ROHMs neue MOSFETs gewährleisten Dank einzigartigem Isolationsschutz höheren Wirkungsgrad und sichereren Betrieb
RA1C030LD-Serie bietet branchenführend geringe Verlustleistung in einem kompakten Gehäuse
Willich-Münchheide, 19. Dezember 2022 – ROHM bietet mit dem RA1C030LD einen kompakten, hocheffizienten 20-V-N-Kanal-MOSFET, der optimiert ist für das Schalten in Anwendungen mit geringsten Abmessungen in Smartphones und Wearables wie kabellosen Ohrhörern und anderen Hörsystemen.
(Bild 1)

Die zunehmende Komplexität und der Leistungsbedarf kompakter Geräte haben in den letzten Jahren zu größeren Batterien und damit zu einer Verringerung des für die Bestückung von Komponenten verfügbaren Platzes geführt. Allerdings ist die Größe der Batterie begrenzt. Um eine effizientere Nutzung der Batterieleistung zu gewährleisten, muss der Leistungsverlust der eingebauten Komponenten minimiert werden.

In der Industrie setzt sich deshalb die Entwicklung von MOSFETs in Wafer-Level-Chip-Size-Packages (WLCSP) durch. Diese ermöglichen unter Beibehaltung der erforderlichen Eigenschaften eine weitere Miniaturisierung. ROHM nutzt seine Stärken als IC-Hersteller, um den Widerstand des Bonddrahts erheblich zu reduzieren. Das Ergebnis: ein kompakter Leistungs-MOSFET mit einer geringen Verlustleistung.

Der RA1C030LD wird im DSN1006-3-WLCSP mit Abmessungen von 1,0 mm × 0,6 mm x 0,22 mm angeboten. Das kompakte Gehäuse ermöglicht durch Nutzung der Vorteile von ROHMs proprietärem IC-Prozess, eine geringe Verlustleistung sowie eine stärkere Miniaturisierung. In Bezug auf die Leistungskennzahl, die das Verhältnis zwischen Leitungs- und Schaltverlusten (Einschaltwiderstand x Qgd) ausdrückt, wurde ein branchenführender Wert erreicht, der 20 % niedriger ist als bei Standardprodukten im gleichen Gehäuse (1,0 mm × 0,6 mm oder kleiner), was in einer Vielzahl von kompakten Geräten zu einer erheblich kleineren Leiterplattenfläche bei höherer Effizienz beiträgt. Gleichzeitig bietet die einzigartige Gehäusekonstruktion von ROHM einen Isolationsschutz für die Seitenwände (im Gegensatz zu Standardprodukten im gleichen Gehäuse ohne Schutz). Dieser verringert das Kurzschlussrisiko durch Kontakt zwischen Komponenten in kompakten Geräten, die aus Platzgründen mit hoher Dichte bestückt werden müssen. Zudem gewährleistet die Gehäusekonstruktion einen sichereren Betrieb.

ROHM wird auch in Zukunft Produkte mit noch geringerem Einschaltwiderstand in kleineren Gehäusen entwickeln, indem sie die Effizienz in einer Vielzahl kompakter Geräte verbessern und so zur Lösung gesellschaftlicher Herausforderungen wie dem Umweltschutz beitragen.
(Bild 2 + 3)

Spezifikationen
(Bild 4)

Anwendungsbeispiele
  • Hearables (z.B. kabellose Ohrhörer)
  • Wearables wie „intelligente“ Uhren/Brillen und Action-Kameras
  • Smartphones
Die MOSFETS eignen sich auch für eine Vielzahl von weiteren kompakten und miniaturisierten Geräten.

Informationen zum Online-Verkauf
Verfügbarkeit: Dezember 2022
Online-Vertriebspartner: Digi-Key, Mouser und Farnell
Die Vertrieb der neuen MOSFETS ist auch über weitere Online-Händler geplant.

*ROHM-Studie vom 19. Dezember 2022

Über ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31. März 2022 einen Umsatz von 452,1 Milliarden Yen (3,3 Milliarden Euro) erwirtschaftete und über 23.000 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, die von SiC-Dioden und MOSFETs, analogen ICs wie Gate-Treibern und Power-Management-ICs über Leistungstransistoren und Dioden bis hin zu passiven Bauelementen reicht. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Deutschland, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China. ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa). Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.de
 
 
 
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» Presse-Information
Datum: 19.12.2022 14:00
Nummer: PR29/22DE
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Wildmoos 7
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Kontakt: Peter Gramenz
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