| Presse-Informationen 1 bis 6 von 1848 |
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| 28.05.2026 10:15 |
SECORA™ Connect X und SECORA™ Wallet von Infineon ermöglichen gesicherte kontaktlose Zahlungen für smarte Wearables |
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München, 28. Mai 2026 – Kontaktloses Bezahlen ist eine Funktion, die jede moderne Smartwatch und jeder Smart-Ring bieten sollte. Sie ist schnell, bequem und bietet Schutz vor Missbrauch. Bis 2030 werden voraussichtlich bis zu 4 Milliarden NFC-fähige Geräte im Einsatz sein, darunter bis zu 700 Millionen Wearables. Dementsprechend wächst die Nachfrage nach kontaktlosem Bezahlen rasant. Die Infineon Technologies AG bringt mit SECORA™ Connect X eine integrationsfertige Lösung auf den Markt, mit der Kunden Smart Wearables in voll funktionsfähige Zahlungsgeräte verwandeln können. In Kombination mit dem neuen SECORA™ Wallet und dem SECORA™ Token Requestor von Infineon, die in Mastercard® (MDES) und Visa® (VTS) integriert sind, unterstützt die Lösung die Digitalisierung von Bezahlkarten und die Erstellung einer individuell gebrandeten Wallet-App. Die neue SECORA-Komplettlösung für Wearable-Zahlungen beschleunigt die Markteinführung durch nahtlose Integration und Zertifizierung und bietet zugleich flexibles Design, Digitalisierung von Bezahlkarten sowie gesicherten Zahlungsfunktionen für jedes smarte Wearable. |
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| 26.05.2026 10:15 |
Infineon präsentiert Halbleiterlösungen für Energieinfrastruktur, KI-Rechenzentren, Robotik und Elektromobilität auf der PCIM Europe 2026 |
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München, 26. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG zeigt auf der PCIM Europe 2026 in Nürnberg ihr umfassendes Halbleiterportfolio für zukunftssichere Energieinfrastruktur, KI-Rechenzentren, Robotik und Elektromobilität. Am Stand 470 in Halle 7 präsentiert das Unternehmen ein breites Spektrum an Silizium (Si)-, Siliziumkarbid (SiC)- und Galliumnitrid (GaN)-Halbleitern, ergänzt um Software, Tools und Cybersicherheitslösungen. |
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| 20.05.2026 12:45 |
Infineon CoolGaN™ BDS 40 V G3-Familie reduziert PCB-Platzbedarf für portable Leistungsdesigns um bis zu 82 Prozent |
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München, 20. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihre CoolGaN™ BDS 40 V G3-Familie für bidirektionale Schalter (BDS) um zwei neue Halbleiterbauteile: den IGK048B041S und den IGK120B041S. Die neuen Bauelemente reduzieren den PCB-Platzbedarf um bis zu 82 Prozent und halbieren die Komponentenanzahl. Für Ingenieure, die unter den engen räumlichen Anforderungen moderner Smartphones, Notebooks und Wearables entwickeln, ist dies ein bedeutender und messbarer Fortschritt. Die neuen Bauelemente sind auf kompakte Consumer-Geräte ausgerichtet und bieten Power-System-Designern mehr Flexibilität, um Effizienz zu optimieren und Designs zu verschlanken, ohne Abstriche bei der Performance. |
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| 20.05.2026 12:00 |
Infineon startet EU-Flaggschiffprojekt Moore4Power für nachhaltige Leistungselektronik der nächsten Generation |
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München, Deutschland – 20. Mai 2026 - Heute fiel der offizielle Startschuss für das Projekt Moore4Power (More than Moore for Disruptive Innovations in Power Electronics), eines der ambitioniertesten Halbleiter-F&E-Projekte Europas. Unter der Federführung der Infineon Technologies AG, einem weltweit führenden Anbieter von Halbleiterlösungen für Power-Systems, vereint die Initiative der Chips Joint Undertaking große, kleine und mittlere Unternehmen sowie Forschungsinstitute aus 15 europäischen Ländern. Ziel ist es, die nächste Generation intelligenter, effizienter und nachhaltiger Leistungselektronik zu entwickeln. |
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| 12.05.2026 10:15 |
Infineon und d-Matrix optimieren Leistung und Energieeffizienz für KI-Inferenz in Rechenzentren |
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München, Deutschland – 12. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG arbeitet mit d-Matrix®, einem Pionier im Bereich hochinteraktiver, latenzarmer KI-Inferenz-Architekturen für Rechenzentren, zusammen. Die Halbleiterlösungen von Infineon unterstützen den Corsair™ Inferenz-Beschleuniger von d-Matrix dabei, erstklassige Leistung, Energieeffizienz und Systemintegration in hochdichten Boards zu erzielen. Die Lösung von d-Matrix nutzt die zweiphasigen Leistungsmodule OptiMOS™ TDM2254xx von Infineon, die eine echte vertikale Stromversorgung und eine hohe Dichte von 1,0 A/mm² ermöglichen. |
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| 11.05.2026 14:15 |
Neue XHP™ 2 CoolSiC™-Leistungsmodule von Infineon steigern Effizienz und Leistungsdichte in Hochspannungs-Energiesystemen |
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München, 11. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr Portfolio an XHP™ 2-Leistungsmodulen um neue Varianten mit CoolSiC™ MOSFETs 2300 V, die speziell für Hochspannungs-Energiesysteme entwickelt wurden. Die neuen Bauteile unterstützen Zwischenkreisspannungen von bis zu 1500 V und adressieren damit den Trend hin zu höheren Systemspannungen. Die Module sind in mehreren Varianten erhältlich und bieten Einschaltwiderstände (RDS(on)) von 1 mΩ bis 2 mΩ sowie Isolationsspannungen von wahlweise 4 kV oder 6 kV. Dank der Siliziumkarbid (SiC)-Technologie reduzieren sie sowohl Schalt- als auch Leitverluste gegenüber herkömmlichen siliziumbasierten Lösungen. Dadurch können Entwicklerinnern und Entwickler Wechselrichter mit höherer Effizienz und Leistungsdichte realisieren oder höhere Schaltfrequenzen einsetzen, um Oberschwingungen zu minimieren und die Systemgröße zu reduzieren. Die neuen XHP 2 CoolSiC MOSFET-Module eignen sich besonders für Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien, darunter Windkraft-, Photovoltaik- und Batteriespeichersysteme. |
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