| 05.05.2010 09:00 |
Infineon bietet 2. Generation der ThinQ! Siliziumkarbid Schottky-Dioden jetzt auch im voll isolierten TO-220 FullPAK-Gehäuse |
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Neubiberg, 5. Mai 2010 - Infineon Technologies kündigte heute die Verfügbarkeit seiner zweiten Generation Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden im TO-220 FullPAK-Gehäuse an. Das neue Produktportfolio im TO220 FullPak kombiniert die ausgezeichneten elektrischen Kennwerte der ThinQ! SiC-Schottky-Dioden ... |
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| 05.05.2010 09:00 |
Infineon präsentiert neue kompakte IGBT-Module PrimePACK 3 und EconoDUAL 3 mit höchster Leistungsdichte und Zuverlässigkeit |
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Neubiberg - 5. Mai 2010 - Infineon Technologies stellt auf der PCIM Europe 2010 in Nürnberg (4. bis 6. Mai) neue IGBT-Module vor, die für höchste Leistungsdichte und Zuverlässigkeit ausgelegt sind: ein PrimePACK-Modul mit 1400 A in 1700 V im PrimePACK 3-Gehäuse und das neue Flaggschiff ... |
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| 05.05.2010 09:00 |
Infineon überwindet mit 3. Generation der 600-V und 1200-V-IGBTs bisherige Beschränkungen bei Schalt-Performance und Effizienz |
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Neubiberg - 5. Mai 2010 - Infineon Technologies stellte heute seine 3. Generation High Speed-IGBTs mit 1200 und 600V vor. Die neue High Speed 3-IGBT-Familie ist für hochfrequente und hart schaltende Anwendungen ausgelegt. Die neue Produktfamilie setzt Maßstäbe in Bezug auf reduzierte Schaltverluste ... |
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| 04.05.2010 12:15 |
Infineon auf Platz 1 bei Chips für Automobilelektronik |
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Neubiberg, 4. Mai 2010 - Infineon Technologies hat den Sprung zum weltweit führenden Chipanbieter für die Automobilelektronik geschafft und ist klare Nummer eins. Nach der neuesten Studie des amerikanischen Marktforschungsinstituts Strategy Analytics, Boston, erreichte Infineon bei einem Umsatz von ... |
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| 04.05.2010 09:00 |
Neue .XT-Technologie von Infineon erhöht deutlich die Lebensdauer von IGBT-Modulen und ermöglicht Sperrschicht-Temperaturen von bis zu 200 °C |
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Neubiberg - 4. Mai 2010 - Infineon Technologies stellt heute auf der PCIM Europe 2010 in Nürnberg (4.-6. Mai) eine innovative, modulinterne IGBT-Verbindungstechnologie vor, die die Lebensdauer von IGBT-Modulen deutlich erhöht. Die neue .XT-Technologie optimiert alle Verbindungen innerhalb eines IGBT ... |
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| 03.05.2010 14:00 |
Infineon Technologies und Mitsubishi Electric vereinbaren globale Zusammenarbeit im Bereich Leistungselektronik |
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Neubiberg, 3. Mai 2010, Infineon Technologies AG und Mitsubishi Electric Corporation haben sich darauf verständigt, eine Service-Vereinbarung abzuschließen, um den Markt für industrielle Steuerungen und Antriebe mit den fortschrittlichen IGBT-Modulen SmartPACK und SmartPIM weltweit zu beliefern. ... |
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