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| 09.06.2026 09:00 |
ROHM lanza un nuevo encapsulado con refrigeración por la parte superior para MOSFET de SiC, que combina alta disipación de calor con compatibilidad para alta tensión |
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Willich-Münchheide, Alemania, 09 de junio de 2026 - ROHM ha desarrollado el encapsulado TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) para MOSFET de SiC. Al adoptar una estructura de disipación de calor por la parte superior que coloca la superficie de disipación de calor en el lado superior del encapsulado, el nuevo producto permite un montaje automatizado al tiempo que logra un rendimiento de disipación de calor comparable al de los encapsulados convencionales con orificios pasantes (TO-247-4L). Esto contribuye a una mayor eficiencia y fiabilidad en los circuitos de conversión de potencia para cargadores a bordo (OBC) y compresores eléctricos utilizados en los xEV (vehículos eléctricos). |
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| 03.06.2026 14:00 |
Un MOSFET de SiC de ROHM incorporado a una BBU para servidores de IA como respuesta al avance de las arquitecturas HVDC |
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Willich-Münchheide, Alemania, 03 de junio de 2026 - ROHM ha anunciado que su MOSFET de SiC de 750 V ha sido incorporado a una unidad de respaldo por batería (BBU, por sus siglas en inglés) para fuentes de alimentación de servidores de IA. Con el auge de la IA generativa, los sistemas de alimentación para servidores de IA están cambiando a tensiones más altas y pasando rápidamente a arquitecturas HVDC (corriente continua de alta tensión). En este entorno, el dispositivo de ROHM fue seleccionado como dispositivo de alimentación de SiC compatible con los sistemas de alimentación eléctrica de última generación. |
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| 28.05.2026 14:00 |
ROHM PLECS Simulator ya está disponible para la verificación rápida de circuitos electrónicos de potencia |
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Willich-Münchheide, Alemania, 28 de mayo de 2026 - ROHM ha lanzado el ROHM PLECS Simulator en la página web oficial de ROHM. Esta herramienta de simulación permite a los diseñadores de circuitos electrónicos de potencia y a los diseñadores de sistemas simular rápidamente en línea el funcionamiento de los dispositivos de potencia de ROHM. La herramienta se basa en el software de simulación PLECS. |
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| 26.05.2026 10:00 |
ROHM en la PCIM Europe 2026: avanzando la tecnología de potencia SiC para la movilidad eléctrica y la industria |
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Willich/Nuremberg Alemania, 26 de mayo de 2026 – ROHM expondrá en la PCIM Expo & Conference 2026, el principal evento internacional de electrónica de potencia, movimiento inteligente, energías renovables y gestión de la energía, que tendrá lugar del 9 al 11 de junio de 2026 en Núremberg (Alemania). Este año, ROHM invita a sus visitantes al stand 318 del pabellón 9. |
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| 21.05.2026 14:00 |
ROHM lanza los diodos de protección contra ESD para interfaces de alta velocidad que superan los 10 Gbps |
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Willich-Münchheide, Alemania, 21 de mayo de 2026 - ROHM ha desarrollado nuevos diodos de protección contra descargas electroestáticas (ESD) —la serie RESDxVx— que logran una resistencia dinámica baja (Rdyn) y una capacitancia ultrabaja líderes en la industria. Esto los hace adecuados para una amplia gama de aplicaciones de comunicación de datos a alta velocidad. |
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| 19.05.2026 14:00 |
Soluciones de fuentes de alimentación escalables de ROHM para SoC (System on a Chip) de automoción |
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Willich-Münchheide, Alemania, 19 de mayo de 2026 – ROHM ha desarrollado una solución de fuente de alimentación configurable que combina el PMIC serie BD968xxC con el DrMOS BD96340MFFC dirigida a los SoC de automoción utilizados en aplicaciones como ADAS (sistemas avanzados de asistencia al conductor), DMS (sistemas de monitoreo del conductor) y cámaras sensoras. |
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