| 12.07.2017 10:15 |
EconoPIM™ 3 mit höherem Nennstrom von 150 A |
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München, 12. Juli 2017 – Die Infineon Technologies AG erweitert das Produktportfolio der IGBT-Module im EconoPIM™3-Gehäuse. Der Nennstrom des Moduls wird dabei von 100 A um 50 Prozent auf 150 A erhöht. Die neuen Leistungsmodule bedienen die steigende Nachfrage nach höherer Leistungsdichte bei ... |
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| 26.06.2017 10:15 |
Infineon vereinfacht Sensor-Designs zur Geschwindigkeitsmessung mit TLE4922-Sensor und Speed-Sensor-2Go-Kit |
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München, 26. Juni 2017 - Mit Entwicklungskits für Sensoren senkt Infineon den Designaufwand beträchtlich - und verringert damit Entwicklungszeit und Systemkosten. Für die verlässliche und schnelle Messung von Geschwindigkeiten bietet die Infineon Technologies AG zum neuen Hall-Sensor TLE4922 auch das zugehörige Design-Kit „Speed Sensor 2Go“. ... |
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| 22.06.2017 16:00 |
Leistungsschalter PROFET™+2 und High Current PROFET™ von Infineon fördern Energieeffizienz und Miniaturisierung in der Automobilelektronik |
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München, 22. Juni 2017 – Autohersteller erwarten von elektronischen Steuergeräten im Fahrzeug maximale Funktionalität mit hoher Energieeffizienz auf geringstmöglichem Bauraum. Die Infineon Technologies AG unterstützt diesen Trend mit der neuen Fertigungstechnologie SMART7. Die Technologie wurde spez... |
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| 19.06.2017 13:00 |
Infineon erhält Auszeichnung von DENSO |
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München, 19. Juni 2017 – Der japanische Automobilzulieferer DENSO hat Infineon Technologies mit einem „Supplier of the Year Award“ ausgezeichnet. DENSO würdigte damit besonders die Zusammenarbeit mit den amerikanischen Niederlassungen von Infineon und deren Unterstützung vor Ort. Mit der ... |
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| 12.06.2017 10:15 |
Gegen Cyber-Angriffe im Rettungswesen: Security ‘Made in Germany’ sichert Beatmungsgeräte |
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München, Karlsruhe und Gackenbach, 12. Juni 2017 – Das Schreckensszenario: Ein Spitzenfußballer erleidet einen schweren Verkehrsunfall. Der Klassenerhalt des Vereins ist gefährdet. Während der Unfall des Sportlers noch nicht öffentlich bekannt ist, werden zeitgleich die IT-Systeme des Krankenhauses ... |
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| 06.06.2017 10:30 |
IGBT mit hoher Leistungsdichte im TO-247PLUS-Gehäuse |
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München, 6. Juni 2017 – Die Infineon Technologies AG erweitert das Produktangebot an diskreten 1200-V-Bauelementen mit IGBTs in Stromklassen bis 75 A. Sowohl der IGBT- als auch der Dioden-Chip sind auf den vollen Nennstrom ausgelegt. Sie sind in einem TO-247PLUS-Gehäuse in den Ausführungen 3- und 4-... |
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