| 05.08.2026 07:32 |
Q3 GJ 2026 dank starkem KI-Geschäft mit Rekordumsatz abgeschlossen. Weiterer deutlicher Anstieg bei Umsatz und Marge in Q4 GJ 2026 erwartet |
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Neubiberg, 5. August 2026 – Die Infineon Technologies AG gibt heute das Ergebnis für das am 30. Juni 2026 abgelaufene dritte Quartal des Geschäftsjahres 2026 bekannt. |
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| 30.07.2026 10:15 |
Infineon SEMPER™ NOR-Flash stärkt Server-Management in Rechenzentren; für ASPEED AST2700 BMCs qualifiziert |
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München, Deutschland – 30. Juli 2026 – Der SEMPER™ NOR-Flash-Speicher der Infineon Technologies AG wurde für den Baseboard Management Controller (BMC) AST2700 von ASPEED Technology qualifiziert und in die Approved Vendor List (AVL) aufgenommen. Als Speichermedium für die BMC-Firmware unterstützt der SEMPER NOR-Flash die Infrastruktur für Server-Management, die einen resilienten und sicheren Betrieb ermöglicht und zur Verfügbarkeit und zum Schutz der Systeme beiträgt. Für Hyperscaler und Server-OEMs bietet die Qualifikation eine validierte, sofort einsetzbare Speicherlösung für AST2700-basierte Systeme. Dies reduziert das Design-Risiko und erleichtert die Auswahl der Komponenten in der Stückliste. |
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| 29.07.2026 10:15 |
Neuer Infineon SPOC™ Wire Guard 12-V-Automotive-eFuse unterstützt softwaredefinierte Fahrzeuge |
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München, 29. Juli 2026 – Infineon Technologies hat sein Portfolio zur Leistungsverteilung in Fahrzeugen um den SPOC™ Wire Guard BTS80009-SWPx-1ES erweitert. Dabei handelt es sich um einen hochintegrierten 12-V-Automotive-eFuse mit SPI-Schnittstelle. Als erstes Mitglied einer neuen Smart-Power-Switch-Familie kombiniert das Bauteil einen geschützten High-Side-Schalter mit integriertem I²t-Leitungsschutz, Software-Konfigurierbarkeit und erweiterter Diagnose. Es ist für neue E/E-Architekturen ausgelegt, die softwaredefinierte Fahrzeugkonzepte (SDV) mit Over-the-Air-Updates unterstützen. |
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| 28.07.2026 10:15 |
Infineon erweitert Solid-State-Isolatoren-Portfolio um kompakte ISSI20BxxF-Familie für industrielle Automatisierungsanwendungen mit hohen Stückzahlen |
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München, 28. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt die Solid-State-Isolator- (SSI)-Familie ISSI20BxxF auf den Markt. Damit erweitert das Unternehmen den Einsatzbereich der Halbleiter-Isolationstechnologie auf Anwendungen mit hohen Stückzahlen, die bislang typischerweise mit Photovoltaik-Isolatoren (PVIs), Photovoltaik-Relais (PVRs) und elektromechanischen Relais (EMRs) realisiert wurden. Die neue Produktfamilie ist in einem kompakten PG-DSO-8-Gehäuse mit 150 mil untergebracht und verfügt über einen Footprint, der mit bestehenden PVI-Lösungen vergleichbar ist. Dadurch erhalten Entwicklerinnen und Entwickler einen direkten Migrationspfad zur SSI-Technologie für platzbeschränkte Anwendungen. Die Produktfamilie bietet eine erhöhte Ansteuerleistung, integrierte Schutzfunktionen und Flexibilität bei der Auswahl der Leistungsschalter. Zu den Zielanwendungen zählen Halbleiterrelais-Module, SPS-Eingänge und -Ausgänge, industrielle Automatisierung, Gleichstromversorgungen für Laboranwendungen, automatisierte Testsysteme, Niederspannungs-Gebäudeautomation und Telekommunikationsinfrastruktur. |
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| 15.07.2026 14:15 |
Infineon stellt RIC70115 strahlungsgehärteten GaN-HEMT-Treiber für Satelliten- und Raumfahrtanwendungen vor |
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München, 15 Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt den RIC70115 vor, einen strahlungsgehärteten Galliumnitrid-HEMT-Treiber (GaN High-Electron Mobility Transistor), der für Satelliten- und hochzuverlässige Raumfahrtanwendungen entwickelt wurde, bei denen Leistungsumwandlungseffizienz und langfristige Betriebssicherheit kritische Anforderungen darstellen. Der RIC70115 unterstützt sowohl Silizium- (Si) als auch GaN-MOSFET-Designs in Low-Side- und High-Side-Konfigurationen und gibt Entwicklern von Leistungssystemen größere Flexibilität bei der Einführung GaN-basierter Architekturen in Raumfahrtplattformen, ohne den sicheren Betrieb bei variierenden Vorspannungsbedingungen zu beeinträchtigen. Mit dem weiteren Wachstum der New-Space-Wirtschaft und zunehmender Komplexität und Anzahl von Satellitenkonstellationen steigt die Nachfrage nach strahlungsgehärteten Leistungsbauelementen, die den Übergang von Si zu GaN unterstützen. |
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| 13.07.2026 08:15 |
Infineon und LS ELECTRIC entwickeln gemeinsam hocheffiziente Gleichstrom-Infrastrukturlösungen für KI-Rechenzentren |
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– Im Mittelpunkt der Zusammenarbeit stehen Stromwandlungslösungen für Energiespeicher, Solid-State-Transformer und Solid-State-Circuit Breaker
– Die Halbleiter von Infineon tragen dazu bei, Effizienz, Leistung und Zuverlässigkeit von Gleichstrom-Infrastruktursystemen zu verbessern
Seoul, Korea, 13. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG und LS ELECTRIC haben eine Absichtserklärung (Memorandum of Understanding, MoU) unterzeichnet, um gemeinsam hocheffiziente Gleichstrom (DC)-Energieinfrastrukturlösungen für KI-Rechenzentren und Stromnetze der nächsten Generation zu entwickeln. |
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