Presse-Informationen 1237 bis 1242 von 1565
10.07.2009 10:20 Infineon plant Kapitalerhöhung mit Einnahmen von bis zu 725 Millionen Euro, Backstop-Vereinbarung mit Investment-Gesellschaft Apollo
Neubiberg, 10. Juli 2009 – Die Infineon Technologies AG plant eine Kapitalerhöhung. Es sollen bis zu 337 Millionen Aktien für einen Bezugspreis von 2,15 Euro pro Aktie emittiert werden. Nach erfolgter Genehmigung des Wertpapierprospektes durch die Bundesanstalt für Finanzdienstleistungsaufsicht...
07.07.2009 22:10 Infineon verkauft Wireline Communications Geschäft an US-Investor
Neubiberg, 7. Juli 2009 – Die Infineon Technologies AG hat sich mit dem US-Investor Golden Gate Capital auf den Verkauf ihres Segments Wireline Communications (WLC) geeinigt. Die Transaktion wird über eine Tochtergesellschaft von Golden Gate Capital realisiert. Der Kaufpreis beträgt Euro 250 Millionen...
25.06.2009 15:45 Infineon hebt den Ausblick für die Geschäftsentwicklung des dritten Quartals an
Neubiberg, 25. Juni 2009 - Die Infineon Technologies AG hat heute ihre Prognose für die Geschäftsentwicklung im dritten Quartal des Geschäftsjahres 2009 angehoben. Das Segmentergebnis in Summe wird sich im laufenden Quartal voraussichtlich in Richtung Gewinnschwelle bewegen. Für das dritte Quartal ...
19.06.2009 14:15 Infineon bietet OptiMOS 3 75 V-MOSFET-Familie mit idealen Schaltcharakteristika für energieeffiziente Leistungswandlung
Neubiberg und Shenzhen, China - 19. Juni 2009 - Auf der China Power Show in Shenzhen hat Infineon Technologies heute seine neuen OptiMOS™ 3 Leistungs-MOSFETs mit einer Sperrspannung von 75 Volt vorgestellt. Die OptiMOS 3 75V-Leistungsbauelemente bieten das industrieweit beste Schaltverhalten mit ...
19.06.2009 14:00 Infineon kombiniert mit neuer Generation von CoolMOS MOSFETs die Vorteile der Superjunction-Technologie mit den Stärken traditioneller Hochvolt-Bauelemente
Neubiberg und Shenzhen, China - 19. Juni 2009 - Auf der China Power Show in Shenzhen hat Infineon Technologies heute mit der CoolMOS™ C6-Familie seine nächste CoolMOS-Generation und erste Produkte mit einer Sperrspannung von 600 Volt vorgestellt. Mit der neuen 600 V CoolMOS C6-Serie lassen sich ...
09.06.2009 15:00 Neue LDMOS-Leistungstransistoren von Infineon mit hoher Ausgangsleistung und Bandbreiten-Performance für Mobilfunk-Basisstationen der nächsten Generation
Neubiberg und Boston, USA, 9. Juni 2009 - Auf dem IEEE MTT-S International Microwave Symposium hat die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) heute eine neue Familie LDMOS-Leistungstransistoren für den Einsatz in Mobilfunk-Basisstationen für Breitbandübertragungen präsentiert. ...
  «« « 205 206 207 208 209 » »»
 
 
 
» Infineon Technologies
» Presse Informationen
» News per E-mail
Registrieren Sie sich hier zu unserem
E-mail Newsletter-Service
» News per RSS-Feed
Presse-Informationen als RSS-Feed abrufen. Aktuell und ohne Registrierung.
» Kontakt Agentur
MEXPERTS AG
Tel.: +49 (0)8143 59744-00
www.mexperts.de