| 07.11.2024 14:00 |
Los nuevos IGBT de 1200 V de ROHM consiguen unas características de baja pérdida líderes* en la industria con una alta tolerancia al cortocircuito |
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Willich-Münchheide, Alemania, 07 de noviembre de 2024 – ROHM ha desarrollado nuevos IGBT de 4.ª generación de 1200 V con calificación AEC-Q101 de calidad automotriz que combinan características de baja pérdida líderes en su categoría* con una alta resistencia al cortocircuito. Esto hace que los dispositivos sean ideales para compresores eléctricos de vehículos y calentadores de alta tensión, así como para inversores industriales. La gama actual incluye cuatro modelos —RGA80TRX2HR / RGA80TRX2EHR / RGA80TSX2HR / RGA80TSX2EHR— en dos tipos de encapsulado discreto (TO-247-4L and TO-247N), junto con 11 variantes de bare chip —SG84xxWN— con planes de ampliar la gama en el futuro. |
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| 10.10.2024 10:00 |
ROHM en electronica 2024: Potenciando el crecimiento e inspirando la innovación |
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[Willich/Múnich, Alemania, 10 de octubre de 2024 - ROHM Semiconductor Europe espera con gran interés la celebración de electronica 2024, la feria y conferencia líder mundial para componentes, sistemas, aplicaciones y soluciones electrónicas. El evento tendrá lugar entre el 12 y el 15 de noviembre en Múnich. |
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| 08.10.2024 14:00 |
Nuevos CI de controlador de PWM de ROHM con encapsulado SOP para la alimentación eléctrica de una amplia variedad de aplicaciones industriales |
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Willich-Münchheide, Alemania, 08 de octubre de 2024 - ROHM ha desarrollado circuitos integrados (CI) de controlador externos de tipo FET que utilizan el modo de control de corriente PWM optimizado para la alimentación de CA-CC en diversas aplicaciones industriales. Ha comenzado la producción en masa de cuatro variantes diseñadas para accionar una amplia gama de semiconductores de potencia: la BD28C55FJ-LB para MOSFET de baja tensión, la BD28C54FJ-LB para MOSFET de media a alta tensión, la BD28C57LFJ-LB para IGBT y la BD28C57HFJ-LB para MOSFET de SiC. |
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| 19.09.2024 14:00 |
Los nuevos MOSFET de canal N de ROHM ofrecen una alta fiabilidad de montaje en aplicaciones para automoción |
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Willich-Münchheide, Alemania, 19 de septiembre de 2024 – ROHM ha lanzado los MOSFET de canal N —RF9x120BKFRA / RQ3xxx0BxFRA / RD3x0xxBKHRB— que presentan una baja resistencia de conducción, ideal para diversas aplicaciones de automoción, como motores para puertas y posicionamiento de asientos, así como faros LED. Las ventas han comenzado con 10 modelos repartidos en 3 tipos de encapsulado y está previsto ampliar la gama en el futuro. |
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| 05.09.2024 14:00 |
ROHM y UAES firman un acuerdo de suministro a largo plazo para dispositivos de potencia de SiC |
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Willich-Münchheide, Alemania, 05 de septiembre de 2024 – ROHM y United Automotive Electronic Systems Co., Ltd., (UAES), uno de los principales proveedores de automoción de primer nivel de China, han firmado recientemente un acuerdo de suministro a largo plazo de dispositivos de potencia de SiC. |
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| 01.08.2024 14:00 |
ROHM desarrolla el amplificador operacional CMOS más pequeño de la industria* optimizado para teléfonos inteligentes y dispositivos IoT (Internet of Things) compactos |
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Willich-Münchheide, Alemania, 01 de agosto de 2024 – ROHM ha desarrollado un amplificador operacional CMOS de riel a riel ultracompacto de 1,8 V - 5 V: el TLR377GYZ. Está optimizado para amplificar las señales de sensores, por ejemplo de temperatura, presión o caudal, utilizados en teléfonos inteligentes, pequeños dispositivos IoT y aplicaciones similares. |
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