| 29.09.2005 10:00 |
Infineon und Nanya bauen Entwicklungskooperation aus |
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München und Taoyuan/Taiwan, 29. September 2005 - Infineon Technologies AG und Nanya Technology Corporation (NTC), Taoyuen/Taiwan, haben die Ausweitung ihrer gemeinsamen Entwicklungsaktivitäten für DRAMs vereinbart. Die beiden Unternehmen werden zusammen ab September 2005 moderne 60-nm-Fertigungstechnologien... |
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| 27.09.2005 16:20 |
Verhandlungen werden fortgesetzt |
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Infineon und der Verband der bayerischen Metall- und Elektroindustrie (VBM) haben heute Gespräche mit der IG Metall aufgenommen. Gegenstand war unter anderem der von der Gewerkschaft geforderte Tarifvertrag, in dem es für die Gewerkschaft um die sozialen Auswirkungen auf die von der beabsichtigten... |
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| 20.09.2005 17:00 |
Aufbau des neuen Entwicklungszentrums von Infineon in Bukarest schreitet zügig voran. Rund dreißig Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter sind bereits für Infineon Romania tätig. |
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Bukarest, Rumänien und Villach, Österreich - 20. September 2005 - Zum 1. April dieses Jahres gab Infineon Technologies die Gründung seiner neuen Landesgesellschaft in Rumänien, der Infineon Technologies Romania GesmbH, bekannt. Seitdem ist der Aufbau des in der Hauptstadt Bukarest ansässigen... |
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| 20.09.2005 16:00 |
Infineon wächst im VoIP-Markt überdurchschnittlich mit 300 Prozent: führende Position mit neuen Voice-Access-Lösungen unterstrichen |
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München und Boston, USA - 20. September, 2005 –Infineon Technologies AG hat im letzten Jahr den Umsatz mit Halbleiterlösungen für VoIP (Voice over Internet Protocol)-Endgeräte mit einer überdurchschnittlichen Wachstumsrate von 300 Prozent gesteigert (Quelle: iSuppli 2005). Im Vergleich dazu wuchs... |
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| 14.09.2005 14:30 |
X-FAB wird Infineon-Werk in Perlach nicht übernehmen |
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München, 14. September 2005 - Die Infineon Technologies AG, München, und die X-FAB Semiconductor Foundries AG, Erfurt, sind bei den – auf Initiative von Infineon begonnenen – Gesprächen der vergangenen Wochen zu dem Ergebnis gekommen, dass X-FAB das Infineon-Werk in Perlach nicht übernehmen wird... |
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| 31.08.2005 11:20 |
Infineons neue HF-Transistoren auf Basis von Silizium-Germanium-Kohlenstoff bieten weltweit niedrigste Rauschwerte für vielfältige drahtlose Applikationen |
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München, 31. August 2005 - Auf Basis seiner neuen Silizium-Germanium-Kohlenstoff-(SiGe:C) Prozesstechnologie bietet die neueste Generation der Heterojunction-Bipolar-Transistoren (HBTs) von Infineon Technologies AG derzeit die weltweit geringsten Rauschwerte für Silizium-basierte diskrete Transistoren... |
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