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| 05.03.2025 14:00 |
EcoGaN™ de ROHM ha sido adoptado para fuentes de alimentación de servidores de IA por Murata Power Solutions |
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Willich-Münchheide, Alemania, 05 de marzo de 2025 - ROHM ha anunciado que la serie EcoGaN de HEMTs de GaN de 650 V en el encapsulado TOLL ha sido adoptada para fuentes de alimentación de servidores de IA por Murata Power Solutions, filial del Murata Manufacturing Group y proveedor líder de componentes electrónicos, baterías y fuentes de alimentación en Japón. La integración de los HEMT de GaN de ROHM, que combinan un funcionamiento de bajas pérdidas con un rendimiento de conmutación de alta velocidad, en la fuente de alimentación para servidores de IA de 5,5 kW de Murata Power Solutions consigue una mayor eficiencia y miniaturización. La producción en masa de esta fuente de alimentación comenzará en 2025. |
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| 27.02.2025 14:00 |
ROHM lanza el HEMT de GaN de 650 V en un encapsulado TOLL con alta disipación del calor |
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Willich-Münchheide, Alemania, 27 de febrero de 2025 – ROHM ha desarrollado HEMTs de GaN de 650 V en el encapsulado TOLL (TO-LeadLess): el GNP2070TD-Z. El encapsulado TOLL, que presenta un diseño compacto con una excelente disipación del calor, una elevada capacidad de corriente y un rendimiento de conmutación superior, se está adoptando cada vez con más frecuencia en aplicaciones que requieren un manejo de alta potencia, especialmente en el interior de equipos industriales y sistemas de automoción. Para este lanzamiento, la fabricación del encapsulado se ha subcontratado a ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD. (en adelante, ATX), un experimentado proveedor de OSAT (ensamblaje y prueba de semiconductores subcontratados). |
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| 15.01.2025 14:00 |
ROHM ofrece los dispositivos de oscilación y detección de ondas de terahercios más pequeños* de la industria |
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Willich-Münchheide, Alemania, 15 de enero de 2025 - ROHM ha empezado a ofrecer muestras de los dispositivos de oscilación y detección de ondas de terahercios (THz) más pequeños* de la industria, que utilizan elementos semiconductores conocidos como diodos de efecto túnel resonantes (RTD). Se prevé que las ondas de terahercios se apliquen a ensayos no destructivos, diagnóstico por imágenes y detección en los sectores médico y sanitario, así como a futuras tecnologías de comunicación ultrarrápida. El suministro de estos dispositivos contribuye al avance de las aplicaciones de las ondas de terahercios. |
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| 10.12.2024 14:00 |
ROHM y TSMC lanzan una colaboración estratégica en el ámbito de la tecnología de GaN para la industria del automóvil |
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Willich-Münchheide, Alemania, 10 de diciembre de 2024 – ROHM Co., Ltd. (ROHM) ha anunciado hoy que ROHM y TSMC han iniciado una asociación estratégica para el desarrollo y la producción en serie de dispositivos de potencia de Nitruro de Galio (GaN) para aplicaciones en vehículos eléctricos. |
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| 26.11.2024 09:30 |
Valeo y ROHM Semiconductor desarrollan conjuntamente la generación más avanzada de electrónica de potencia |
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París/Düsseldorf, 26 de noviembre de 2024 – Valeo, empresa líder en tecnología para automoción, y ROHM Semiconductor, uno de los principales fabricantes de semiconductores y electrónica, se han aliado para optimizar y presentar la más avanzada generación de módulos de potencia para inversores de motores eléctricos al combinar su experiencia en la gestión de la electrónica de potencia. Como primer paso, ROHM proporcionará su módulo moldeado 2 en 1 de carburo de silicio (SiC) TRCDRIVE pack a Valeo para futuras soluciones de powertrain. |
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| 12.11.2024 14:00 |
Nuevos diodos de barrera Schottky de SiC de ROHM para sistemas xEV de alta tensión: presentan un diseño de encapsulado exclusivo para una resistencia de aislamiento mejorada |
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Willich-Münchheide, Alemania, 12 de noviembre de 2024 - ROHM ha desarrollado diodos de barrera Schottky (SBD) de SiC para montaje superficial que mejoran la resistencia de aislamiento al aumentar la distancia creepage entre terminales. La gama inicial incluye ocho modelos —SCS2xxxNHR— para aplicaciones de automoción como cargadores de a bordo (OBC), y está previsto desplegar ocho modelos —SCS2xxxN— para equipos industriales como dispositivos de FA e inversores fotovoltaicos en diciembre de 2024. |
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