| Presse-Informationen 1 bis 6 von 1924 |
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| 09.11.2026 10:00 |
Infineon erzielt technologischen Meilenstein mit weltweit erstem 300-Millimeter-Siliziumkarbid-(SiC)-Wafer für Leistungselektronik |
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München – 9. November 2026 – Die Infineon Technologies AG hat in ihrem Werk in Villach, Österreich, 300-Millimeter-Siliziumkarbid-Wafer erfolgreich zu funktionsfähigen Leistungsbauelementen prozessiert. Infineon ist somit das erste Unternehmen, das diesen Innovationsmeilenstein unter realen Bedingungen in einer Halbleiterfertigung demonstriert hat. Möglich wurde dies durch die Nutzung vorhandener Fertigungsanlagen für Silizium (Si). Dieser frühe Erfolg mit funktionsfähigen Leistungsbauelementen unterstreicht den starken Fokus von Infineon, Kunden ein umfassendes Portfolio leistungsfähiger SiC-Leistungshalbleiter anzubieten und die langfristige Versorgung sicherzustellen. Die Chipproduktion auf 300-Millimeter-Wafern ist technologisch fortschrittlicher und deutlich effizienter als auf 200-Millimeter-Wafern, da der größere Durchmesser 2,3-mal mehr Chips pro Wafer ermöglicht. |
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| 05.11.2026 11:15 |
Infineon und SOLUM vertiefen Zusammenarbeit bei HVDC-Stromversorgungslösungen für KI-Rechenzentren |
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München, Deutschland, und Seoul, Südkorea – 5. November 2026 – Infineon und SOLUM haben eine Absichtserklärung (Memorandum of Understanding, MoU) unterzeichnet, um ihre bestehende Zusammenarbeit bei Hochvolt-Gleichstrom-Lösungen (HVDC) für KI-Rechenzentren zu vertiefen. Aufbauend auf ihrer laufenden technischen Kooperation planen die Unternehmen, ihre Arbeit auf drei zentrale Anwendungen der Stromversorgung auszuweiten: Zwischenkreiswandler (Intermediate Bus Converter, IBC), Batterie-Backup-Einheiten (Battery Backup Units, BBU) und Netzteile (Power Supply Units, PSU). |
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| 04.11.2026 09:30 |
Infineon setzt mit AURIX™ RC1 neue Maßstäbe für Echtzeit-Computing und -Steuerung in softwaredefinierten Fahrzeugen und Physischer KI |
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– Grundlegend neue Automotive-Mikrocontroller-Plattform von Infineon nutzt erstmals offenen Standard RISC-V
– Plattform vereinfacht Entwicklung softwaredefinierter Fahrzeuge durch domänenübergreifende, skalierbare Mikrocontroller-Basis anstelle von Einzellösungen
– High-End-Produktlinie innerhalb der Familie erweitert den Mikrocontroller-Bereich um zusätzliche Mikroprozessor-Fähigkeiten für die Integration weiterer Funktionen
– Fortschrittliche Rechen-, Sicherheits-, Cybersecurity- und integrierte Netzwerkfunktionen für sich verändernde Anforderungen über den gesamten Fahrzeuglebenszyklus
– Komplementäres Software-Ökosystem reduziert Migrationsaufwand und beschleunigt Softwareentwicklung bei Kunden
München, Deutschland – 4. November 2026 – Die Infineon Technologies AG baut ihr Portfolio für softwaredefinierte Fahrzeuge (SDV) sowie weitere softwaredefinierte (SDX) und Physische-KI-Anwendungen strategisch aus und stärkt damit ihre Position als Weltmarktführer bei Mikrocontrollern (MCU). Das Unternehmen führt innerhalb seiner branchenführenden AURIX™ Serie für Echtzeitsteuerung im Automobilbereich und anderen Anwendungsfeldern eine grundlegend neue MCU-Plattform ein. Als erste MCU-Plattform von Infineon nutzt AURIX RC1 die Vorteile von RISC-V. Sie skaliert von klassischen Mikrocontrollern bis hin zu hybriden Mikrocontroller-/Mikroprozessor-Bausteinen und bietet ein neues Niveau energieeffizienter Echtzeitintelligenz für zukünftige sichere und cybergeschützte SDV-, SDX- und Physische-KI-Anwendungen. Infineon stellt das Konzept der AURIX RC1 Familie auf der electronica in München (10.–13. November) vor und plant, im ersten Halbjahr 2027 Muster bereitzustellen. |
