| Presse-Informationen 13 bis 18 von 1863 |
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| 02.06.2026 10:15 |
Infineon stellt weltweit erstes 24-kW-Battery-Backup-Unit-Referenzdesign für Hochspannung in KI-Rechenzentren vor |
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München, 02. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG präsentiert ein 24-kW-DC-DC-Referenzdesign für Battery Backup Units (BBU) in Hochspannungs-DC-Bus-Architekturen (HV) für KI-Rechenzentren. Das Design ist das weltweit erste seiner Art, das direkt von einem Batterie-Stack auf einen 800-V-DC-Bus arbeitet und dabei 650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-Technologie (SiC) einsetzt. Es erreicht eine Leistungsdichte von 450 W/in³ und einen Wirkungsgrad von über 99 Prozent im gleichen physischen Formfaktor wie aktuelle Niederspannungs-BBU-Implementierungen (LV). Damit adressiert es einen zentralen Infrastruktur-Engpass, da Rechenzentren zunehmend auf Hochspannungs-DC-Verteilung umstellen. |
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| 29.05.2026 10:45 |
Infineon setzt neuen Maßstab für Inverter in Elektrofahrzeugen: erstes Siliziumkarbid-Modul mit 205 °C Betriebstemperatur |
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München, 29. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG hat einen neuen Meilenstein bei Leistungsmodulen für Inverter in Elektrofahrzeugen erreicht: Das Unternehmen stellt ein neues 1300 V-Siliziumkarbid-(SiC)-Modul innerhalb der HybridPACK™ Drive Familie vor, das für den Dauerbetrieb bei Temperaturen bis 205 °C geeignet ist; bisherige Designs sind typischerweise auf bis zu 175 °C ausgelegt. Automobilhersteller und Tier1-Lieferanten können durch diese Erhöhung mit bestehenden Inverterdesigns eine höhere Spitzen- und Dauerleistung erzielen oder in neuen Plattformen Systemkomplexität und -kosten reduzieren. |
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| 29.05.2026 03:15 |
Infineon tritt dem NVIDIA MGX™ Ökosystem bei und treibt die Weiterentwicklung der Stromversorgungsarchitektur für KI-Server-Racks der nächsten Generation voran |
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München, 29. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG, ein führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und IoT, ist dem NVIDIA MGX™ AI Factory Ecosystem beigetreten, um die Stromversorgung für KI-Rechenzentren der nächsten Generation neu zu gestalten. Die Power-Management-Lösungen von Infineon unterstützen sowohl die NVIDIA MGX™-Architektur als auch die Leistungsverteilung auf Basis eines 800-Volt-Gleichspannungssystems (VDC). Gemeinsam bilden sie eine offene, modulare Referenzarchitektur für KI-Fabriken im Zeitalter der Agenten-basierten Künstlichen Intelligenz. 800-VDC MGX™-kompatible Stromversorgungsracks ermöglichen es, die Rechenleistung und die Leistungsdichte bestehender KI-Infrastrukturen zu skalieren. Sie eröffnen auch einen Weg zur kontinuierlichen Verbesserung zukünftiger KI-Infrastrukturen. |
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| 28.05.2026 10:15 |
SECORA™ Connect X und SECORA™ Wallet von Infineon ermöglichen gesicherte kontaktlose Zahlungen für smarte Wearables |
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München, 28. Mai 2026 – Kontaktloses Bezahlen ist eine Funktion, die jede moderne Smartwatch und jeder Smart-Ring bieten sollte. Sie ist schnell, bequem und bietet Schutz vor Missbrauch. Bis 2030 werden voraussichtlich bis zu 4 Milliarden NFC-fähige Geräte im Einsatz sein, darunter bis zu 700 Millionen Wearables. Dementsprechend wächst die Nachfrage nach kontaktlosem Bezahlen rasant. Die Infineon Technologies AG bringt mit SECORA™ Connect X eine integrationsfertige Lösung auf den Markt, mit der Kunden Smart Wearables in voll funktionsfähige Zahlungsgeräte verwandeln können. In Kombination mit dem neuen SECORA™ Wallet und dem SECORA™ Token Requestor von Infineon, die in Mastercard® (MDES) und Visa® (VTS) integriert sind, unterstützt die Lösung die Digitalisierung von Bezahlkarten und die Erstellung einer individuell gebrandeten Wallet-App. Die neue SECORA-Komplettlösung für Wearable-Zahlungen beschleunigt die Markteinführung durch nahtlose Integration und Zertifizierung und bietet zugleich flexibles Design, Digitalisierung von Bezahlkarten sowie gesicherten Zahlungsfunktionen für jedes smarte Wearable. |
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| 26.05.2026 10:15 |
Infineon präsentiert Halbleiterlösungen für Energieinfrastruktur, KI-Rechenzentren, Robotik und Elektromobilität auf der PCIM Europe 2026 |
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München, 26. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG zeigt auf der PCIM Europe 2026 in Nürnberg ihr umfassendes Halbleiterportfolio für zukunftssichere Energieinfrastruktur, KI-Rechenzentren, Robotik und Elektromobilität. Am Stand 470 in Halle 7 präsentiert das Unternehmen ein breites Spektrum an Silizium (Si)-, Siliziumkarbid (SiC)- und Galliumnitrid (GaN)-Halbleitern, ergänzt um Software, Tools und Cybersicherheitslösungen. |
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| 20.05.2026 12:45 |
Infineon CoolGaN™ BDS 40 V G3-Familie reduziert PCB-Platzbedarf für portable Leistungsdesigns um bis zu 82 Prozent |
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München, 20. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihre CoolGaN™ BDS 40 V G3-Familie für bidirektionale Schalter (BDS) um zwei neue Halbleiterbauteile: den IGK048B041S und den IGK120B041S. Die neuen Bauelemente reduzieren den PCB-Platzbedarf um bis zu 82 Prozent und halbieren die Komponentenanzahl. Für Ingenieure, die unter den engen räumlichen Anforderungen moderner Smartphones, Notebooks und Wearables entwickeln, ist dies ein bedeutender und messbarer Fortschritt. Die neuen Bauelemente sind auf kompakte Consumer-Geräte ausgerichtet und bieten Power-System-Designern mehr Flexibilität, um Effizienz zu optimieren und Designs zu verschlanken, ohne Abstriche bei der Performance. |
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