| 25.04.2013 14:10 |
Infineon bietet mit TLE496x hochpräzise und sehr energieeffiziente Hall-Sensoren im ultrakleinen SOT23-Gehäuse |
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Neubiberg, 25. April 2013 - Für Automobil- und Industrieanwendungen, die möglichst hohe Genauigkeit, möglichst niedrigen Energieverbrauch und möglichst geringen Platzbedarf fordern, hat Infineon Technologies sehr präzise Hall-Sensoren auf den Markt gebracht. ... |
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| 16.04.2013 10:10 |
Infineon präsentiert SiGe-Transceiver-Familie für Millimeterwellen-Backhaul-Anwendungen; BGTx0 vereinfacht Design von Small Cell-Infrastruktur |
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Neubiberg, 16. April 2013 - Infineon Technologies hat heute eine neue Transceiver-Familie vorgestellt. Die Single-Chip-Lösung ersetzt mehr als zehn diskrete Bausteine und vereinfacht sowohl das Systemdesign als auch die Fertigungslogistik auf Anwenderseite. ... |
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| 11.04.2013 12:00 |
Infineon liefert SOLID FLASH™ Sicherheitscontroller an VISA für neue Bezahlkarten in Lateinamerika und in der Karibik |
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Neubiberg, Deutschland, und Sao Paolo, Brasilien - 11. April 2013 – Die Infineon Technologies AG ist bevorzugter Lieferant für Sicherheitschips für die neuen VISA Karten, die in Lateinamerika und in der Karibik (LAC) ausgegeben werden und den GlobalPlatform-Spezifikationen entsprechen. Infineon wird... |
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| 10.04.2013 13:15 |
"Eure Ideen für die Welt von morgen" - Infineon startet den Schülerwettbewerb "Chips@School" zum zweiten Mal |
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Neubiberg, 10. April 2013 – Förderung der klugen Köpfe von morgen, Begeistern für Technik, Beitrag für eine lebenswerte Zukunft: Das sind nur drei Gründe von vielen, warum die Infineon Technologies AG auch in diesem Jahr wieder den Schülerwettbewerb Chips@School ausruft. ... |
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| 18.03.2013 16:00 |
Infineon präsentiert mit DrBlade die neue Generation DrMOS mit innovativer Chip-Embedded-Packaging-Technologie |
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Neubiberg und Long Beach (USA), 18. März 2013 - Auf der Applied Power Electronics Conference & Exposition (APEC) 2013 hat die Infineon Technologies AG heute DrBlade vorgestellt - den ersten integrierten DC/DC-Treiber mit MOSFET VR-Leistungsstufe in einem innovativen Chip-Embedded-Package. ... |
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| 14.03.2013 16:00 |
Infineon erschließt mit den neuen 650-V-Dioden der Rapid 1- und Rapid 2-Familien den Markt für Hochvolt-Hyperfast-Siliziumdioden |
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Neubiberg, Deutschland und Long Beach, Kalifornien (USA), 14. März 2013 - Anlässlich der Applied Power Electronics Conference & Exposition (APEC) 2013 hat die Infineon Technologies AG heute zwei neue 650-V-Silizium-Dioden mit hohem Wirkungsgrad und schneller Sperrerholzeit (Reverse Recovery Time) vorgestellt. ... |
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