ROHM entwickelt SiC-MOSFETs der fünften Generation: ca. 30 % geringerer Durchlasswiderstand bei hohen Temperaturen

Willich-Münchheide, 21. April 2026 – Mit den SiC-MOSFETs der fünften Generation hat ROHM die neuesten Bauelemente seiner EcoSiC™-Serie entwickelt. Die Technologie ist für hocheffiziente Leistungsanwendungen optimiert und eignet sich ideal für elektrische Antriebssysteme in Fahrzeugen, beispielsweise für Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen (xEVs), sowie für die Stromversorgung von KI-Servern und Industrieanwendungen wie Rechenzentren. In den letzten Jahren hat die rasante Verbreitung generativer KI und die Verarbeitung großer Datenmengen den Einsatz von Hochleistungsservern im Bereich der Industrieausrüstung beschleunigt. Der daraus resultierende Anstieg der Leistungsdichte belastet jedoch die Strominfrastruktur zunehmend und lässt Bedenken hinsichtlich lokaler Versorgungsengpässe aufkommen. Intelligente Stromnetze, die erneuerbare Energiequellen (z. B. Solarenergie) mit bestehenden Stromversorgungsnetzen verbinden, zeichnen sich zwar als mögliche Lösung ab, doch bleibt die Minimierung von Verlusten bei der Energieumwandlung und -speicherung eine zentrale Herausforderung. In der Automobilbranche erfordern Elektrofahrzeuge der nächsten Generation eine größere Reichweite und schnellere Ladezeiten. Das erhöht den Bedarf an verlustarmen Wechselrichtern und leistungsstärkeren Bordladegeräten. Vor diesem Hintergrund kommen SiC-Bauelemente, die sowohl geringe Verluste als auch einen hohen Wirkungsgrad bieten, zunehmend in Hochleistungs-anwendungen im Bereich von wenigen Kilowatt bis zu Hunderten von Kilowatt zum Einsatz. Als weltweit erstes Halbleiterunternehmen begann ROHM im Jahr 2010 mit der Serienproduktion von SiC-MOSFETs. Durch den Einsatz von SiC-Bauelementen in einer Vielzahl von Hochleistungsanwendungen leistete das Unternehmen einen Beitrag zur Verringerung von Energieverlusten und bot bereits frühzeitig eine Produktpalette an, die den Zuverlässigkeitsstandards für die Automobilindustrie wie AEC-Q101 entsprach. Die SiC-MOSFETs der vierten Generation, deren Musterbereitstellung im Juni 2020 begann, werden weltweit in Automobil- und Industrieanwendungen eingesetzt. Sie sind in einem breiten Produktportfolio erhältlich, das sowohl diskrete Bauelemente als auch Module umfasst, und die rasche Marktdurchdringung der SiC-Technologie unterstützt. Die neu entwickelten SiC-MOSFETs der fünften Generation zeichnen sich durch die branchenweit niedrigsten Verluste aus und forcieren damit die breitere Einführung der SiC-Technologie. Durch strukturelle Verbesserungen und die Optimierung des Herstellungsprozesses konnte der Durchlasswiderstand im Hochtemperaturbetrieb (Tj = 175 °C) im Vergleich zu herkömmlichen Produkten der vierten Generation (unter gleichen Bedingungen hinsichtlich Durchbruchspannung und Chipgröße) um ca. 30 % reduziert werden. Diese Verbesserung trägt dazu bei, die Baugröße zu verringern und gleichzeitig die Ausgangsleistung in Hochtemperaturanwendungen wie Antriebswechselrichtern für xEVs zu erhöhen. ROHM begann im Jahr 2025 mit der Entwicklung von Bare-Die-Bauelementen für SiC-MOSFETs der fünften Generation und schloss diese im März 2026 ab. Ab Juli 2026 wird ROHM zudem Muster von diskreten Bauelementen und Modulen bereitstellen, in denen SiC-MOSFETs der fünften Generation zum Einsatz kommen. Für die Zukunft plant ROHM, sein Angebot an SiC-MOSFETs der fünften Generation um weitere Durchbruchspannungsoptionen und Gehäuseversionen zu erweitern. Darüber hinaus wird das Unternehmen seine Design-Tools kontinuierlich verbessern und den Anwendungssupport ausbauen. Durch die intensive Förderung des Einsatzes der SiC-Technologie, die sich mittlerweile in der Mainstream-Phase befindet, leistet ROHM einen Beitrag zu einer effizienteren Energienutzung in einer Vielzahl von Hochleistungsanwendungen. Anwendungsbeispiele Automobiltechnik: xEV-Antriebswechselrichter, Bordladegeräte (OBCs), DC-DC-Wandler, elektrische Kompressoren Industrieausrüstung: Stromversorgungen für KI-Server und Rechenzentren, PV-Wechselrichter, ESS (Energiespeichersysteme), USV (unterbrechungsfreie Stromversorgungen), eVTOL, AC-Servomotoren Die Marke EcoSiC™ EcoSiC™ ist eine Marke für Bauelemente, die Siliziumkarbid (SiC) verwenden. Im Bereich der Leistungselektronik gewinnt SiC aufgrund seiner höheren Leistungsfähigkeit im Vergleich zu Silizium zunehmend an Bedeutung. ROHM entwickelt die erforderlichen Kerntechnologien für die Weiterentwicklung von SiC-Bauelementen vollständig im eigenen Haus, von der Wafer-Herstellung und dem Produktionsprozess über das Packaging bis hin zu Methoden zur Qualitätskontrolle. Gleichzeitig hat ROHM ein vollständig integriertes Produktionssystem für den gesamten Herstellungsprozess aufgebaut, wodurch die Position des Unternehmens als führender SiC-Lieferant weiter gestärkt wird. *EcoSiC™ ist eine Marken oder eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd.

Über ROHM Semiconductor ROHM, ein führender Hersteller von Halbleitern und elektronischen Komponenten, wurde 1958 gegründet. Vom Automobil- und Industrieausrüstungsmarkt bis hin zum Konsum- und Kommunikationssektor liefert ROHM über ein weltweites Vertriebs- und Entwicklungsnetz ICs, diskrete Bauelemente und elektronische Komponenten von höchster Qualität und Zuverlässigkeit. Die Stärken von ROHM im Analog- und Leistungsmarkt ermöglichen es uns, optimierte Lösungen für ganze Systeme anzubieten, die Peripheriekomponenten (z. B. Transistoren, Dioden, Widerstände) mit den neuesten SiC-Leistungsbauelementen sowie Treiber-ICs kombinieren, um deren Leistung zu maximieren. Weitere Informationen zu ROHM finden Sie unter: www.rohm.de