| Presse-Informationen 1 bis 6 von 1895 |
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| 17.09.2026 10:15 |
EiceDRIVER™ 2EDL6014AC-G2D zweikanaliger Gate-Treiber bietet hohe Leistungsdichte und starke thermische Performance für Stromversorgung in KI-Rechenzentren |
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München, 17. September 2026 – Die Infineon Technologies bringt den EiceDRIVER™ 2EDL6014AC-G2D auf den Markt, einen zweikanaligen 120-V-Treiber mit Junction-Isolation und Floating-Output. Er wurde spezifisch für Silizium-Designs in KI-Rechenzentren entwickelt. Das Bauteil ist in einem kompakten WQFN-12-Gehäuse mit einer Fläche von 2,2 x 2,2 mm² untergebracht und adressiert die wachsende Nachfrage nach Stromumwandlungslösungen, die eine höhere Server-Rack-Dichte ermöglichen, ohne Kompromisse bei Zuverlässigkeit thermischer Leistung einzugehen. Der 2EDL6014AC-G2D unterstützt Dual-High-Side-, Dual-Low-Side- und Halbbrücken-Konfigurationen und eignet sich damit als vielseitiger Plattform-Treiber für die Switched-Capacitor- und Multilevel-Topologien, die zunehmend in Stromversorgungsarchitekturen von KI-Servern zum Einsatz kommen. |
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| 09.09.2026 13:45 |
Infineon und SolarEdge erweitern Zusammenarbeit um halbleiterbasierten Schutz für 800-VDC-KI-Rechenzentren |
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– Unternehmen erweitern Zusammenarbeit auf Solid-State-Circuit-Breaker (SSCB)-Technologie im Einklang mit führenden Branchenstandards für 800-Volt-Gleichstromarchitekturen (VDC)
– SSCB-Technologie trennt Fehler in Gleichstromnetzen um ein Vielfaches schneller als elektromechanische Schutzschalter und adressiert damit eine der zentralen Herausforderungen bei der Einführung von Hochspannungs-Gleichstromarchitekturen
– Zusammenarbeit treibt durchgängige Gleichstromarchitektur voran, vom Mittelspannungsnetzanschluss über die Energieverteilung bis zum Rack, für höhere Leistungsdichte, größere Zuverlässigkeit und geringere Umweltbelastung in KI-Rechenzentren
München und Milpitas, Kalifornien, 9. September 2026 – Die Infineon Technologies AG und SolarEdge Technologies, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen für intelligente Energielösungen, erweitern ihre Zusammenarbeit. Gemeinsam entwickeln die Unternehmen die Solid-State-Circuit-Breaker (SSCB)-Technologie für die Hochspannungs-Gleichstromverteilung in KI- und Hyperscale-Rechenzentren weiter. Die Zusammenarbeit adressiert eine zentrale Herausforderung bei der Einführung von 800-Volt-Gleichstromarchitekturen (VDC): Der sichere Betrieb zunehmend leistungsdichter Infrastrukturen erfordert eine äußerst schnelle Fehlerisolierung, um Selektivität bei gleichzeitig hoher Effizienz zu erreichen. |
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| 08.09.2026 10:15 |
Neuer Infineon OPTIREG™ Power-Management-IC integriert Leistung und funktionale Sicherheit für Traktionsumrichter in Hybrid- und Elektrofahrzeugen |
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München, 8. September 2026 – Infineon Technologies AG bringt mit dem OPTIREG™ TLE9744QK einen hochintegrierten Power-Management-IC (PMIC) auf den Markt, der speziell für Hochvolt-Traktionsumrichter in Hybrid- und Elektrofahrzeugen entwickelt wurde. Er integriert sämtliche Stromversorgungsfunktionen, die Resolver-Erregung und eine anwendungsspezifische Safety Engine in einem einzigen Bauteil. Dies vereinfacht das Design der Traktionsumrichter-Steuergeräte (ECUs) erheblich und adressiert die komplexe Herausforderung, mehrere getrennte Versorgungsspannungen für Mikrocontroller, Kommunikationsmodule und Sensoren bereitzustellen. Als Single-Chip-Lösung ersetzt der TLE9744QK zahlreiche diskrete Bauteile und senkt unmittelbar die Kosten und Komplexität des Systems. Durch die Reduzierung der Stückliste wird bis zu 70 Prozent weniger Leiterplattenfläche benötigt. Gleichzeitig steigen die Zuverlässigkeit und die funktionale Sicherheit des Systems. |
