| 27.04.2026 10:15 |
Infineon liefert MEMS-Technologie für Valeos Boden-Projektionsmodul basierend auf Laser Beam Scanning, präsentiert auf der Auto China 2026 |
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• Valeo und Infineon arbeiten gemeinsam an einem Bodenprojektionsmodul zur Verbesserung der V2X-Kommunikation und Verkehrssicherheit.
• Das Produkt wird auf der AutoBeijing vorgestellt und integriert Infineons MEMS-Technologie in Valeos hochauflösendes Kurzdistanz-Bodenprojektionsmodul mit Zwei-Farben-Ausgabe.
München, Deutschland – 27. April 2026 — Infineon und Valeo, ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich automobiler Beleuchtung, arbeiten gemeinsam an einem Kurzdistanz-Bodenprojektionsmodul mit integriertem Laser Beam Scanning (LBS). Ihre erste gemeinsame Innovation wird auf der Auto China 2026 in Peking, China, am Valeo-Stand (Halle B2, Stand B2D01) präsentiert. |
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| 22.04.2026 12:15 |
Quantenchips: Infineon bringt Industrialisierungskompetenz in europäische Quanten-Pilotlinien ein |
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München, Deutschland – 22. April 2026 – Infineon Technologies AG ist ein zentraler Industriepartner zur Beschleunigung des europäischen Bestrebens hin zu praxistauglichen – und letztlich kommerziell nutzbaren – Quantencomputern. Mit erstklassiger Entwicklungs-; und Fertigungskompetenz bringt sich Infineon gleich in drei europäischen Quanten-Pilotlinienprojekten ein: SUPREME, CHAMP-ION und SPINS. |
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| 22.04.2026 10:45 |
KI mit Wirkung: Infineon gewinnt „AI Impact Award 2026“ für messbaren Mehrwert in der Halbleiterfertigung |
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München, 22. April 2026 – Die Infineon Technologies AG wurde mit dem AI Impact Award 2026 für das „GenAI for Test Engineering“-Programm ausgezeichnet. Der Award wird von Manager Magazin und Porsche Consulting vergeben und prämiert Unternehmen, die durch den gezielten Einsatz von künstlicher Intelligenz nachweisbare und messbare Auswirkungen auf ihre Geschäftsergebnisse erzielen. |
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| 15.04.2026 10:30 |
Mission erfüllt: Infineon-Technologie bewährt sich erneut bei Mondmission Artemis II im Weltall |
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- Strahlungsgehärtete Halbleiter von Infineon unterstützen über zehn Tage im Weltraum das elektronische Rückgrat der NASA-Artemis-II-Orion-Kapsel.
- Seit den 1970er-Jahren hat sich die strahlungsgehärtete Technologie von Infineon in Hunderten von Weltraummissionen bewährt.
- Erster JANS-qualifizierter und intern produzierter GaN-Transistor mit Strahlungshärte von Infineon setzt Maßstab für Weltraum-Halbleiter.
München, Deutschland – 15 April 2026 – Die NASA-Artemis-II-Mission ist nach zehn Tagen im Weltraum, der Näherung an den Mond und der weitesten Entfernung der bemannten Raumfahrt von der Erde erfolgreich zurückgekehrt. Vier Astronaut*innen sind sicher auf der Erde gelandet und mit ihnen der erneute Beweis, dass die strahlungsgehärteten Halbleiterlösungen der Infineon Technologies AG auch unter den extremen Bedingungen des Weltraums zuverlässig funktionieren. Von der kritischen Energieversorgung über Steuerungssysteme bis hin zur Datenkommunikation leisten strahlungsgehärtete Technologien von Infineon aus der IR HiRel (High Reliability)-Division einen wichtigen Beitrag zum elektronischen Rückgrat im Innern der Orion-Kapsel. |
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| 13.04.2026 10:15 |
Infineon baut globale Marktführerschaft bei Automotive-Halbleitern aus |
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– Infineon ist zum sechsten Mal in Folge globaler Marktführer und vergrößert seinen Vorsprung gegenüber Kern-Wettbewerbern
– Starke Nummer‑eins‑Positionen in Europa, China und Südkorea; top‑zwei in Nordamerika und Japan
– Deutliche Zugewinne bei Mikrocontrollern: Marktanteil steigt auf 36 Prozent
München, 13. April 2026 – Die Infineon Technologies AG hat ihre Position als weltweit führender Anbieter von Halbleitern für die Automobilindustrie erneut bestätigt. Laut der jüngsten Marktanalyse von TechInsights [1] für das Jahr 2025 erreichte Infineon im sechsten Jahr in Folge die Nummer‑eins‑Position und baute gleichzeitig seinen Vorsprung gegenüber Kern-Wettbewerbern weiter aus. Damit bekräftigt das Unternehmen seine Rolle als bevorzugter Partner in einer sich rasant wandelnden Automobilindustrie. |
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| 26.03.2026 10:15 |
Infineon präsentiert erstes TLVR-Vierphasenmodul mit über 2 A/mm² Stromdichte für KI-Rechenzentren der Zukunft |
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München, 26. März 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt ein Vierphasen-Leistungsmodul mit hoher Stromdichte und TLVR-Induktivitäten (Trans-Inductor Voltage Regulator) auf den Markt, um den Leistungsbedarf moderner KI-Rechenzentren zu decken. Bei dem TDM24745T handelt es sich um ein neues OptiMOS™-Vierphasen-Leistungsmodul, das speziell für die rasant steigenden Leistungsanforderungen von KI-Beschleunigern entwickelt wurde. Es integriert vier Leistungsstufen, einen TLVR-Induktor und Entkopplungskondensatoren in einem kompakten Gehäuse mit den Abmessungen 9 x 10 x 5 mm³. Das Modul erreicht eine branchenführende Stromdichte von über 2 A/mm². Diese Kombination ermöglicht ein hervorragendes Transientenverhalten und unterstützt die hohen Kernströme moderner GPU- und KI-Prozessoren. |
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