise aufgrund von Wartungs- und Instandhaltungsarbeiten, zu vermeiden. |
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| 09.10.2025 10:15 |
Infineon erweitert Stromschutz-Portfolio für 48-V- und zukünftige 400- und 800-V-KI-Rechenzentren |
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München, 09. Oktober 2025 – Die Infineon Technologies AG hat ihre 48-V-Smart-eFuse-Familie sowie ein Referenzboard für Hot-Swap-Controller für 400-V- und 800-V-Leistungsarchitekturen in KI-Rechenzentren auf den Markt gebracht. Damit können Entwickler eine zuverlässige, robuste und skalierbare Lösung zum Schutz und zur Überwachung des Energieflusses realisieren. |
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| 01.10.2025 10:15 |
Infineon präsentiert die ersten hochdichten Transinduktivitäts-Spannungsregler-Module, optimiert für KI-Rechenzentren |
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München, 01. Oktober 2025 – Infolge des starken Wachstums cloudbasierter Dienste, insbesondere solcher, die künstliche Intelligenz (KI) ermöglichen, sind Rechenzentren mittlerweile für mehr als zwei Prozent des weltweiten Energieverbrauchs verantwortlich. Dieser Anteil wird voraussichtlich weiter steigen; zwischen 2023 und 2030 wird ein exponentielles Wachstum von 165 Prozent prognostiziert. Die kontinuierliche Verbesserung von Effizienz, Leistungsdichte und Signalintegrität bei der Stromumwandlung vom Netz bis zum Prozessor ist daher entscheidend, um die Rechenleistung zu steigern und gleichzeitig die Gesamtbetriebskosten zu senken. Um diesem Bedarf gerecht zu werden, bringt die Infineon Technologies AG das Dual-Phase-Leistungsmodul OptiMOS™ TDM22545T auf den Markt – das branchenweit erste Transinduktivitäts-Spannungsregler-Modul (Trans-Inductance Voltage Regulator; TLVR), das speziell für leistungsstarke KI-Rechenzentren entwickelt wurde. |
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| 30.09.2025 10:45 |
Infineon erweitert das CoolSiC™-Portfolio um 400-V- und 440-V-MOSFETs für leistungs- und rechenintensive Anwendungen |
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München, 30. September 2025 – Die Infineon Technologies AG hat ihr 400-V-CoolSiC™ G2 MOSFET-Portfolio um das Top-Side-Cooled (TSC)-TOLT-Gehäuse sowie die Gehäuse TO-247-3 und TO-247-4 erweitert. Zusätzlich wurden drei neue Produkte im TOLL-Gehäuse mit Nennspannungen von 440 V (Dauerbetrieb) und 455 V (Transienten) eingeführt. Die neuen CoolSiC-MOSFETs bieten ein verbessertes thermisches Verhalten, höhere Systemeffizienz und eine gesteigerte Leistungsdichte. Sie wurden speziell für leistungs- und rechenintensive Anwendungen entwickelt, darunter KI-Server-Stromversorgungen, Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Class-D-Audioverstärker, Motorantriebe und Halbleiter-Schutzschalter. Für diese kritischen Systeme liefern die Bauteile die erforderliche Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. |
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| 26.09.2025 09:45 |
Infineon präsentiert anwendungsoptimierte OptiMOS™ 7-MOSFETs für Industrie- und Verbraucher-Anwendungen |
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München, 26. September 2025 – Das schnelle Wachstum leistungsintensiver Anwendungen in verschiedenen Branchen erhöht die Anforderungen an die Leistungselektronik in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit. Diskrete Leistungs-MOSFETs spielen in diesem Zusammenhang eine zentrale Rolle: Ihre Optimierung für bestimmte Anwendungsfälle eröffnet zusätzliche Möglichkeiten zur Verbesserung der Leistungsfähigkeit. Aufbauend auf diesem anwendungsorientierten Ansatz bringt die Infineon Technologies AG die OptiMOS™ 7-Leistungs-MOSFET-Familie für Industrie- und Endverbraucher-Anwendungen auf den Markt. Damit wird das bereits bestehende OptiMOS 7-Portfolio für den Automotive-Bereich um vollständig anwendungsoptimierte Produkte erweitert. Die neue MOSFET-Familie bietet für jeden Anwendungsfall die optimale Lösung und umfasst Produkte speziell für Hochleistungsschaltungen, Motorantriebe oder RDS(ON)-orientierte Anwendungen. |
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| 23.09.2025 11:15 |
Infineon beliefert Universal Microelectronics mit CoolGaN™-Leistungshalbleitern für PoE-Netzwerk-Anwendungen |
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München, 23. September 2025 – Die Infineon Technologies AG liefert CoolGaN™-Leistungstransistoren an Universal Microelectronics Co., Ltd. (UMEC) für den neuen 250-W-Adapter des Unternehmens für Power-over-Ethernet-Anwendungen (PoE) im Netzwerkbereich. Die CoolGaN-Transistoren von Infineon ermöglichen zuverlässige, leistungsstarke Lösungen und helfen UMEC dabei, sicherere und energieeffiziente Technologien zu entwickeln, um den Herausforderungen moderner Stromversorgungssysteme gerecht zu werden. Diese Lösungen eignen sich ideal für die Leistungselektronik in verschiedenen Branchen, darunter Telekommunikation, Industrieelektronik, Medizintechnik und Unterhaltungselektronik. |
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