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| 02.11.2026 14:30 |
Infineon ermöglicht Entwicklung von Fahrzeugcomputern für automatisiertes Fahren und digitale Cockpits auf Basis von Qualcomm Snapdragon Ride |
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München, 2. November 2026 Die Infineon Technologies AG will gemeinsam mit Qualcomm Technologies, Inc. die Entwicklung und Einführung zentraler Fahrzeugcomputer in softwaredefinierten Fahrzeugen (software-defined vehicles, SDVs) beschleunigen. Die Unternehmen haben eine Technologievereinbarung über ein mikrocontrollerbasiertes Designkonzept geschlossen, das die Snapdragon Ride Referenzplattformen von Qualcomm Technologies für Hochleistungscomputing und künstliche Intelligenz im Fahrzeug als Subsystem ergänzt. Durch die Zusammenarbeit verbinden sie den Plattformansatz und die leistungsstarken System-on-Chip-Rechenbausteine (SoCs) von Qualcomm Technologies mit der Hard- und Software-Expertise von Infineon in den Bereichen Sicherheitsmanagement, Konnektivität und Datenspeicher und erweitern so das Snapdragon Ride Ökosystem. Dies ebnet den Weg für eine schnellere Einführung von Fahrzeugcomputern, die automatisiertes Fahren und digitale Cockpitlösungen auf einer Rechnerplattform vereinen. |
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| 28.10.2026 13:35 |
Neues Büro- und Laborgebäude von Infineon in Warstein schafft Raum für Innovationen |
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Warstein, 28. Oktober 2026 Die Infineon Technologies AG hat am Innovationsstandort Warstein ihr neues Büro- und Laborgebäude offiziell eröffnet. Mit dem Neubau schafft das Unternehmen moderne Arbeits- und Entwicklungsumgebungen und stärkt die Rolle des Standorts als Innovationszentrum für Leistungshalbleitermodule. Herzstück des Gebäudes, in das rund 350 Mitarbeitende einziehen werden, sind rund 1.200 Quadratmeter Laborflächen, die künftig eine noch effizientere Entwicklung neuer Produkte und Technologien ermöglichen werden. Das Gebäude wurde gemeinsam mit dem Projektentwickler und Investor GARBE Institutional Capital in enger Abstimmung mit Infineon als Mieter realisiert. Das Investitionsvolumen von GARBE Institutional Capital und BC Partners Real Estate lag im mittleren zweistelligen Millionen Euro-Bereich. |
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| 27.10.2026 07:45 |
Infineon errichtet in Europa weltweit erste Hochvolumenfertigung für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Wafern |
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München, Deutschland / Wien, Österreich 27. Oktober 2026 Die Infineon Technologies AG baut die weltweit erste Hochvolumenfertigung für Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleiter der neuesten Generation auf 300-Millimeter-Wafern auf. Im Rahmen des Projekts investiert Infineon bis 2034 rund 1,1 Milliarden Euro in bestehende Reinraumflächen am Standort Villach. Die gleichzeitige Nutzung der vorhandenen sowie modernisierten Infrastruktur ermöglicht einen besonders effizienten und kosteneffektiven Ausbau der Fertigungskapazitäten. Der Produktionsstart ist für Ende 2027 vorgesehen. Mit dieser Investition adressiert Infineon die stark wachsende Nachfrage nach leistungsfähigen Stromversorgungslösungen. Galliumnitrid ermöglicht erhebliche Effizienzsteigerungen in zahlreichen Applikationen wie KI-Rechenzentren, Energie-Infrastruktur, Elektromobilität, Robotik und Konsumentenelektronik. |
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| 26.10.2026 13:15 |
Infineon und Enphase Energy kündigen weltweit erste 900-V-GaN-Bidirektionalschalter für Solid-State-Transformer in KI-Rechenzentren an |
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München, 26. Oktober 2026 Die Infineon Technologies AG liefert die weltweit ersten monolithischen bidirektionalen 900-V-GaN-Schalter (bi-directional switch, BDS) an Enphase Energy, ein globales Energietechnologie-Unternehmen. Die Bauteile werden in den Solid-State-Transformer (SST)-Leistungsmodulen von Enphase eingesetzt. Durch die Erweiterung des Spannungsbereichs der GaN-Technologie auf 900 V bei gleichzeitigem Erhalt ihrer Hochfrequenz-Schalteigenschaften ermöglichen die Schalter hocheffiziente und kompakte Leistungswandlungsarchitekturen für neue Anwendungen, darunter KI-Rechenzentren. |
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| 22.10.2026 14:15 |
UnternehmerTUM Accelerator, Microsoft, Infineon Technologies und NVIDIA starten Physical AI Growth Lab für Europas innovativste Gründerteams |
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München, 22. Oktober 2026. UnternehmerTUM Accelerator, Microsoft, Infineon und NVIDIA starten Physical AI Growth Lab, einen kostenlosen und equity-freien Accelerator für Europas innovativste Gründerinnen und Gründer im Bereich Physical AI, Robotik und industrieller KI. Das Programm läuft von Januar bis April 2027 und kombiniert Expertise, Infrastruktur, Kapitalzugang und Unternehmens¬netzwerke, um Gründende zum Wachstum zu befähigen. |
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| 21.10.2026 13:45 |
Infineon arbeitet mit NVIDIA an Stromwandlungssystemen auf Basis von Galliumnitrid für KI-Rechenzentren auf 800 Volt |
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München, Deutschland 21. Oktober 2026 Die Infineon Technologies AG verkündet anlässlich der NVIDIA-Entwicklerkonferenz GTC Berlin den Ausbau ihrer Zusammenarbeit mit NVIDIA bei 800-Volt-Gleichstrom-Architekturen (800 VDC) für KI-Rechenzentren. Im Mittelpunkt steht der Hochvolt-Spannungsumrichter (Intermediate Bus Converter, IBC). Er ist eine der kritischsten und anspruchsvollsten Wandlungsstufen in der Energieversorgungskette von KI-Rechenzentren. Die Galliumnitrid (GaN)-Technologie von Infineon etabliert sich dabei als besonders geeignete Technologie für diese Stufe. Die Ankündigung setzt die gemeinsame Arbeit beider Unternehmen fort, die im Mai 2025 begann und im Oktober 2025 weiter konkretisiert wurde. |
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