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| 07.09.2026 10:15 |
Infineon setzt neuen Industriemaßstab für KI-Beschleuniger und vertikale Stromversorgung mit 2 A/mm² Dual-Phase-Smart-Power-Stages |
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München, 07. September 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt TDA235E5 und TDA235E0 vor, eine Dual-Phase-Smart-Power-Stage-Familie, die entwickelt wurde, um die schnell wachsenden Leistungsdichteanforderungen von KI-Beschleunigern und vertikalen Stromversorgungsmodulen der nächsten Generation von KI-Rechenzentren zu erfüllen. Durch die Integration der OptiMOS™ 6 MOSFETs von Infineon und einem Dual-Phase-Treiber-IC in einem kompakten 6 x 6 x 0,8 mm³-Gehäuse liefert die neue Familie eine Leistungsdichte von mehr als 2 A/mm² und setzt damit einen neuen Referenzpunkt für Power-Stage-Leistung in Hochstrom-KI-Prozessoranwendungen. Da Hyperscaler und Rechenzentrumsbetreiber ihre KI-Infrastruktur weiter ausbauen, wird die Nachfrage nach Stromversorgungslösungen, die höhere Strombelastbarkeit mit kleiner werdenden physischen Abmessungen verbinden, zu einem kritischen Engpass. |
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| 03.09.2026 10:15 |
Infineon SECORA™ Wallet ermöglicht gesicherte NFC-Zahlungen in der Hammer-Smartwatch von mPTech |
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München, 03. September 2026 – Die Infineon Technologies AG und mPTech vertiefen ihre Zusammenarbeit, um der nächsten Generation von Wearables gesicherte und komfortable Zahlungserlebnisse zu ermöglichen. mPTech, ein europäischer Gerätehersteller (OEM) hat Infineons gesicherte SECORA™ Zahlungstechnologie in seine neueste Flaggschiff-Hammer-Smartwatch integriert und kombiniert damit Infineons Expertise in gesicherten Zahlungslösungen mit mPTechs starker Position in der Unterhaltungselektronik. Die Zusammenarbeit zeigt, wie Infineons SECORA-One-Stop-Shop-Lösung, bestehend aus SECORA Connect X und SECORA Wallet, Herstellern von Wearable-Geräten dabei helfen kann, die Integration gesicherter und CDCVM-fähiger Zahlungen in Consumer-Wearables zu beschleunigen. |
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| 02.09.2026 10:15 |
Infineon und Skeleton entwickeln Solid-State-Transformer und Sidecar-Systeme für höhere Resilienz von KI-Rechenzentren |
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München, 2. September 2026 – Die Infineon Technologies AG und Skeleton Technologies, ein weltweit führender Anbieter von Hochleistungs-Energiespeichersystemen unter anderem für KI-Rechenzentren, haben eine Absichtserklärung (Memorandum of Understanding) zur Zusammenarbeit bei hocheffizienten und resilienten Stromversorgungslösungen für moderne Rechenzentren unterzeichnet. Das rasante Wachstum von KI, der steigende Energiebedarf und die Notwendigkeit hochzuverlässiger digitaler Infrastrukturen treiben die Entwicklung einer neuen Generation von Energiearchitekturen voran. Solid-State-Transformer (SSTs) und leistungsstarke Sidecar-Systeme gewinnen dabei als zentrale Bestandteile der Infrastruktur von KI-Rechenzentren zunehmend an Bedeutung. Sie ermöglichen eine effizientere Energieumwandlung vom Stromnetz bis zum Prozessorkern sowie eine höhere Systemresilienz. Vor diesem Hintergrund wollen beide Unternehmen diese Technologien gemeinsam weiterentwickeln, um Energieeffizienz, Systemleistung und Verfügbarkeit entlang der gesamten Stromversorgungskette zu verbessern. |
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