Presse-Informationen 43 bis 48 von 1752
11.03.2025 10:00 Infineon treibt Edge-AI-Computing auf PSOC™ Edge mit NVIDIA® TAO Toolkit Integration voran
München - 11. März 2025 – Die Infineon Technologies AG gibt heute die Unterstützung von NVIDIA® TAO-Modellen auf der PSOC™ Edge Mikrocontroller-Familie (MCUs) bekannt. MCUs sind das Herzstück moderner Elektronik. Die Kombination aus dem PSOC Edge Hochleistungs-MCU mit NPU-Hardwarebeschleunigung und einem fortschrittlichen KI-Toolkit kann den Einsatz von KI-Modellen in stromsparenden MCUs beschleunigen.
10.03.2025 11:00 Infineon ist neuer Marktführer im globalen Mikrocontrollermarkt
München, Deutschland – 10. März 2025 – Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) übernimmt die Spitzenposition im globalen Mikrocontrollermarkt. Laut der neuesten Marktstudie von Omdia erhöhte das Unternehmen den Marktanteil auf 21,3 Prozent im Jahr 2024 (2023: 17,8 Prozent). Das ist mit 3,5 Prozentpunkten der größte Jahreszuwachs im Kreis der Wettbewerber. Damit ist Infineon zum ersten Mal in der Unternehmensgeschichte der erfolgreichste Lieferant von Mikrocontrollern weltweit.
10.03.2025 10:15 Infineon präsentiert nächste Generation Power-Module mit hoher Leistungsdichte für vertikale Stromversorgung in KI-Rechenzentren
München, 10. März 2025 – Die Infineon Technologies AG, ein weltweit führender Halbleiterhersteller in den Bereichen Stromversorgungssysteme und IoT, hat die nächste Generation von Hochleistungsmodulen auf den Markt gebracht, die eine entscheidende Rolle bei der Umsetzung von KI und Hochleistungsrechnern spielen. Durch die verbesserte Systemleistung und die für Infineon typische Robustheit ermöglichen die neuen Vierphasen-Leistungsmodule (quad-phase power modules) TDM2454xx Betreibern von KI-Rechenzentren eine erstklassige Leistungsdichte und Gesamtbetriebskosten.
07.03.2025 14:15 Für schnellere und einfachere Software-Entwicklung: Infineon präsentiert Drive Core für AURIX™, TRAVEO™ und PSOC™
München, 7. März 2025 – Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) bringt Drive Core auf den Markt, ein skalierbares Software-Bundle-Portfolio für AURIX™, TRAVEO™ und PSOC™, das einen schnellen Einstieg in die Entwicklung von Automotive-Software ermöglicht. Drive Core kombiniert Software und Tools von Infineon und Drittanbietern, die im Rahmen einer dreimonatigen Evaluierungslizenz sofort einsatzbereit sind.
06.03.2025 10:15 Infineon bringt RISC-V in die Automobilindustrie und kündigt als erster Halbleiterhersteller eine Familie von Automotive-Mikrocontrollern auf Basis von RISC-V an
München, 6. März 2025 – Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) ebnet den Weg für die Einführung von RISC-V in der Automobilindustrie: Das Unternehmen wird innerhalb der kommenden Jahre eine neue Familie von Automotive-Mikrocontrollern auf Basis von RISC-V auf den Markt bringen. Diese neue Familie wird Teil der etablierten Automotive-Mikrocontroller-Marke AURIX™ von Infineon werden. Sie wird das bestehende Portfolio an Automotive-Mikrocontrollern des Unternehmens, das auf TriCore™ (AURIX TC-Familie) und Arm® (TRAVEO™-Familie, PSOC™-Familie) basiert, erweitern. Die neue AURIX-Familie wird eine breite Palette von Automotive-Anwendungen abdecken, von Einsteiger-MCUs bis hin zu Hochleistungs-MCUs, die über das hinausgehen, was heute auf dem Markt verfügbar ist. Auf der Embedded World 2025 stellt Infineon nun einen virtuellen Prototypen vor – unterstützt von wichtigen Ökosystem-Partnern. Dabei handelt es sich um ein Starter-Kit, mit dem Partner von Infineon noch vor Verfügbarkeit der Hardware mit der Software-Entwicklung beginnen können.
05.03.2025 15:15 Infineon erweitert strahlungstolerantes Leistungs-MOSFET-Portfolio für die Raumfahrt mit erstem P-Kanal-Baustein
München, 5. März 2025 – Infineon Technologies hat seine Produktfamilie von strahlungstoleranten Leistungs-MOSFETs für Low-Earth-Orbit (LEO)-Raumfahrtanwendungen um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET erweitert. Die neuen Bauteile sind Teil des wachsenden Portfolios von Infineon, das für „NewSpace“-Anwendungen der nächsten Generation entwickelt wird. Es handelt sich um kostenoptimierte, strahlungstolerante MOSFETs, die es Entwicklern ermöglichen, Designs mit kleineren und leichteren Bauteilen schneller auf den Markt zu bringen. Die MOSFETs erfüllen darüber hinaus die Anforderungen bezüglich Strahlungsfestigkeit für Missionen von zwei bis fünf Jahren.
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