| 10.02.2026 11:31 |
Infineon platziert Anleihen in Höhe von 2 Milliarden Euro zur Refinanzierung anstehender Fälligkeiten und jüngster Akquisitionen |
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München, Deutschland – 10. Februar 2026 – Die Infineon Technologies AG hat erfolgreich Unternehmensanleihen mit einem Volumen von 2 Milliarden Euro unter ihrem European Medium Term Notes-Programms (EMTN) platziert. Die Emission war mehrfach überzeichnet und besteht aus drei Tranchen mit unterschiedlichen Laufzeiten. Die Transaktion ermöglicht es Infineon, anstehende Fälligkeiten im Geschäftsjahr 2026 zu refinanzieren. Sie trägt außerdem zur Refinanzierung der EUR-Bankkredite bei, die im Zusammenhang mit der Übernahme des Automotive-Ethernet-Geschäfts von Marvell und zur Finanzierung der geplanten Übernahme des nicht-optischen Analog-/Mixed-Signal-Sensorportfolios von ams OSRAM aufgenommen wurden. |
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| 10.02.2026 10:15 |
Infineon GaN Insights 2026: Technologische Innovationen ebnen Weg für GaN-Wachstum in Leistungshalbleitern |
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– Galliumnitrid-Markt bis 2030 bei rund 3 Milliarden US-Dollar; jährliche Wachstumsrate (CAGR) 44 Prozent
– Innovations-Fortschritte durch Hochvolt-GaN-Bidirektionalschalter von Infineon mit revolutionärem Common-Drain-Design und Double-Gate-Struktur
– GaN-Leistungshalbleiter erschließen neue Anwendungen, darunter KI, Robotik und Quantencomputing
München, 10. Februar 2026 – Die Leistungselektronik befindet sich im Wandel, angetrieben von der zunehmenden Verbreitung von Halbleiterlösungen auf Basis von Galliumnitrid (GaN). Die Infineon Technologies AG, ein weltweit führender Anbieter von Leistungshalbleitern und IoT, hat heute die jährlichen „GaN Insights 2026“ veröffentlicht und gibt darin einen fundierten Überblick zu GaN-Technologie, Anwendungen und Zukunftsaussichten. |
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| 09.02.2026 08:15 |
TOYOTA setzt im neuen bZ4X-Modell auf Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter von Infineon |
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München und Tokio, Japan – 9. Februar 2026 – Die Infineon Technologies AG hat heute bekannt gegeben, dass ihre CoolSiC™-MOSFETs, Leistungs-MOSFETs auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), im neuen bZ4X-Modell von Toyota, dem weltweit größten Automobilhersteller, zum Einsatz kommen. Die SiC-MOSFETs werden im On-Board-Ladegerät (OBC) und dem DC/DC-Wandler eingesetzt und nutzen die Vorteile des Materials wie geringe Verluste, eine hohe thermische Belastbarkeit und eine hohe Spannungsfestigkeit, um die Reichweite zu erhöhen und die Ladezeit zu verkürzen. |
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| 05.02.2026 11:15 |
Infineon präsentiert erste isolierte Gate-Treiber-ICs mit Optoemulator-Eingang für moderne SiC-Anwendungen |
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München, 05. Februar 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt die Produktfamilie EiceDRIVER™ 1ED301xMC12I auf den Markt, eine Serie hochleistungsfähiger isolierter Gate-Treiber-ICs mit Optoemulator-Eingang. Die Bauteile sind pin-kompatibel mit bestehenden Optoemulatoren und Optokopplern und bieten eine hohe Gleichtakt-Transientenimmunität (Common Mode Transient Immunity; CMTI), eine robuste Ausgangsstufe sowie eine präzisere Zeitsteuerung als derzeit verfügbare Lösungen. Dadurch können Ingenieure auf Siliziumkarbid (SiC)-Technologie umsteigen, ohne optobasierte Steuerungskonzepte neu entwerfen zu müssen. Die Produktfamilie eignet sich ideal für anspruchsvolle Anwendungen, bei denen schnelle, zuverlässige und SiC-fähige Gate-Treiber erforderlich sind, darunter Motorantriebe, Solarwechselrichter, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und Energiespeichersysteme. |
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| 04.02.2026 07:33 |
Infineon startet erfolgreich ins Geschäftsjahr 2026 und beschleunigt angesichts weiter zunehmender Marktdynamik KI-Investitionen |
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Neubiberg, 4. Februar 2026 – Die Infineon Technologies AG gibt heute das Ergebnis für das am 31. Dezember 2025 abgelaufene erste Quartal des Geschäftsjahres 2026 bekannt. |
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| 03.02.2026 19:39 |
Infineon baut führende Position bei Sensoren weiter aus und erwirbt Portfolio an nicht-optischen Analog-/Mixed-Signal-Sensoren von ams OSRAM |
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München, Deutschland – 3. Februar 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr Sensorgeschäft mit dem Erwerb des nicht-optischen Analog-/Mixed-Signal-Sensorportfolios von ams OSRAM. Beide Unternehmen haben eine Vereinbarung über einen Kaufpreis von 570 Millionen Euro auf schuldenfreier und bargeldloser Basis getroffen. Mit der geplanten Investition stärkt Infineon die führende Position im Bereich der Sensoren für Automobil- und Industrieanwendungen durch ein komplementäres Portfolio und erweitert die Produktpalette bei Sensoren für medizinische Anwendungen. |
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