Presse-Informationen 1243 bis 1248 von 1637
14.05.2010 11:00 Infineon von Toyotas Hirose-Werk mit höchstem Qualitätspreis ausgezeichnet
Neubiberg und Tokio, Japan, 14. Mai 2010 - Das Hirose-Werk des Automobilherstellers Toyota hat Infineon Technologies mit seinem höchsten Qualitätspreis für außergewöhnlich gute Produktqualität ausgezeichnet. Es ist das erste Mal, dass ein nicht-japanisches Unternehmen diesen Qualitätspreis, ...
05.05.2010 09:00 Infineon bietet 2. Generation der ThinQ! Siliziumkarbid Schottky-Dioden jetzt auch im voll isolierten TO-220 FullPAK-Gehäuse
Neubiberg, 5. Mai 2010 - Infineon Technologies kündigte heute die Verfügbarkeit seiner zweiten Generation Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden im TO-220 FullPAK-Gehäuse an. Das neue Produktportfolio im TO220 FullPak kombiniert die ausgezeichneten elektrischen Kennwerte der ThinQ! SiC-Schottky-Dioden ...
05.05.2010 09:00 Infineon präsentiert neue kompakte IGBT-Module PrimePACK 3 und EconoDUAL 3 mit höchster Leistungsdichte und Zuverlässigkeit
Neubiberg - 5. Mai 2010 - Infineon Technologies stellt auf der PCIM Europe 2010 in Nürnberg (4. bis 6. Mai) neue IGBT-Module vor, die für höchste Leistungsdichte und Zuverlässigkeit ausgelegt sind: ein PrimePACK-Modul mit 1400 A in 1700 V im PrimePACK 3-Gehäuse und das neue Flaggschiff ...
05.05.2010 09:00 Infineon überwindet mit 3. Generation der 600-V und 1200-V-IGBTs bisherige Beschränkungen bei Schalt-Performance und Effizienz
Neubiberg - 5. Mai 2010 - Infineon Technologies stellte heute seine 3. Generation High Speed-IGBTs mit 1200 und 600V vor. Die neue High Speed 3-IGBT-Familie ist für hochfrequente und hart schaltende Anwendungen ausgelegt. Die neue Produktfamilie setzt Maßstäbe in Bezug auf reduzierte Schaltverluste ...
04.05.2010 12:15 Infineon auf Platz 1 bei Chips für Automobilelektronik
Neubiberg, 4. Mai 2010 - Infineon Technologies hat den Sprung zum weltweit führenden Chipanbieter für die Automobilelektronik geschafft und ist klare Nummer eins. Nach der neuesten Studie des amerikanischen Marktforschungsinstituts Strategy Analytics, Boston, erreichte Infineon bei einem Umsatz von ...
04.05.2010 09:00 Neue .XT-Technologie von Infineon erhöht deutlich die Lebensdauer von IGBT-Modulen und ermöglicht Sperrschicht-Temperaturen von bis zu 200 °C
Neubiberg - 4. Mai 2010 - Infineon Technologies stellt heute auf der PCIM Europe 2010 in Nürnberg (4.-6. Mai) eine innovative, modulinterne IGBT-Verbindungstechnologie vor, die die Lebensdauer von IGBT-Modulen deutlich erhöht. Die neue .XT-Technologie optimiert alle Verbindungen innerhalb eines IGBT ...
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