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| 03.11.2026 10:15 |
Infineon OptiMOS™ 7 40 V steigert Effizienz und Leistungsdichte von KI-Servern und Telekommunikationsanwendungen |
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München, 03. November 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt ihr schaltoptimiertes OptiMOS™ 7 40 V Leistungs-MOSFET-Portfolio für KI-Server, Rechenzentren und Telekommunikationsinfrastruktur auf den Markt. Die für die hochfrequente DC-DC-Wandlung ausgelegten Bauelemente helfen Entwicklern, Effizienz und Leistungsdichte in platzbeschränkten Systemen zu verbessern. Zielanwendungen sind niederspannungsseitige Sekundärstufen von Hochvolt-Zwischenkreiswandlern (Intermediate Bus Converter, IBC) in entstehenden 800-V-DC-Architekturen sowie IBCs in 48-V-Stromversorgungsarchitekturen. In geeigneten Topologien werden Schaltfrequenzen jenseits von 1 MHz unterstützt. |
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| 02.11.2026 14:30 |
Infineon ermöglicht Entwicklung von Fahrzeugcomputern für automatisiertes Fahren und digitale Cockpits auf Basis von Qualcomm Snapdragon Ride |
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München, 2. November 2026 – Die Infineon Technologies AG will gemeinsam mit Qualcomm Technologies, Inc. die Entwicklung und Einführung zentraler Fahrzeugcomputer in softwaredefinierten Fahrzeugen (software-defined vehicles, SDVs) beschleunigen. Die Unternehmen haben eine Technologievereinbarung über ein mikrocontrollerbasiertes Designkonzept geschlossen, das die Snapdragon Ride™ Referenzplattformen von Qualcomm Technologies für Hochleistungscomputing und künstliche Intelligenz im Fahrzeug als Subsystem ergänzt. Durch die Zusammenarbeit verbinden sie den Plattformansatz und die leistungsstarken System-on-Chip-Rechenbausteine (SoCs) von Qualcomm Technologies mit der Hard- und Software-Expertise von Infineon in den Bereichen Sicherheitsmanagement, Konnektivität und Datenspeicher und erweitern so das Snapdragon Ride Ökosystem. Dies ebnet den Weg für eine schnellere Einführung von Fahrzeugcomputern, die automatisiertes Fahren und digitale Cockpitlösungen auf einer Rechnerplattform vereinen. |
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| 28.10.2026 13:35 |
Neues Büro- und Laborgebäude von Infineon in Warstein schafft Raum für Innovationen |
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Warstein, 28. Oktober 2026 – Die Infineon Technologies AG hat am Innovationsstandort Warstein ihr neues Büro- und Laborgebäude offiziell eröffnet. Mit dem Neubau schafft das Unternehmen moderne Arbeits- und Entwicklungsumgebungen und stärkt die Rolle des Standorts als Innovationszentrum für Leistungshalbleitermodule. Herzstück des Gebäudes, in das rund 350 Mitarbeitende einziehen werden, sind rund 1.200 Quadratmeter Laborflächen, die künftig eine noch effizientere Entwicklung neuer Produkte und Technologien ermöglichen werden. Das Gebäude wurde gemeinsam mit dem Projektentwickler und Investor GARBE Institutional Capital in enger Abstimmung mit Infineon als Mieter realisiert. Das Investitionsvolumen von GARBE Institutional Capital und BC Partners Real Estate lag im mittleren zweistelligen Millionen Euro-Bereich. |
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