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| 30.07.2026 14:00 |
ROHM lancia il forum di assistenza tecnica "Engineer Social Hub", in cui ingegneri prestano la loro assistenza ad altri ingegneri |
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Willich-Münchheide, Germania, 30 luglio 2026 – ROHM Co., Ltd. annuncia il lancio della versione in lingua inglese dell'Engineer Social Hub, una piattaforma online progettata per rendere più accessibili agli ingegneri le informazioni tecniche, il know-how e l'assistenza offerti da ROHM. L'Engineer Social Hub riunisce in un unico luogo i contenuti tecnici di ROHM relativi ai prodotti e alle soluzioni nel settore dei semiconduttori. Grazie alle FAQ specifiche per ciascun prodotto, alle discussioni e a un chatbot, gli utenti possono cercare soluzioni a domande di natura tecnica e ottenere assistenza diretta dagli ingegneri di ROHM. |
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| 22.07.2026 14:00 |
Nuova evaluation board DC-DC buck-boost per montaggio ultracompatto |
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Willich-Münchheide, Germania, 22 luglio 2026 – ROHM ha sviluppato una nuova evaluation board, la BD83070GWL-EVK-002. È stata progettata per illustrare in modo esaustivo le caratteristiche del modello BD83070GWL di circuito integrato per convertitori DC-DC, che combina un'elevata efficienza con un consumo di corrente estremamente basso. |
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| 09.07.2026 14:00 |
ROHM lancia i MOSFET Super Junction da 600 V in package per montaggio superficiale dalle elevate prestazioni termiche |
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Willich-Münchheide, Germania, 09 luglio 2026 – ROHM ha sviluppato una nuova line-up di MOSFET Super Junction da 600 V, vale a dire le serie R60xxXNx e R60xxWNx. |
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| 17.06.2026 14:00 |
ROHM lancia i MOSFET della serie AG16xFNxx per i sistemi di alimentazione a 48 V destinati al settore automotive |
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Willich-Münchheide, Germania, 17 giugno 2026 – ROHM ha sviluppato la "Serie AG16xFNxx", una line-up di MOSFET di potenza da 80 V progettati per sistemi di alimentazione a 48 V, sempre più diffusi nelle applicazioni del settore automotive. |
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| 09.06.2026 09:00 |
ROHM lancia il nuovo package con raffreddamento top-side per MOSFET SiC, che combina un'elevata dissipazione del calore con supporto per alta tensione |
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Willich-Münchheide, Germania, 09 giugno 2026 – ROHM ha sviluppato il package TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) per MOSFET SiC. Grazie all'adozione di una struttura di dissipazione del calore top-side, che colloca la superficie di dissipazione del calore sulla parte superiore del package, il nuovo prodotto consente il montaggio automatizzato, ottenendo al contempo prestazioni di dissipazione del calore paragonabili a quelle dei tradizionali package through-hole (TO-247-4L). Ciò contribuisce ad aumentare l'efficienza e l'affidabilità dei circuiti di conversione di potenza per i caricabatterie di bordo (OBC) e dei compressori elettrici utilizzati negli xEV (veicoli elettrici). |
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| 03.06.2026 14:00 |
Adozione del MOSFET SiC di ROHM nelle BBU dei server per IA, di pari passo con la diffusione delle architetture HVDC |
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Willich-Münchheide, Germania, 03 giugno 2026 – ROHM ha annunciato che il suo MOSFET SiC da 750 V è stato adottato in una BBU (Battery Backup Unit o unità della batteria di backup) destinata agli alimentatori dei server per IA. L'ascesa dell'IA generativa ha determinato uno spostamento dei sistemi di alimentazione dei server per IA verso tensioni più elevate e la loro rapida transizione ad architetture HVDC (corrente continua ad alta tensione). In questo scenario è stato scelto il dispositivo di potenza SiC di ROHM perché in grado di supportare i sistemi di alimentazione di prossima generazione. |
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