| 20.05.2026 12:45 |
Infineon CoolGaN™ BDS 40 V G3-Familie reduziert PCB-Platzbedarf für portable Leistungsdesigns um bis zu 82 Prozent |
|
München, 20. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihre CoolGaN™ BDS 40 V G3-Familie für bidirektionale Schalter (BDS) um zwei neue Halbleiterbauteile: den IGK048B041S und den IGK120B041S. Die neuen Bauelemente reduzieren den PCB-Platzbedarf um bis zu 82 Prozent und halbieren die Komponentenanzahl. Für Ingenieure, die unter den engen räumlichen Anforderungen moderner Smartphones, Notebooks und Wearables entwickeln, ist dies ein bedeutender und messbarer Fortschritt. Die neuen Bauelemente sind auf kompakte Consumer-Geräte ausgerichtet und bieten Power-System-Designern mehr Flexibilität, um Effizienz zu optimieren und Designs zu verschlanken, ohne Abstriche bei der Performance. |
 |
|
| 20.05.2026 12:00 |
Infineon startet EU-Flaggschiffprojekt Moore4Power für nachhaltige Leistungselektronik der nächsten Generation |
|
München, Deutschland – 20. Mai 2026 - Heute fiel der offizielle Startschuss für das Projekt Moore4Power (More than Moore for Disruptive Innovations in Power Electronics), eines der ambitioniertesten Halbleiter-F&E-Projekte Europas. Unter der Federführung der Infineon Technologies AG, einem weltweit führenden Anbieter von Halbleiterlösungen für Power-Systems, vereint die Initiative der Chips Joint Undertaking große, kleine und mittlere Unternehmen sowie Forschungsinstitute aus 15 europäischen Ländern. Ziel ist es, die nächste Generation intelligenter, effizienter und nachhaltiger Leistungselektronik zu entwickeln. |
|
|
| 12.05.2026 10:15 |
Infineon und d-Matrix optimieren Leistung und Energieeffizienz für KI-Inferenz in Rechenzentren |
|
München, Deutschland – 12. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG arbeitet mit d-Matrix®, einem Pionier im Bereich hochinteraktiver, latenzarmer KI-Inferenz-Architekturen für Rechenzentren, zusammen. Die Halbleiterlösungen von Infineon unterstützen den Corsair™ Inferenz-Beschleuniger von d-Matrix dabei, erstklassige Leistung, Energieeffizienz und Systemintegration in hochdichten Boards zu erzielen. Die Lösung von d-Matrix nutzt die zweiphasigen Leistungsmodule OptiMOS™ TDM2254xx von Infineon, die eine echte vertikale Stromversorgung und eine hohe Dichte von 1,0 A/mm² ermöglichen. |
|
|
| 11.05.2026 14:15 |
Neue XHP™ 2 CoolSiC™-Leistungsmodule von Infineon steigern Effizienz und Leistungsdichte in Hochspannungs-Energiesystemen |
|
München, 11. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr Portfolio an XHP™ 2-Leistungsmodulen um neue Varianten mit CoolSiC™ MOSFETs 2300 V, die speziell für Hochspannungs-Energiesysteme entwickelt wurden. Die neuen Bauteile unterstützen Zwischenkreisspannungen von bis zu 1500 V und adressieren damit den Trend hin zu höheren Systemspannungen. Die Module sind in mehreren Varianten erhältlich und bieten Einschaltwiderstände (RDS(on)) von 1 mΩ bis 2 mΩ sowie Isolationsspannungen von wahlweise 4 kV oder 6 kV. Dank der Siliziumkarbid (SiC)-Technologie reduzieren sie sowohl Schalt- als auch Leitverluste gegenüber herkömmlichen siliziumbasierten Lösungen. Dadurch können Entwicklerinnern und Entwickler Wechselrichter mit höherer Effizienz und Leistungsdichte realisieren oder höhere Schaltfrequenzen einsetzen, um Oberschwingungen zu minimieren und die Systemgröße zu reduzieren. Die neuen XHP 2 CoolSiC MOSFET-Module eignen sich besonders für Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien, darunter Windkraft-, Photovoltaik- und Batteriespeichersysteme. |
|
|
| 11.05.2026 10:00 |
Infineon Startup Challenge 2026 rückt humanoide Robotik in den Fokus |
|
München, 11. Mai 2026 – Mit der Startup Challenge bringt Infineon vielversprechende Gründerteams und junge Hightech-Unternehmen aus aller Welt zusammen, um gemeinsam an einem hochaktuellen Thema zu arbeiten: humanoide Robotik. Die Challenge ist ein strukturiertes Innovationsprogramm, um technologische Konzepte gezielt in Richtung marktreifer Anwendungen weiterzuentwickeln. Sie ist Teil des weltweiten Infineon Co-Innovation Programms, in dem Infineon als Technologie- und Entwicklungspartner Innovationen gemeinsam mit Startups vorantreibt. |
|
|
| 07.05.2026 23:50 |
U.S. International Trade Commission (ITC) entscheidet zugunsten von Infineon und verhängt ein Import- und Vertriebsverbot gegen Innoscience |
|
München – 07.05.2026 – Die Full Commission der US International Trade Commission (ITC) hat die vorläufige Feststellung vom Dezember 2025 bestätigt, wonach Innoscience ein Infineon-Patent im Bereich der Galliumnitrid-(GaN)-Technologie verletzt hat. Die Behörde ordnete ein Import- und Verkaufsverbot gegen Innoscience an. Diese Entscheidung und die Unterlassungsverfügungen unterliegen einer 60-tägigen Überprüfungsfrist durch den US-Präsidenten. |
|
|
| |
««
«
1
2
3
4
5
»
»»
|
