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14.03.2024 14:00 ROHM ha sviluppato LDO primari automotive che sfruttano la tecnologia QuiCur™ per ottenere caratteristiche di risposta al carico ai vertici del settore*
Willich-Münchheide, Germania, 14 marzo 2024 – ROHM ha sviluppato la serie di regolatori LDO primari con un'uscita nominale di 500 mA e 45 V BD9xxM5-C (BD933M5EFJ-C / BD950M5EFJ-C / BD900M5EFJ-C / BD933M5WEFJ-C / BD950M5WEFJ-C / BD900M5WEFJ-C). Questi dispositivi sono ideali per fornire alimentazione a componenti elettronici del settore automotive come le Central Unit (ECU) alimentate dalle batterie del veicolo.
15.02.2024 14:00 I nuovi SBD ROHM offrono tempi di reverse recovery ai vertici della categoria* con una tensione di scarica disruptiva di 100 V grazie a una struttura trench-MOS che migliora in modo significativo il bilanciamento VF-IR
Willich-Münchheide, Germania, 15 febbraio 2024 – ROHM ha sviluppato diodi a barriera Schottky (SBD) con una tensione di scarica disruptiva di 100 V che offrono un tempo di reverse recovery (trr) leader del settore per i circuiti di protezione e alimentazione di applicazioni automotive, industriali e di consumo.
07.02.2024 14:00 Nuovo amplificatore operazionale Zero-Drift di ROHM ad alta precisione, insensibile alle variazioni di temperatura
Willich-Münchheide, Germania, 7 febbraio 2024 – ROHM ha sviluppato il modello di amplificatore operazionale a deriva zero LMR1002F-LB. Progettato per i dispositivi elettronici industriali e di consumo, riduce al minimo sia la tensione di offset in ingresso sia la deriva di temperatura di tale tensione. In grado di amplificare in modo accurato i segnali di uscita provenienti da sensori installati in dispositivi di misurazione di diverso tipo, questo nuovo amplificatore operazionale è ideale per applicazioni di rilevamento della corrente, ad esempio inverter per il controllo dell'alimentazione e rilevatori di gas/flusso/pressione/temperatura.
24.01.2024 14:00 I MOSFET compatti da 600 V con package SOT-223-3 di ROHM contribuiscono a ridurre e assottigliare i design di alimentatori per illuminazione, pompe e motori
Willich-Münchheide, Germania, 24 gennaio 2024 – ROHM ha aggiunto una line-up di MOSFET Super Junction compatti da 600 V – vale a dire i modelli R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4. Si tratta di dispositivi ideali per piccoli alimentatori per illuminazione, pompe e motori.
06.12.2023 14:00 ROHM offre la più vasta* libreria di modelli LTspice® del settore, che arriva a superare i 3.500 aggiungendo librerie SiC e IGBT
Willich-Münchheide, Germania, 06 dicembre 2023 – ROHM ha ampliato la libreria della line-up di modelli SPICE per LTspice del suo simulatore di circuiti. Il software LTspice è anche dotato di funzioni quali l'acquisizione grafica del circuito e il visualizzatore di forme d'onda che consentono ai designer di controllare e verificare in anticipo se il funzionamento del circuito è conforme alla progettazione. Oltre all'esistente line-up di transistor, diodi e MOSFET bipolari, ROHM ha aggiunto dispositivi di potenza SiC e IGBT che portano il suo numero di modelli LTspice a più di 3.500 per i componenti discreti (scaricabili dalle pagine di prodotto). A questo punto la quota di copertura dei modelli LTspice nel sito web di ROHM è superiore all'80% di tutti i prodotti: così si assicura ai designer maggior praticità quando usano i simulatori di circuiti che integrano prodotti discreti, inclusi adesso anche i dispositivi di potenza.
08.11.2023 14:00 Il nuovo circuito integrato per gate driver ultra-veloce di ROHM: ottimizzare le prestazioni dei dispositivi GaN
Willich-Münchheide, Germania, 8 novembre 2023 – ROHM ha sviluppato un circuito integrato per gate driver: il BD2311NVX-LB. È ottimizzato per i dispositivi GaN e raggiunge velocità di pilotaggio del gate nell’ordine di nanosecondi (ns): ideale per la commutazione GaN ad alta velocità. Ciò è stato facilitato da una profonda conoscenza della tecnologia GaN e dalla continua ricerca delle prestazioni del gate driver. Ne risulta una commutazione rapida con una larghezza minima dell’impulso di ingresso del gate di 1,25 ns, che si traduce in applicazioni più piccole, con una maggiore efficienza energetica e prestazioni più elevate.
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